sk海力士 文章 最新資訊
谷歌DeepMind擬深化與三星、SK海力士、LG等合作
- 谷歌將在韓國首爾建設(shè)全球首座人工智能園區(qū)，并計劃與三星、SK海力士、LG集團等深化合作。據(jù)韓媒報道，4月27日，韓國總統(tǒng)政策顧問金容范表示，韓國與谷歌已達成協(xié)議，將在首爾建設(shè)全球首座人工智能（AI）園區(qū)，以促進其與韓國本土工程師及初創(chuàng)企業(yè)之間的合作。另有消息稱，谷歌DeepMind聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官（CEO）戴密斯·哈薩比斯于28日接連會見三星、SK海力士、LG集團掌門人，并就谷歌在人工智能和半導(dǎo)體領(lǐng)域的深化合作進行討論。據(jù)悉，谷歌DeepMind負責(zé)制造谷歌的人工智能模型Gemini。三星同時擁有晶
- 關(guān)鍵字： 谷歌 三星 SK海力士 LG
AI存儲"印鈔機"：三星、SK海力士利潤率超70%
- 綜合韓媒報道，SK海力士2026年第一季度營業(yè)利潤率逼近72%；營收達52萬億韓元（約2,413億元人民幣），營業(yè)利潤突破37萬億韓元（約1,717億元人民幣）。SK海力士的營業(yè)利潤率不僅高于英偉達約65%的水平，也超出臺積電約58%的利潤率，更是大幅領(lǐng)先蘋果、谷歌約30%的盈利表現(xiàn)。這一成績得益于全球AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)熱潮，特別是在生成式AI和大型語言模型需求的推動下，帶動DRAM、HBM、NAND等存儲芯片價格全面走高。技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品落地層面，SK海力士預(yù)計在2026年下半年向客戶提供第七代HBM4E樣
- 關(guān)鍵字： AI存儲 三星 SK海力士
1864億！SK海力士達營業(yè)利潤率高達72%，碾壓臺積電
- 2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務(wù)報告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長60%，同比增長198%；營業(yè)利潤 37.61 萬億韓元（1737.6 億元人民幣），同比增長 405.5%；凈利潤 40.34 萬億韓元（1863.7 億元人民幣），同比增長 397.6%。從季度業(yè)績來看，銷售額首次突破50萬億韓元大關(guān)，營業(yè)利潤為37.6萬億韓元，營業(yè)利潤率達
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM NAND 閃存 AI
SK海力士美國印第安納州首座先進封裝廠動工，預(yù)計 2028 年下半年投產(chǎn)
- 正當(dāng)三星電子加速其泰勒工廠 2 納米工藝量產(chǎn)步伐之際，SK 海力士同步加大在美國的先進封裝布局。據(jù)《韓國經(jīng)濟先驅(qū)報》報道，SK 海力士已正式破土動工，建設(shè)其在美國的首座半導(dǎo)體工廠 —— 印第安納州晶圓廠，這距離該公司 2024 年公布投資計劃約兩年，成為重要里程碑。工廠規(guī)劃投產(chǎn)時間：2028 年下半年全面投產(chǎn)核心產(chǎn)品：下一代 AI 存儲芯片，主打HBM（高帶寬內(nèi)存）主力型號：HBM4E（第七代）、HBM5（第八代）建設(shè)進度SK 海力士于 4 月 17 日告知當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)，已啟動地基打樁作業(yè)，為主體建筑施工做準(zhǔn)
- 關(guān)鍵字： SK海力士 先進封裝廠
三星向法院申請禁制令防范非法罷工行為
- 三星電子與內(nèi)部工會的勞資沖突正在加劇。一場潛在的罷工，可能讓三星付出極其昂貴的代價。即使三星啟動備用產(chǎn)能，一天造成的營業(yè)損失仍可能達1萬億韓元，最終累計損失恐達20萬億甚至30萬億韓元（約合人民幣926億元至1389億元）。作為參照，2024年三星全年的營業(yè)利潤約為32.7萬億韓元。此次發(fā)出巨額損失警告，被外界解讀為工會試圖在談判中加大籌碼。這一估算可能涵蓋了生產(chǎn)中斷的直接損失、客戶訂單流失的間接影響，以及重啟產(chǎn)線所需的額外成本。對于一家高度依賴連續(xù)生產(chǎn)的半導(dǎo)體巨頭而言，即使是短期的停擺，其連鎖反應(yīng)也可能
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM SK海力士
消息稱三星已解決 SOCAMM2 翹曲問題，量產(chǎn)進度有望領(lǐng)先美光、SK 海力士
