當(dāng)三星在HBM4時(shí)代彎道超車，重新獲得英偉達(dá)的青睞并可能承接最大份額訂單，低利潤的2D NAND就成為產(chǎn)能重構(gòu)下的棄子。 

2026 年 2 月末，三星電子宣布將關(guān)停其韓國華城工廠 12 號(hào)線的 2D NAND 閃存生產(chǎn) —— 這是三星最后一條 2D NAND 產(chǎn)線，此舉標(biāo)志著自 2002 年開啟的平面閃存量產(chǎn)時(shí)代正式落幕。這座月產(chǎn)能達(dá) 8 萬至 10 萬片 12 英寸晶圓的產(chǎn)線，將于 2026 年 3 月正式停工并改造為 1C DRAM 后道封測廠，聚焦 DRAM 布線等核心后道工序。這場產(chǎn)能調(diào)整并非臨時(shí)決策，而是三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)向高端化、AI 化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵落子，也成為全球存儲(chǔ)行業(yè)從傳統(tǒng)制程向先進(jìn)制程全面升級(jí)的標(biāo)志性事件，折射出存儲(chǔ)巨頭在 AI 時(shí)代的戰(zhàn)略重構(gòu)邏輯。 

三星的 2D NAND 業(yè)務(wù)曾書寫了行業(yè)傳奇。2002 年，三星率先實(shí)現(xiàn) 1Gb NAND 閃存的全球量產(chǎn)，一舉奠定其全球閃存市場的龍頭地位，也推動(dòng) 2D NAND 成為消費(fèi)電子存儲(chǔ)領(lǐng)域的主流技術(shù)，廣泛應(yīng)用于 U 盤、存儲(chǔ)卡、低端嵌入式設(shè)備等場景。2013 年，三星再次引領(lǐng)行業(yè)變革，成功量產(chǎn) 3D V-NAND 垂直閃存，開啟了 NAND 閃存向垂直堆疊方向轉(zhuǎn)型的新階段，彼時(shí) 2D NAND 的技術(shù)局限性已開始顯現(xiàn) —— 相較于 3D NAND，其存儲(chǔ)密度低、性能提升空間有限、單位成本高的短板，在消費(fèi)電子對(duì)大容量、高速率存儲(chǔ)需求持續(xù)提升的背景下愈發(fā)突出。

從 2013 年 3D NAND 量產(chǎn)到 2026 年 2D NAND 全面停產(chǎn)，13 年間 2D NAND 的市場需求持續(xù)萎縮。如今，2D NAND 僅存于少數(shù)低端存儲(chǔ)設(shè)備市場，需求微乎其微，且毛利率低迷、資產(chǎn)利用效率低下，對(duì)三星而言已無戰(zhàn)略保留價(jià)值。三星在 2025 年四季度的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中便明確表示，計(jì)劃將傳統(tǒng)制程產(chǎn)線升級(jí)為先進(jìn)制程產(chǎn)線，停止平面型 NAND 閃存生產(chǎn)是其中核心舉措，且早在去年便已將關(guān)停計(jì)劃告知相關(guān)客戶，為產(chǎn)能調(diào)整做好了充分鋪墊。

此次三星韓國本土 2D NAND 產(chǎn)能的退出，并非意味著其收縮 NAND 閃存業(yè)務(wù)，而是通過產(chǎn)能結(jié)構(gòu)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)高端化升級(jí)，中國西安工廠成為其 3D NAND 產(chǎn)能的核心承接者。目前，三星西安工廠的 NAND 閃存產(chǎn)量已占其全球總產(chǎn)量的約 40%，是三星布局 3D NAND 技術(shù)的核心基地。該廠正加速技術(shù)迭代，從 128 層的第六代 3D NAND 閃存，向 200 層及以上的第八代 V8 NAND 閃存工藝邁進(jìn)，同時(shí)計(jì)劃在 2026 年第二季度將西安 X2 產(chǎn)線改造為 280 層 V9 NAND 產(chǎn)線，月產(chǎn)能規(guī)劃達(dá) 4 萬至 5 萬片晶圓，全力量產(chǎn)下一代高端 3D NAND 產(chǎn)品。三星通過將 NAND 閃存產(chǎn)能向西安工廠集中，既彌補(bǔ)了韓國本土產(chǎn)能縮減的缺口，也實(shí)現(xiàn)了 3D NAND 技術(shù)的規(guī)模化、高端化布局，精準(zhǔn)契合 AI 服務(wù)器、高端消費(fèi)電子等領(lǐng)域?qū)Ω叽鎯?chǔ)密度、高性能 NAND 閃存的需求。

