sk海力士 文章 最新資訊
移動 DRAM 價格暴漲，智能手機生產(chǎn)承壓
- 集邦咨詢（TrendForce）表示，2026 年第二季度移動 DRAM 價格仍在大幅上漲，本已因整體內(nèi)存供應(yīng)緊張而削減生產(chǎn)計劃的智能手機廠商，如今又面臨新的成本壓力。該機構(gòu)最新的內(nèi)存市場研究顯示，LPDDR4X 解決方案的平均售價（ASP）預(yù)計在 2026 年第二季度環(huán)比至少上漲 70%–75%；LPDDR5X 漲幅更快，預(yù)計環(huán)比上漲 78%–83%。此前數(shù)個季度價格已連續(xù)大幅攀升，如今正直接影響手機產(chǎn)品規(guī)劃。移動 DRAM 價格分化，供應(yīng)商策略各異集邦咨詢稱，三星與 SK 海力士定價路線似乎不同：三星
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存儲器超級周期獨一無二 三星、SK海力士估值向臺積電靠攏
- 日本野村證券認為，AI推論與AI代理將推動記憶體需求進入超級周期，未來五年供需缺口恐持續(xù)擴大，因此大幅上調(diào)三星與SK海力士目標價，并認為兩者估值模式未來有望逐步向臺積電靠攏，而非繼續(xù)被視為受存儲傳統(tǒng)周期循環(huán)影響的股票。野村狂調(diào)三星、SK海力士目標價：估值正向臺積電靠攏。野村證券于上周五（15日）發(fā)布最新研究報告，大幅上調(diào)三星電子與SK海力士目標價，分別從34萬韓元、234萬韓元調(diào)升至59萬韓元、400萬韓元，兩者隱含漲幅均逾118%，并同步維持買入評級。野村證券指出，AI推論需求爆發(fā)所帶動的結(jié)構(gòu)性供需失衡
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移動端DRAM合約價格再上漲
- 市場研究機構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）最新發(fā)布的存儲調(diào)查報告顯示，2026年第二季度移動端DRAM合約價格繼續(xù)大幅走高，智能手機廠商的成本壓力正持續(xù)加劇。值得注意的是，韓國兩大內(nèi)存原廠在本輪漲價中采取了不同策略：三星傾向于一次性上調(diào)到位，漲幅較為明顯；而SK海力士目前給出的臨時報價漲幅相對緩和，采取逐級推高的節(jié)奏，預(yù)計到五月下旬才能完成最終定價。綜合來看，集邦咨詢預(yù)估，第二季度LPDDR4X的平均售價（ASP）環(huán)比漲幅至少為70%–75%，LPDDR5X則達到78%–83%。連續(xù)多個季度的高額漲價已
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SK海力士或聯(lián)手英特爾，共同研發(fā) 2.5D 封裝技術(shù)
- 據(jù)ZDNet報道，SK海力士正在與英特爾合作開展2.5D封裝技術(shù)的研究與開發(fā)。此外，SK海力士正在考慮采用英特爾研發(fā)的2.5D封裝技術(shù)“嵌入式多芯片互連橋（EMIB）”。據(jù)悉，該公司目前正在進行測試，以將HBM和系統(tǒng)半導(dǎo)體與英特爾提供的EMIB嵌入式基板結(jié)合使用。目前，該公司正在尋找適用于實際量產(chǎn)的材料和組件。在先進封裝領(lǐng)域，臺積電的CoWoS長期占據(jù)主導(dǎo)地位。SK海力士也與其保持著密切的合作關(guān)系，并在HBM和2.5D封裝方面開展聯(lián)合研發(fā)。然而，由于近期人工智能行業(yè)的蓬勃發(fā)展，臺積電的CoWoS正面臨供應(yīng)
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SK海力士HBM混合鍵合工藝良率已提升
- 據(jù)韓媒報道，SK海力士近日宣布，其高帶寬存儲器（HBM）混合鍵合工藝的良率已實現(xiàn)顯著提升。公司技術(shù)負責(zé)人金鐘勛（Kim Jong-hoon）透露，采用混合鍵合技術(shù)的12層HBM堆疊結(jié)構(gòu)已完成驗證工作。目前，團隊正集中精力優(yōu)化良率，以確保該技術(shù)能夠順利投入實際生產(chǎn)。這一進展標志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)邁出了重要一步?；旌湘I合技術(shù)被認為是推動HBM性能提升的關(guān)鍵工藝之一。通過該技術(shù)，存儲芯片能夠?qū)崿F(xiàn)更高的帶寬和更小的尺寸，從而滿足人工智能、高性能計算等領(lǐng)域日益增長的需求。
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谷歌DeepMind擬深化與三星、SK海力士、LG等合作
