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SK海力士與閃迪聯(lián)合發(fā)布高帶寬閃存（HBF） 高速標(biāo)準(zhǔn)瞄準(zhǔn)人工智能推理服務(wù)器
- 固態(tài)硬盤(pán)（SSD）中常用的 NAND 芯片，其速度和容量一直在穩(wěn)步提升，當(dāng)前服務(wù)器級(jí)產(chǎn)品的單芯片速度已能達(dá)到 28GB/s。但即便如此，這一性能在人工智能領(lǐng)域仍顯不足。為此，SK 海力士與閃迪聯(lián)合宣布推出高帶寬閃存（HBF，High Bandwidth Flash），專(zhuān)為下一代人工智能推理服務(wù)器打造。官方新聞稿的細(xì)節(jié)披露極為有限，但提及 HBF 將定位為高帶寬內(nèi)存（HBM DRAM）與閃存固態(tài)硬盤(pán)之間的中間層級(jí)。鑒于當(dāng)前一代 HBM3E 內(nèi)存堆的速度約為 1.2TB/s，我們可以推測(cè)，單顆 HBF 芯片的
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存儲(chǔ)價(jià)格將繼續(xù)上漲
- 隨著AI服務(wù)的進(jìn)步，需求不斷增長(zhǎng)，而供應(yīng)仍然有限，分析師預(yù)計(jì)今年內(nèi)存價(jià)格的上漲趨勢(shì)將持續(xù)。一些人認(rèn)為，市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入了供應(yīng)商主導(dǎo)的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫(kù)存已降至約四周的供應(yīng)量。穩(wěn)健的庫(kù)存管理和緊張的供需環(huán)境有利于就長(zhǎng)期合同進(jìn)行磋商，DRAM相對(duì)于需求的短缺也可能有利于2027年HBM業(yè)務(wù)的擴(kuò)張。SK海力士認(rèn)為，在AI客戶(hù)強(qiáng)勁需求的推動(dòng)下，當(dāng)前的內(nèi)存價(jià)格上漲趨勢(shì)可能貫穿全年。雖然PC和移動(dòng)用戶(hù)可能因價(jià)格大幅上漲而降低配置（despeccing），這可能會(huì)抑制需求，但由于供應(yīng)擴(kuò)張能力有限，
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HBM4競(jìng)爭(zhēng)格局生變
- 總部位于美國(guó)的第三大DRAM供應(yīng)商美光可能會(huì)被排除在英偉達(dá)的首批第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）供應(yīng)鏈之外，預(yù)計(jì)英偉達(dá)、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供應(yīng)將由韓國(guó)企業(yè)三星、SK海力士瓜分。但也有觀點(diǎn)認(rèn)為美光被排除在初始供應(yīng)鏈之外的可能性很低，因?yàn)橛ミ_(dá)正在尋求使其HBM4市場(chǎng)的供應(yīng)商多元化。半導(dǎo)體分析公司SemiAnalysis將美光在英偉達(dá)下一代AI芯片Vera Rubin的HBM4市場(chǎng)份額下調(diào)至0%，“目前沒(méi)有跡象表明英偉達(dá)向美光訂購(gòu)HBM4”，并預(yù)測(cè)SK海力士將占據(jù)英偉達(dá)HBM4供應(yīng)的70%份額，
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三星、SK海力士HBM4：16層堆疊封裝誰(shuí)更勝一籌？
- 綜合韓媒報(bào)道，三星電子和SK海力士在第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）領(lǐng)域均已掌握16層堆疊封裝技術(shù)，并具備量產(chǎn)能力。不過(guò)，兩家企業(yè)的技術(shù)路線(xiàn)存在差異：三星采用非導(dǎo)電薄膜熱壓縮（TC-NCF）技術(shù)，而SK海力士則選擇了Advanced MR-MUF（先進(jìn)模塑底部填充）技術(shù)。三星存儲(chǔ)器事業(yè)部副社長(zhǎng)金載?。ㄒ糇g）在2025年第4季法說(shuō)會(huì)上透露，三星已實(shí)現(xiàn)基于TC-NCF技術(shù)的16層HBM4堆疊封裝技術(shù)達(dá)到可量產(chǎn)水準(zhǔn)，能夠及時(shí)滿(mǎn)足客戶(hù)需求。韓媒分析稱(chēng)，這意味著三星在10納米級(jí)第六代1c DRAM的16層HBM4封裝工
