隨著三星推進(jìn)其 HBM4 時(shí)間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。CES 和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評(píng)為 2026 年移動(dòng)設(shè)備、配件和應(yīng)用程序類別創(chuàng)新獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)?wù)?。新公布的?guī)格特別指出，12 納米設(shè)計(jì)可提供 10.7Gbps 數(shù)據(jù)速率和擴(kuò)展的 I/O 以實(shí)現(xiàn)更高帶寬——專為數(shù)據(jù)密集型移動(dòng)、邊緣和設(shè)備上的 AI 工作負(fù)載而構(gòu)建。

TechPowerUp 援引三星的話報(bào)道稱，LPDDR6 的能效比 LPDDR5X 提高了 21%，與其帶寬和速度相匹配，同時(shí)功耗減少了約五分之一。該媒體還指出，未來(lái)的 LPDDR6 版本可能會(huì)攀升至 14 Gbps，甚至超過(guò)最快的超頻LPDDR5X。正如報(bào)告所強(qiáng)調(diào)的那樣，三星的調(diào)諧LPDDR5X已經(jīng)達(dá)到 10.7 Gbps，有效地為 LPDDR6 奠定了起跑線。

報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，更多細(xì)節(jié)應(yīng)該會(huì)在即將到來(lái)的 2026 年 CES 上公布，三星計(jì)劃在會(huì)上演示運(yùn)行新內(nèi)存的設(shè)備并詳細(xì)介紹其主要功能。

據(jù)三星稱，LPDDR6 還帶來(lái)了更強(qiáng)大的安全功能來(lái)保護(hù)數(shù)據(jù)完整性，將其用例推向移動(dòng)之外的工業(yè)和關(guān)鍵任務(wù) AI 應(yīng)用。

內(nèi)存巨頭的 LPDDR6 路線圖

三星并不是唯一一家為 LPDDR6 做準(zhǔn)備的公司。Wccftech 援引 SK 海力士的路線圖報(bào)道稱，該公司正在推出廣泛的 DRAM——從標(biāo)準(zhǔn) LPDDR6 到以 AI 為中心的“AI-D”解決方案，如 LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R 和第二代 CXL LPDDR6-PIM。報(bào)告稱，SK 海力士的 LPDDR6 預(yù)計(jì)將于 2026 年推出，而 DDR6 可能會(huì)在 2029 年至 2031 年之間上市。

美光尚未提供 LPDDR6 的詳細(xì)時(shí)間，但據(jù)報(bào)道，在 6 月份的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，該公司標(biāo)志著一個(gè)關(guān)鍵的里程碑：根據(jù) Tom's Hardware 的說(shuō)法，基于 1γ 的 LPDDR5 DRAM 的首次合格樣品出貨。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，1γ 工藝（美光的第 6 代 10nm 級(jí)節(jié)點(diǎn)）比 1β 功耗降低 20%，性能提高 15%，位密度提高 30%，一旦良率穩(wěn)定，就有可能降低生產(chǎn)成本。