- 谷歌將在韓國首爾建設(shè)全球首座人工智能園區(qū)，并計劃與三星、SK海力士、LG集團等深化合作。據(jù)韓媒報道，4月27日，韓國總統(tǒng)政策顧問金容范表示，韓國與谷歌已達成協(xié)議，將在首爾建設(shè)全球首座人工智能（AI）園區(qū)，以促進其與韓國本土工程師及初創(chuàng)企業(yè)之間的合作。另有消息稱，谷歌DeepMind聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官（CEO）戴密斯·哈薩比斯于28日接連會見三星、SK海力士、LG集團掌門人，并就谷歌在人工智能和半導(dǎo)體領(lǐng)域的深化合作進行討論。據(jù)悉，谷歌DeepMind負責(zé)制造谷歌的人工智能模型Gemini。三星同時擁有晶
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AI存儲"印鈔機"：三星、SK海力士利潤率超70%
- 綜合韓媒報道，SK海力士2026年第一季度營業(yè)利潤率逼近72%；營收達52萬億韓元（約2,413億元人民幣），營業(yè)利潤突破37萬億韓元（約1,717億元人民幣）。SK海力士的營業(yè)利潤率不僅高于英偉達約65%的水平，也超出臺積電約58%的利潤率，更是大幅領(lǐng)先蘋果、谷歌約30%的盈利表現(xiàn)。這一成績得益于全球AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)熱潮，特別是在生成式AI和大型語言模型需求的推動下，帶動DRAM、HBM、NAND等存儲芯片價格全面走高。技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品落地層面，SK海力士預(yù)計在2026年下半年向客戶提供第七代HBM4E樣
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1864億！SK海力士達營業(yè)利潤率高達72%，碾壓臺積電
- 2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務(wù)報告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長60%，同比增長198%；營業(yè)利潤 37.61 萬億韓元（1737.6 億元人民幣），同比增長 405.5%；凈利潤 40.34 萬億韓元（1863.7 億元人民幣），同比增長 397.6%。從季度業(yè)績來看，銷售額首次突破50萬億韓元大關(guān)，營業(yè)利潤為37.6萬億韓元，營業(yè)利潤率達
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SK海力士美國印第安納州首座先進封裝廠動工，預(yù)計 2028 年下半年投產(chǎn)
- 正當(dāng)三星電子加速其泰勒工廠 2 納米工藝量產(chǎn)步伐之際，SK 海力士同步加大在美國的先進封裝布局。據(jù)《韓國經(jīng)濟先驅(qū)報》報道，SK 海力士已正式破土動工，建設(shè)其在美國的首座半導(dǎo)體工廠 —— 印第安納州晶圓廠，這距離該公司 2024 年公布投資計劃約兩年，成為重要里程碑。工廠規(guī)劃投產(chǎn)時間：2028 年下半年全面投產(chǎn)核心產(chǎn)品：下一代 AI 存儲芯片，主打HBM（高帶寬內(nèi)存）主力型號：HBM4E（第七代）、HBM5（第八代）建設(shè)進度SK 海力士于 4 月 17 日告知當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)，已啟動地基打樁作業(yè)，為主體建筑施工做準
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三星向法院申請禁制令防范非法罷工行為
- 三星電子與內(nèi)部工會的勞資沖突正在加劇。一場潛在的罷工，可能讓三星付出極其昂貴的代價。即使三星啟動備用產(chǎn)能，一天造成的營業(yè)損失仍可能達1萬億韓元，最終累計損失恐達20萬億甚至30萬億韓元（約合人民幣926億元至1389億元）。作為參照，2024年三星全年的營業(yè)利潤約為32.7萬億韓元。此次發(fā)出巨額損失警告，被外界解讀為工會試圖在談判中加大籌碼。這一估算可能涵蓋了生產(chǎn)中斷的直接損失、客戶訂單流失的間接影響，以及重啟產(chǎn)線所需的額外成本。對于一家高度依賴連續(xù)生產(chǎn)的半導(dǎo)體巨頭而言，即使是短期的停擺，其連鎖反應(yīng)也可能
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消息稱三星已解決 SOCAMM2 翹曲問題，量產(chǎn)進度有望領(lǐng)先美光、SK 海力士