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為滿(mǎn)足英偉達(dá)需求，三星、SK海力士被曝?fù)屧跍y(cè)試完成前量產(chǎn)HBM4
- 2 月 2 日消息，據(jù)韓媒 ZDNet Korea 報(bào)道，高帶寬內(nèi)存（HBM）的量產(chǎn)節(jié)奏正在被重新改寫(xiě)。傳統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)品一般都是先用樣品完成客戶(hù)的質(zhì)量認(rèn)證測(cè)試，通過(guò)之后才進(jìn)入正式量產(chǎn)，但在 HBM 供應(yīng)鏈上，為了緊跟核心客戶(hù)需求，廠商開(kāi)始在認(rèn)證結(jié)束前就提前投產(chǎn)。當(dāng)?shù)貢r(shí)間 2 月 1 日的業(yè)內(nèi)消息稱(chēng)，三星電子與 SK 海力士為了滿(mǎn)足英偉達(dá)的 HBM 需求，在測(cè)試尚未完全結(jié)束的情況下，已經(jīng)提前啟動(dòng) HBM4 量產(chǎn)。SK 海力士在業(yè)績(jī)說(shuō)明中明確表示：“HBM4 自去年 9 月建立量產(chǎn)體系以來(lái)，正在按照客戶(hù)要求的數(shù)
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上調(diào)100%！存儲(chǔ)市場(chǎng)又一重磅調(diào)價(jià)信號(hào)
- 三星今年第一季度對(duì)NAND閃存的供應(yīng)合約價(jià)格已上調(diào)超過(guò)100%，目前客戶(hù)已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶(hù)的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實(shí)施新的價(jià)格體系。另外，SK海力士也對(duì)NAND產(chǎn)品采取了類(lèi)似的定價(jià)策略；存儲(chǔ)芯片大廠SanDisk也計(jì)劃在一季度將面向企業(yè)級(jí)的NAND價(jià)格上調(diào)100%。目前，三星已著手與客戶(hù)就第二季度的NAND價(jià)格進(jìn)行新一輪談判，市場(chǎng)普遍預(yù)計(jì)價(jià)格上漲的勢(shì)頭將在第二季度延續(xù)。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度NAND閃存價(jià)格漲幅為上一季度的3
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三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期
- 援引市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計(jì)占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會(huì)進(jìn)一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬(wàn)片縮減至468萬(wàn)片，SK海力士則同步跟進(jìn)，產(chǎn)能從2025年的190萬(wàn)片降至170萬(wàn)片。在英偉達(dá)等公司引領(lǐng)的推理人工智能（AI）領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，作為關(guān)鍵組件的NAND閃存供應(yīng)緊張，增加了包括服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備在內(nèi)的所有領(lǐng)域價(jià)格持續(xù)上漲的可能性。分析師預(yù)測(cè)，這將對(duì)三星電子和SK海力士的
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64萬(wàn)年終獎(jiǎng)刷屏！AI不僅能"搶"飯碗，更能悄悄掏空你的錢(qián)包