- 據(jù)報道，三星已攻克其 SOCAMM2 設(shè)計中的一項關(guān)鍵技術(shù)難題。據(jù) ETNews 援引消息人士透露，該公司已解決翹曲（warpage）問題 —— 這是下一代 AI 服務(wù)器內(nèi)存模組 SOCAMM2（System on Chip Advanced Memory Module 2）量產(chǎn)前的主要障礙。報道稱，三星通過應(yīng)用自研下一代低溫焊料（LTS）技術(shù)解決了該問題。報道指出，翹曲是指元器件在制造過程中因受熱而產(chǎn)生的輕微彎曲，主要由不同材料之間熱膨脹系數(shù)（CTE）不匹配引起。SOCAMM2 結(jié)構(gòu)尤為敏感，因為它將
- 關(guān)鍵字： 三星 SOCAMM2 翹曲問題 美光 SK海力士
DRAM合約價再度上漲30%
- 韓國媒體ETnews報道，三星在一季度將DRAM合約價上漲了100%之后，二季度的DRAM合約價將再度上漲30%。由于隨著對AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的擴展，包括三星在內(nèi)的主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能集中在HBM上，通用DRAM的供應(yīng)變得不足，導(dǎo)致價格急劇上漲。據(jù)悉，三星已確認于3月底與主要客戶完成價格談判，并簽署了供應(yīng)合同。DRAM合約價30%的漲幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手機所需的通用DRAM。而三星此前在第一季度已經(jīng)將DRAM的平均價格提高了100%。這意味著，如果2025年DRAM價格為10000韓元
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士 美光 三星
三星大規(guī)模罷工風(fēng)險迎來暫緩，勞資雙方重回談判桌
- 據(jù)路透社最新消息，在經(jīng)歷長期僵持與罷工授權(quán)后，三星電子管理層與韓國員工工會聯(lián)合發(fā)布聲明，雙方正式就獎金爭議重啟談判，一度高懸的大規(guī)模罷工風(fēng)險迎來暫緩。轉(zhuǎn)機出現(xiàn)在本周一，此次談判重啟的關(guān)鍵推動力，來自三星電子副會長、半導(dǎo)體（DS）部門負責(zé)人全永鉉（Jun Young-hyun）的介入。作為三星核心芯片業(yè)務(wù)負責(zé)人，全永鉉在會議中正面回應(yīng)員工訴求，并提出會針對不同業(yè)務(wù)部門制定多元化獎金分配方案。工會原定在三星電子會長李在镕住宅前的抗議活動已宣布取消，轉(zhuǎn)而與公司高層先行對話。全永鉉已與四位工會領(lǐng)袖舉行了長達90分
- 關(guān)鍵字： 三星 存儲 SK海力士 HBM
SK海力士警告：內(nèi)存短缺或持續(xù)至 2030 年
- SK 海力士會長崔泰源表示，當(dāng)前全球內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張的局面或再持續(xù) 4 至 5 年，這也意味著，這場已推高全電子行業(yè)存儲芯片價格、加劇供貨緊張的供應(yīng)危機將進一步延續(xù)。3 月 16 日，崔泰源在加州舉辦的英偉達 GPU 技術(shù)大會（GTC）上發(fā)表講話時指出，當(dāng)下的核心問題并非單純的人工智能需求爆發(fā)，而是為加速器和人工智能服務(wù)器打造高帶寬內(nèi)存（HBM） 所需的晶圓用量激增。這一現(xiàn)狀的關(guān)鍵影響在于，高帶寬內(nèi)存已成為半導(dǎo)體行業(yè)利潤最高的產(chǎn)品品類之一，行業(yè)產(chǎn)能正持續(xù)向該領(lǐng)域傾斜，而市場其他存儲芯片品類只能爭奪剩余產(chǎn)能
- 關(guān)鍵字： SK海力士 內(nèi)存短缺
應(yīng)用材料與美光、SK海力士合作
- 隨著人工智能熱潮推動存儲需求增長，半導(dǎo)體設(shè)備制造商在收獲紅利的同時，也在加深與頭部存儲廠商的合作。據(jù)路透社報道，應(yīng)用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達成合作，共同開發(fā)對人工智能與高性能計算至關(guān)重要的下一代芯片。3 月 10 日，應(yīng)用材料發(fā)布新聞稿稱，已與 SK 海力士簽署長期合作協(xié)議，加速 DRAM 與 HBM 技術(shù)研發(fā)。雙方將在應(yīng)用材料新建的研發(fā)中心 ——設(shè)備與工藝創(chuàng)新與商業(yè)化中心（EPIC Center），聚焦存儲材料、工藝整合及 3D 先進封裝技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 美光 SK海力士 半導(dǎo)體 DRAM HBM NAND
伊朗沖突擾亂半導(dǎo)體供應(yīng)鏈
