lpddr6 文章 最新資訊
英特爾借Razor Lake-AX重啟封裝內(nèi)存方案，搭載 LPDDR6
- 英特爾下一代銳刃湖AX(Razor Lake-AX) 芯片將內(nèi)置封裝內(nèi)存，直接對標 AMD 的美杜莎旗艦級 APU 產(chǎn)品。英特爾將在下一代銳刃湖 AX芯片上重新啟用封裝內(nèi)存設(shè)計，用以抗衡 AMD 美杜莎系列旗艦 APU。英特爾上一次采用封裝內(nèi)存，還是用在月湖（Lunar Lake） 系統(tǒng)級芯片上。該系列芯片主打低功耗移動平臺，在 30W 功耗限制下性能表現(xiàn)不俗；而英特爾此次新一代封裝內(nèi)存方案，規(guī)格將大幅升級。據(jù)社交平臺 X 爆料博主 Haze2K1 消息，英特爾銳刃湖 AX系統(tǒng)級芯片將搭載封裝內(nèi)
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JEDEC公布LPDDR6升級方向，推進AI內(nèi)存SOCAMM2標準制定
- 在 AI 與邊緣計算需求激增的背景下，內(nèi)存標準正快速演進。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會近期公布，正為JESD209?6 LPDDR6標準下一版規(guī)劃新增特性，并確認基于 LPDDR6 的SOCAMM2（片上系統(tǒng)先進內(nèi)存模塊）規(guī)范正在開發(fā)中。 一、LPDDR6 標準重點升級JEDEC 表示，新版 LPDDR6 將引入更窄的單裸片接口，在非二進制架構(gòu)下新增x12、x6 子通道模式（位寬從 x16 擴展至 x24），可提升單封裝裸片數(shù)量、顯著增加單通道容量，以滿足 AI 級內(nèi)存需求。標準還將加入靈活元數(shù)據(jù)劃
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全球首款1c LPDDR6，來了
- SK 海力士宣布，已成功開發(fā)基于第六代 10 奈米級（1c）制程技術(shù)的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產(chǎn)品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗證，預計今年上半年完成量產(chǎn)準備，并于下半年開始供貨。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一種主要應(yīng)用于智能手機與平板等行動裝置的低功耗 DRAM 標準，通過低電壓運作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要鎖定 On-device AI 應(yīng)用，例如智能手機、平板電腦等終端設(shè)備。與
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海力士推出超性能版LPDDR6內(nèi)存：較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%
- 海力士宣布成功研發(fā)首款 LPDDR6 動態(tài)隨機存取存儲器，超性能版LPDDR6內(nèi)存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內(nèi)存架構(gòu)一旦落地于 SOCAMM 模組，或?qū)⒊蔀閿?shù)據(jù)中心市場的一大助力。這家存儲芯片廠商同時透露，此款 LPDDR6 內(nèi)存基于其 2024 年發(fā)布的領(lǐng)先 10nm 級（1c）工藝節(jié)點打造。新款 LPDDR6 內(nèi)存芯片基礎(chǔ)運行速率超 10.7Gbps，遠超目前市場上性能最強的在售 LPDDR5X 內(nèi)存
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三星 LPDDR6 內(nèi)存規(guī)格揭曉：10.7nm 速度為 12Gbps;據(jù)報道，著眼于 14 Gbps
- 隨著三星推進其 HBM4 時間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長足的進步。CES?和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評為 2026 年移動設(shè)備、配件和應(yīng)用程序類別創(chuàng)新獎獲獎?wù)?。新公布的?guī)格特別指出，12 納米設(shè)計可提供 10.7Gbps 數(shù)據(jù)速率和擴展的 I/O 以實現(xiàn)更高帶寬——專為數(shù)據(jù)密集型移動、邊緣和設(shè)備上的 AI 工作負載而構(gòu)建。TechPowerUp?援引三星的話報道稱，LPDDR6 的能效比 LPDDR5X 提高了 21%，與其帶寬和速度相匹配，同時功耗減少了約
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Cadence率先推出業(yè)內(nèi)首款LPDDR6/5X 14.4Gbps內(nèi)存IP，為新一代AI基礎(chǔ)架構(gòu)助力
- 楷登電子（美國 Cadence 公司）近日宣布業(yè)內(nèi)首個 LPDDR6/5X 內(nèi)存 IP 系統(tǒng)解決方案完成流片。該解決方案已經(jīng)過優(yōu)化，運行速率高達 14.4Gbps，比上一代 LPDDR DRAM 快 50%。全新的 Cadence? LPDDR6/5X 內(nèi)存 IP 系統(tǒng)解決方案是擴展 AI 基礎(chǔ)架構(gòu)的關(guān)鍵驅(qū)動因素。經(jīng)過擴展之后，AI 基礎(chǔ)架構(gòu)可以適應(yīng)新一代 AI LLM、代理 AI 及其他垂直領(lǐng)域計算密集型工作負載對于內(nèi)存帶寬和容量的需求。在這方面，Cadence 目前正在與領(lǐng)先的 AI、高性能計算（HP