- 年終獎(jiǎng)，64萬(wàn)人民幣！這是韓國(guó)巨頭SK海力士剛剛宣布發(fā)給員工的平均年終獎(jiǎng)（1.36億韓元）。在大家都在感嘆2025年大環(huán)境“寒氣逼人”的時(shí)候，這個(gè)數(shù)字紅得發(fā)燙，也顯得格外刺眼。但這筆錢(qián)不是大風(fēng)刮來(lái)的，而是AI巨頭們“砸”出來(lái)的。為了搶下微軟、谷歌那些不計(jì)成本的AI訂單，SK海力士和三星極其默契地實(shí)施了一場(chǎng)“產(chǎn)能大挪移”：削減普通消費(fèi)電子的產(chǎn)能，把資源都押注到利潤(rùn)豐厚的AI領(lǐng)域。于是，上游的芯片廠在吃肉喝湯，狂發(fā)獎(jiǎng)金；而下游的手機(jī)和PC廠商卻迎來(lái)了真正的寒冬。隨著內(nèi)存成本像坐火箭一樣飆升，擺在它們面前的是一
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SK海力士發(fā)布了5位NAND，可分割單元，實(shí)現(xiàn)20×更快的讀取速度
- 存儲(chǔ)巨頭在NAND容量擴(kuò)展上謹(jǐn)慎行事，逐步淘汰MLC（多級(jí)單元）等老產(chǎn)品，同時(shí)加倍投入先進(jìn)技術(shù)。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會(huì)上，SK海力士發(fā)布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱(chēng)其讀取速度比傳統(tǒng)PLC（五級(jí)單元）快達(dá)20×，Blocks & Files報(bào)道。據(jù)報(bào)道，SK海力士的多點(diǎn)小區(qū)（MSC）NAND技術(shù)將每個(gè)3D NAND小區(qū)一分為二，提升每個(gè)小區(qū)的數(shù)據(jù)容量，同時(shí)將電壓狀態(tài)數(shù)量減少約三分之二。Blocks & Files指出，這一突破展示了SK海力士自2022年起開(kāi)發(fā)
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記憶巨頭在供應(yīng)緊張中繪制2025-26年度退出策略
- 隨著內(nèi)存供應(yīng)緊張，行業(yè)正將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向面向超大規(guī)模企業(yè)的高利潤(rùn)率、前沿產(chǎn)品。傳承、面向消費(fèi)者的記憶正逐漸走向生命周期末期，2026年將成為關(guān)鍵參與者的分水嶺之年。以下是三星、SK海力士和美光如何逐步退出傳統(tǒng)內(nèi)存市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向英偉達(dá)和谷歌等大型科技巨頭的一瞥。三星：告別DDR4和2D MLC NAND了盡管市場(chǎng)傳聞顯示內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)者可能會(huì)因價(jià)格飆升推遲DDR4的退出，TrendForce指出三星仍堅(jiān)定地堅(jiān)持其終止生命周期計(jì)劃。因此，DDR4 供應(yīng)預(yù)計(jì)在2026年大幅下降，推動(dòng)每吉比特價(jià)格創(chuàng)歷史新高。與此同時(shí)，公司正在逐
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SK海力士2026展望：HBM3E主導(dǎo)，HBM4雙重策略在三大市場(chǎng)逆風(fēng)中顯現(xiàn)
- 隨著整體內(nèi)存價(jià)格飆升和HBM4的臨近，2026年可能成為存儲(chǔ)巨頭的又一個(gè)里程碑之年。SK海力士在今日（1月5日）發(fā)布的新年致辭中指出，即使HBM4在提升產(chǎn)能，HBM3E今年仍將成為主導(dǎo)產(chǎn)品，預(yù)計(jì)其將在2026年占HBM總出貨量的約三分之二，而HBM4則逐漸獲得市場(chǎng)支持。SK海力士強(qiáng)調(diào)，隨著英偉達(dá)推出“Blackwell Ultra”加速器，以及谷歌和AWS等大型科技公司擴(kuò)展基于ASIC的AI芯片內(nèi)部開(kāi)發(fā)，HBM3E正日益成為首選記憶。援引瑞銀的言論，公司也表達(dá)了信心，有望成為谷歌最新TPU——v7p和v7
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美國(guó)批準(zhǔn)三星、SK海力士的中國(guó)工廠2026進(jìn)口芯片制造工具