- 據(jù)報道，三星已攻克其 SOCAMM2 設(shè)計中的一項關(guān)鍵技術(shù)難題。據(jù) ETNews 援引消息人士透露，該公司已解決翹曲（warpage）問題 —— 這是下一代 AI 服務(wù)器內(nèi)存模組 SOCAMM2（System on Chip Advanced Memory Module 2）量產(chǎn)前的主要障礙。報道稱，三星通過應(yīng)用自研下一代低溫焊料（LTS）技術(shù)解決了該問題。報道指出，翹曲是指元器件在制造過程中因受熱而產(chǎn)生的輕微彎曲，主要由不同材料之間熱膨脹系數(shù)（CTE）不匹配引起。SOCAMM2 結(jié)構(gòu)尤為敏感，因為它將
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DRAM合約價再度上漲30%
- 韓國媒體ETnews報道，三星在一季度將DRAM合約價上漲了100%之后，二季度的DRAM合約價將再度上漲30%。由于隨著對AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的擴展，包括三星在內(nèi)的主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能集中在HBM上，通用DRAM的供應(yīng)變得不足，導(dǎo)致價格急劇上漲。據(jù)悉，三星已確認于3月底與主要客戶完成價格談判，并簽署了供應(yīng)合同。DRAM合約價30%的漲幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手機所需的通用DRAM。而三星此前在第一季度已經(jīng)將DRAM的平均價格提高了100%。這意味著，如果2025年DRAM價格為10000韓元
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三星大規(guī)模罷工風(fēng)險迎來暫緩，勞資雙方重回談判桌
- 據(jù)路透社最新消息，在經(jīng)歷長期僵持與罷工授權(quán)后，三星電子管理層與韓國員工工會聯(lián)合發(fā)布聲明，雙方正式就獎金爭議重啟談判，一度高懸的大規(guī)模罷工風(fēng)險迎來暫緩。轉(zhuǎn)機出現(xiàn)在本周一，此次談判重啟的關(guān)鍵推動力，來自三星電子副會長、半導(dǎo)體（DS）部門負責(zé)人全永鉉（Jun Young-hyun）的介入。作為三星核心芯片業(yè)務(wù)負責(zé)人，全永鉉在會議中正面回應(yīng)員工訴求，并提出會針對不同業(yè)務(wù)部門制定多元化獎金分配方案。工會原定在三星電子會長李在镕住宅前的抗議活動已宣布取消，轉(zhuǎn)而與公司高層先行對話。全永鉉已與四位工會領(lǐng)袖舉行了長達90分
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SK海力士警告：內(nèi)存短缺或持續(xù)至 2030 年
- SK 海力士會長崔泰源表示，當(dāng)前全球內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張的局面或再持續(xù) 4 至 5 年，這也意味著，這場已推高全電子行業(yè)存儲芯片價格、加劇供貨緊張的供應(yīng)危機將進一步延續(xù)。3 月 16 日，崔泰源在加州舉辦的英偉達 GPU 技術(shù)大會（GTC）上發(fā)表講話時指出，當(dāng)下的核心問題并非單純的人工智能需求爆發(fā)，而是為加速器和人工智能服務(wù)器打造高帶寬內(nèi)存（HBM） 所需的晶圓用量激增。這一現(xiàn)狀的關(guān)鍵影響在于，高帶寬內(nèi)存已成為半導(dǎo)體行業(yè)利潤最高的產(chǎn)品品類之一，行業(yè)產(chǎn)能正持續(xù)向該領(lǐng)域傾斜，而市場其他存儲芯片品類只能爭奪剩余產(chǎn)能
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應(yīng)用材料與美光、SK海力士合作
- 隨著人工智能熱潮推動存儲需求增長，半導(dǎo)體設(shè)備制造商在收獲紅利的同時，也在加深與頭部存儲廠商的合作。據(jù)路透社報道，應(yīng)用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達成合作，共同開發(fā)對人工智能與高性能計算至關(guān)重要的下一代芯片。3 月 10 日，應(yīng)用材料發(fā)布新聞稿稱，已與 SK 海力士簽署長期合作協(xié)議，加速 DRAM 與 HBM 技術(shù)研發(fā)。雙方將在應(yīng)用材料新建的研發(fā)中心 ——設(shè)備與工藝創(chuàng)新與商業(yè)化中心（EPIC Center），聚焦存儲材料、工藝整合及 3D 先進封裝技術(shù)
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