- 最近，美國半導(dǎo)體股票暴跌，三星和SK海力士也同步下跌。此次拋售潮歸因于對半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的擔(dān)憂加劇，市場越來越擔(dān)心伊朗戰(zhàn)爭可能進入長期階段，此外原油價格的飆升加劇了包括半導(dǎo)體在內(nèi)的所有行業(yè)的風(fēng)險。美國、以色列與伊朗之間的戰(zhàn)事可能擾亂來自中東的關(guān)鍵半導(dǎo)體制造材料的供應(yīng)。而韓國芯片產(chǎn)業(yè)供應(yīng)全球約三分之二的存儲芯片，該產(chǎn)業(yè)同樣擔(dān)憂伊朗沖突持續(xù)帶來的供應(yīng)鏈風(fēng)險，相關(guān)人士提出如果部分關(guān)鍵材料無法從中東采購，半導(dǎo)體生產(chǎn)可能受到干擾。其中最受關(guān)注的是氦氣。氦氣是半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中散熱的關(guān)鍵材料，目前尚無可行替代品。全球僅有少
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 三星 SK海力士
HBM競賽白熱化！SK海力士探索封裝新方案 或滿足英偉達峰值性能目標(biāo)
- 《科創(chuàng)板日報》3月4日訊 據(jù)韓國ZDNet消息，SK海力士正在推進下一代封裝技術(shù)，用于提高HBM4的穩(wěn)定性和性能。目前該項技術(shù)正處于驗證階段。由于HBM4的I/O（輸入/輸出信號）數(shù)量翻倍至2048個，故而增加了信號干擾的風(fēng)險。這種擴展雖然提升了帶寬，但也帶來了電壓等方面的挑戰(zhàn)。為增強穩(wěn)定性，SK海力士計劃增加部分上層DRAM芯片的厚度，同時縮小DRAM層之間的間距，以防止封裝整體高度增加，同時降低向最上層供電所需的功耗，提高電源效率。傳統(tǒng)上，DRAM通過研磨背面來減薄芯片厚度，以滿足HBM4 775微米
- 關(guān)鍵字： HBM SK海力士 封裝 英偉達
三星和SK海力士將繼續(xù)大幅提高DRAM價格
- 據(jù)報道，全球前兩大DRAM芯片大廠三星和SK海力士已向客戶發(fā)出通知，今年第二季度將繼續(xù)大幅提高DRAM價格。而具體的漲價幅度則因客戶而異，但中小型客戶可能將不得不接受大幅漲價以確保DRAM供應(yīng)。這一波DRAM價格的持續(xù)上漲，是因為自去年下半年起因AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)熱潮刺激 —— 這也徹底改變了交易慣例，大客戶與中小企業(yè)之間的購買力差距也在擴大。有業(yè)內(nèi)人士觀察到，有些客戶必須接受價格上漲超過之前合同價格的兩倍以上，才能獲得DRAM的批量供應(yīng)。近期有消息顯示，三星在與蘋果就LPDDR5X供應(yīng)價格進行談判時，三星
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM
SK海力士與閃迪聯(lián)合發(fā)布高帶寬閃存（HBF） 高速標(biāo)準(zhǔn)瞄準(zhǔn)人工智能推理服務(wù)器
- 固態(tài)硬盤（SSD）中常用的 NAND 芯片，其速度和容量一直在穩(wěn)步提升，當(dāng)前服務(wù)器級產(chǎn)品的單芯片速度已能達到 28GB/s。但即便如此，這一性能在人工智能領(lǐng)域仍顯不足。為此，SK 海力士與閃迪聯(lián)合宣布推出高帶寬閃存（HBF，High Bandwidth Flash），專為下一代人工智能推理服務(wù)器打造。官方新聞稿的細節(jié)披露極為有限，但提及 HBF 將定位為高帶寬內(nèi)存（HBM DRAM）與閃存固態(tài)硬盤之間的中間層級。鑒于當(dāng)前一代 HBM3E 內(nèi)存堆的速度約為 1.2TB/s，我們可以推測，單顆 HBF 芯片的
- 關(guān)鍵字： SK海力士 閃迪 高帶寬閃存 HBF 人工智能推理服務(wù)器
存儲價格將繼續(xù)上漲
- 隨著AI服務(wù)的進步，需求不斷增長，而供應(yīng)仍然有限，分析師預(yù)計今年內(nèi)存價格的上漲趨勢將持續(xù)。一些人認為，市場已經(jīng)進入了供應(yīng)商主導(dǎo)的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應(yīng)量。穩(wěn)健的庫存管理和緊張的供需環(huán)境有利于就長期合同進行磋商，DRAM相對于需求的短缺也可能有利于2027年HBM業(yè)務(wù)的擴張。SK海力士認為，在AI客戶強勁需求的推動下，當(dāng)前的內(nèi)存價格上漲趨勢可能貫穿全年。雖然PC和移動用戶可能因價格大幅上漲而降低配置（despeccing），這可能會抑制需求，但由于供應(yīng)擴張能力有限，
- 關(guān)鍵字： 存儲 NAND DRAM SK海力士
sk海力士介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sk海力士!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sk海力士的理解，并與今后在此搜索sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sk海力士的理解，并與今后在此搜索sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sk海力士專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473