- 路透社——據(jù)兩位知情人士周二透露，美國(guó)政府已批準(zhǔn)三星電子和SK海力士于2026年向其中國(guó)工廠引入芯片制造設(shè)備，進(jìn)行年度許可。此次批準(zhǔn)對(duì)韓國(guó)企業(yè)來(lái)說(shuō)是暫時(shí)的緩解措施，緊隨美國(guó)今年早些時(shí)候決定撤銷(xiāo)部分科技公司獲得的許可豁免。一位消息人士稱(chēng)，華盛頓引入了芯片制造工具出口到中國(guó)的年度審批制度。三星、SK海力士和臺(tái)積電都因華盛頓對(duì)芯片相關(guān)出口對(duì)中國(guó)的全面限制而獲得豁免。但所謂的“驗(yàn)證終端用戶(hù)身份”特權(quán)將于12月31日結(jié)束，這意味著在那之后，美國(guó)芯片制造工具運(yùn)往中國(guó)工廠時(shí)，將需要美國(guó)的出口許可證。三星和SK海力士拒絕
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HBM4價(jià)格漲幅超50%，三星緊追SK海力士
- 最近，SK海力士完成了與英偉達(dá)的HBM4供應(yīng)價(jià)格談判。根據(jù)雙方協(xié)議，HBM4的最終供應(yīng)價(jià)格定在每顆約560美元，較上一代HBM3E（約370美元）漲幅超過(guò)50%。不過(guò)，由于HBM4采用更復(fù)雜的堆疊技術(shù)（如混合鍵合技術(shù)），以實(shí)現(xiàn)更高的互連密度和更小的節(jié)距，因此SK海力士在臺(tái)積電生產(chǎn)的HBM4芯片總成本比上一代產(chǎn)品增加了30%。HBM4價(jià)格暴漲今年5月，集邦咨詢(xún)?cè)趫?bào)告中預(yù)測(cè)，HBM4溢價(jià)幅度將突破30%，但SK海力士與英偉達(dá)的這場(chǎng)談判超過(guò)了行業(yè)最初的預(yù)期。SK海力士向英偉達(dá)提出的HBM4報(bào)價(jià)為每顆540~5
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SK海力士探索高帶寬存儲(chǔ)堆疊 NAND 和 DRAM
- 在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開(kāi)發(fā)高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過(guò) NAND 增強(qiáng) HBM，用于 AI 推理工作負(fù)載。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，該公司正在探索更廣泛的內(nèi)存領(lǐng)域：高帶寬存儲(chǔ) （HBS）。正如 ETnews 報(bào)道的那樣，哈佛商學(xué)院將移動(dòng) DRAM 和 NAND 相結(jié)合，以提高智能手機(jī)、平板電腦和其他移動(dòng)設(shè)備的 AI 性能。報(bào)告援引消息人士解釋說(shuō)，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創(chuàng)建HBS，它可以堆疊多達(dá)16層
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英偉達(dá)深化與現(xiàn)代、三星、SK、Naver 的人工智能合作
- 英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛時(shí)隔 15 年再次到訪韓國(guó)參加2025年APEC峰會(huì)，期間公布多項(xiàng)新計(jì)劃，并深化與韓國(guó)主要科技企業(yè) —— 包括現(xiàn)代汽車(chē)、三星、SK 集團(tuán)及 Naver—— 的合作。峰會(huì)期間，英偉達(dá)與韓國(guó)政府宣布擴(kuò)大合作，旨在提升韓國(guó)的人工智能基礎(chǔ)設(shè)施及實(shí)體人工智能能力。此次合作公布前夕，美國(guó)剛與日本、韓國(guó)簽署技術(shù)合作協(xié)議，旨在深化戰(zhàn)略聯(lián)系，并加強(qiáng)在人工智能、半導(dǎo)體、量子計(jì)算、生物技術(shù)及 6G 等新興技術(shù)領(lǐng)域的協(xié)作。韓國(guó)政府于周五宣布，為滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的人工智能需求，韓國(guó)將采購(gòu)超過(guò) 26 萬(wàn)塊英偉達(dá)最新
- 關(guān)鍵字： AI 現(xiàn)代汽車(chē) Naver 英偉達(dá) 三星 SK海力士
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