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JEDEC發(fā)布針對移動和AI的LPDDR6
- JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會 （JEDEC Solid State Technology Association） 宣布發(fā)布最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 6 （LPDDR6） 標準 JESD209-6。JESD209-6 LPDDR6 標準將顯著提高一系列應(yīng)用的內(nèi)存速度和效率，包括移動設(shè)備和 AI 系統(tǒng)。新標準代表了內(nèi)存技術(shù)的重大進步，提供了增強的性能、能效和安全性。為了實現(xiàn) AI 應(yīng)用程序和其他高性能工作負載，LPDDR6 采用雙子通道架構(gòu)，允許靈活作，同時保持 32 字節(jié)的小訪問粒度。此外，LPDDR6 還提
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JEDEC發(fā)布首個LPDDR6標準
- 制定微電子標準的全球機構(gòu)聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會 （JEDEC） 剛剛發(fā)布了 JESD209-6。本文檔定義了下一代內(nèi)存設(shè)計 LPDDR6，并且是第一個提到 DDR6 的官方規(guī)范。根據(jù) JEDEC 的說法，LPDDR6 提供了改進的性能、更高的能效以及增強的安全性和可靠性。該集團推出 DDR5 已經(jīng)五年了，從那時起的技術(shù)進步需要發(fā)布更快的標準，尤其是對于移動設(shè)備和邊緣 AI 應(yīng)用。該組織表示，它通過增加子通道的數(shù)量和減小其大小來提高 LPDDR6 的性能。DDR5 將 DDR4 使用的
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是德科技推出完整的LPDDR6解決方案
- ●? ?面向移動應(yīng)用、客戶端計算和人工智能應(yīng)用，為?LPDDR6內(nèi)存提供完整的設(shè)計和驗證解決方案?●? ?支持?JEDEC協(xié)會持續(xù)推廣的?LPDDR6?新內(nèi)存標準●? ?聚焦速度優(yōu)化、能效和可靠性測試，增強性能分析●? ?采用先進的基于測量的噪聲補償技術(shù)，實現(xiàn)卓越的信號完整性是德科技完整的?LPDDR6?測試解決方案，涵蓋帶寬為33 GHz?的UX
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LPDDR6標準即將敲定：適應(yīng)AI計算新需求
- 隨著人工智能技術(shù)的廣泛應(yīng)用，移動產(chǎn)品對內(nèi)存性能的需求日益增長，尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數(shù)據(jù)處理能力以支撐端側(cè)AI模型的運行。一直懸而未決的LPDDR6標準也進入最終的敲定期，預計到2025年下半年我們有望看到采用新一代LPDDR6的產(chǎn)品上市。此前有報道稱，高通第四代驍龍8平臺將支持LPDDR6，以進一步提升定制Oryon內(nèi)核的性能。LPDDR6帶來了哪些變化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月發(fā)布。之后，業(yè)界又陸續(xù)發(fā)布了小幅更新、改進版的LPDDR
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老對頭三星、SK海力士結(jié)盟！聯(lián)手推動LPDDR6-PIM內(nèi)存
- 12月2日消息，據(jù)韓國媒體報道， 在全球內(nèi)存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結(jié)成聯(lián)盟，共同推動LPDDR6-PIM內(nèi)存的標準化。這也意味著兩家公司在面對AI內(nèi)存技術(shù)商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時，愿意擱置競爭，共同推動行業(yè)標準的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內(nèi)存技術(shù)的標準化進程，以適應(yīng)設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的發(fā)展。隨著設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的興起，PIM內(nèi)存技術(shù)越來越受到重視。PIM技術(shù)通過將存儲和計算結(jié)合，直接在存儲單元進行計算，有效解決了傳統(tǒng)芯片在運行AI算法時的“存儲墻”和“功耗墻
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存儲兩旬，迎來DDR6
- 近期，JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會是微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導標準機構(gòu)）除了籌備制定新一代 DDR6 高性能內(nèi)存，還在積極準備新一代低功耗內(nèi)存 LPDDR6，主要用于智能手機、輕薄筆記本等。隨著半導體行業(yè)逐步走出下行周期，存儲作為半導體行業(yè)中周期性波動更為明顯的細分領(lǐng)域，在今年出現(xiàn)較為明顯的復蘇跡象。DDR6 即將成為下一代內(nèi)存標準。存儲 20 年DDR（DDR1）：DDR SDRAM 于 2000 年推出，與其前身 SDR SDRAM（單速率 SDRAM）相比有了顯著的改進。與 SDR SDRAM 相比，DDR1 的
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