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應對降價：三星大幅減產西安工廠NAND閃存！
- 1月13日消息，據(jù)媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
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SK海力士宣布參展CES 2025，將展示122TB企業(yè)級固態(tài)硬盤等產品
- 1 月 3 日消息，SK 海力士今日宣布將參加于當?shù)貢r間 1 月 7 日至 10 日在美國拉斯維加斯舉行的“國際消費電子產品展覽會（CES 2025）”，屆時展示面向 AI 的存儲器技術實力。據(jù)了解，SK 海力士將在 CES2025 展出 HBM、企業(yè)級固態(tài)硬盤等面向 AI 的代表性存儲器產品，也將展示專為端側 AI 優(yōu)化的解決方案和下一代面向 AI 的存儲器產品。目前，該公司已率先實現(xiàn)量產并向客戶供應 12 層第五代 HBM（HBM3E），在此展會將展出公司去年 11 月宣布開發(fā)完成的 16 層第五代
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SK 海力士新設 AI 芯片開發(fā)和量產部門，任命首席開發(fā)官及首席生產官
- 12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。據(jù)介紹，新設的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內存等
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老對頭三星、SK海力士結盟！聯(lián)手推動LPDDR6-PIM內存
- 12月2日消息，據(jù)韓國媒體報道， 在全球內存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結成聯(lián)盟，共同推動LPDDR6-PIM內存的標準化。這也意味著兩家公司在面對AI內存技術商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時，愿意擱置競爭，共同推動行業(yè)標準的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內存技術的標準化進程，以適應設備內AI技術的發(fā)展。隨著設備內AI技術的興起，PIM內存技術越來越受到重視。PIM技術通過將存儲和計算結合，直接在存儲單元進行計算，有效解決了傳統(tǒng)芯片在運行AI算法時的“存儲墻”和“功耗墻
- 關鍵字： 三星 SK海力士 內存 LPDDR6
SK海力士全球率先量產12層堆疊HBM3E
- 2024年9月26日，SK海力士宣布，公司全球率先開始量產12層HBM3E新品，實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產品中最大**的36GB（千兆字節(jié)）容量。公司將在年內向客戶提供產品，繼今年3月全球率先向客戶供應8層HBM3E后，僅時隔6個月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術實力。 SK海力士強調:“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E)， 公司是唯一一家開發(fā)并向市場供應全系列HBM產品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產12層堆疊產品，不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求，
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SK海力士CXL優(yōu)化解決方案成功搭載于全球最大開源操作系統(tǒng)Linux
- 2024年9月23日，SK海力士宣布，公司已將用于優(yōu)化CXL*（Compute Express Link）存儲器運行的自研軟件異構存儲器軟件開發(fā)套件（HMSDK）*中主要功能成功搭載于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux*上。SK海力士表示：“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲器產品而備受矚目，公司自主研發(fā)的CXL優(yōu)化軟件HMSDK，其性能已獲得國際認可，并成功應用于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux中。這標志著不僅是如HBM等超高性能硬件實力方面，公司的軟件競爭力也獲得廣泛認可，具有重大意義?！蔽磥?/li>
- 關鍵字： SK海力士 CXL Linux
SK海力士開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤“PEB110 E1.S”
- 采用第五代PCIe，較上一代產品性能提高一倍，能效提升30%以上· 經客戶驗證后，將于明年第二季度開始量產· 增強數(shù)據(jù)中心的SSD產品組合，滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領域，同時在NAND閃存解決方案SSD產品領域，鞏固全球頂級面向AI的存儲器供應商領導者地位”2024年9月11日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）產品“PEB110 E1.S”（以下簡稱 PEB110）。SK海力士表示：“隨著AI時代的全面到
- 關鍵字： SK海力士 數(shù)據(jù)中心 固態(tài)硬盤 PEB110 E1.S
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發(fā)展?！惫疽?b DRAM
- 關鍵字： SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
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