AI算力競賽持續(xù)升級，高帶寬記憶體（HBM）正式邁入新一輪技術分水嶺。 隨AMD與三星半導體宣布擴大策略合作，鎖定HBM4與下一代AI存儲器解決方案開發(fā)，市場關注焦點已不再局限于DRAM堆疊本身，而是轉向「Base Die（邏輯基底芯片）」設計能力。 創(chuàng)意近期完成HMB4 PHY及控制IC之測試片（Testchips），可對標「首家內存廠HBM4樣品」; 半導體業(yè)界推測，隨著Base Die往先進制程推進，內存大廠將越發(fā)依賴ASIC業(yè)者奧援。

AMD與三星合作，核心在于下一代Instinct MI455X GPU導入HBM4，同步整合EPYC處理器與Helios機架級架構，從芯片到系統(tǒng)全面優(yōu)化AI運算效能。 三星強調，其HBM4采用第6代10納米級DRAM與4納米邏輯Base Die，并結合晶圓代工與先進封裝能力，提供一站式解決方案。

供應鏈消息透露，創(chuàng)意已完成臺積電3納米制程之HBM4 PHY及控制IC測試片，達到12Gbps超高速傳輸速度，并預計于4月22日臺積電技術論壇中展出; 此外，創(chuàng)意更著手準備HBM4E（16Gbps）PHY，采用臺積電SoIC-X face-to-face封裝平臺，并整合TSV（硅穿孔）技術。

業(yè)界研判，三星逐步擴大HBM供應版圖，并藉由Base Die自制能力強化差異化優(yōu)勢。 SK海力士，雖在HBM3與HBM3E市占領先，并與NVIDIA維持緊密合作，但在HBM4 Base Die邏輯設計與系統(tǒng)整合能力上相對保守。 市場預期，隨HBM4設計復雜度攀升，海力士恐需重新強化與ASIC業(yè)者合作關系。

法人分析，創(chuàng)意長期深耕先進制程ASIC設計，并與臺積電生態(tài)系緊密連結，在HBM Base Die開發(fā)具備優(yōu)勢; 若海力士為提升競爭力，回頭擁抱臺廠，將有助補齊邏輯設計與系統(tǒng)整合能力缺口。 此外，臺積電在SoIC與CoWoS先進封裝布局領先，亦將成為HBM4競局的重要支撐。