將華城 12 號(hào)線改造為 1C DRAM 后道封測廠，是三星錨定 AI 時(shí)代存儲(chǔ)需求的關(guān)鍵布局，背后是 1C DRAM 市場的爆發(fā)式增長與供應(yīng)瓶頸的雙重現(xiàn)實(shí)。作為最新一代 DRAM 技術(shù)，1C DRAM 是三星第四代高帶寬內(nèi)存 HBM4 的核心制造基底，其晶體管密度更高、能效比更優(yōu)，且能滿足 AI 大模型訓(xùn)練、推理以及數(shù)據(jù)中心建設(shè)對(duì)高帶寬、低延遲存儲(chǔ)的嚴(yán)苛要求，同時(shí)三星正將該技術(shù)的應(yīng)用從 HBM 拓展至通用服務(wù)器內(nèi)存領(lǐng)域。目前，1C DRAM 因 AI 產(chǎn)業(yè)的拉動(dòng)需求激增，全球范圍內(nèi)面臨顯著的供應(yīng)瓶頸，而三星華城基地原本已具備 DRAM 芯片生產(chǎn)能力，此次產(chǎn)線改造將與現(xiàn)有產(chǎn)線形成協(xié)同，大幅提升華城基地整體的 DRAM 生產(chǎn)效率，快速填補(bǔ) 1C DRAM 的產(chǎn)能缺口。

為強(qiáng)化 1C DRAM 的產(chǎn)能布局，三星正加大對(duì)華城、平澤兩大基地的投資力度，形成 “改造 + 新建” 的雙線布局。除華城 12 號(hào)線的改造外，原本規(guī)劃為 DRAM、NAND 閃存及晶圓代工于一體的平澤 P4 工廠，已全面轉(zhuǎn)向 DRAM 芯片生產(chǎn)，成為 1C DRAM 的核心生產(chǎn)基地；華城基地的其他老舊 DRAM 產(chǎn)線也在推進(jìn)向 1C DRAM 制程的升級(jí)。目前三星 1C DRAM 芯片的良率正快速趨于穩(wěn)定，高溫環(huán)境熱測試良率已達(dá) 80%，預(yù)計(jì) 2026 年 5 月將提升至 90% 的大規(guī)模量產(chǎn)關(guān)鍵指標(biāo)，基于 1C DRAM 打造的 HBM4 良率也已接近 60%，技術(shù)成熟度的提升為產(chǎn)能擴(kuò)張奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。按照三星的規(guī)劃，其 1C DRAM 月產(chǎn)能將從 2025 年末的 6 萬片提升至 2026 年底的 20 萬片，占整體 DRAM 總產(chǎn)量的三分之一。

依托 1C DRAM 技術(shù)，三星已在 2026 年 2 月初正式啟動(dòng) HBM4 的出貨工作。這款新一代高帶寬內(nèi)存不僅采用 1C DRAM 技術(shù)，基底芯粒還由三星 4 納米晶圓代工工藝打造，傳輸速率可達(dá) 11.7Gbps，遠(yuǎn)超 JEDEC 協(xié)會(huì)制定的 8Gbps 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，且后續(xù)可實(shí)現(xiàn) 13Gbps 的更高速率。憑借技術(shù)優(yōu)勢，三星已敲定與英偉達(dá)等核心客戶的 HBM4 供應(yīng)協(xié)議，預(yù)計(jì) 2026 年 HBM 相關(guān)業(yè)務(wù)營收將較去年實(shí)現(xiàn)三倍增長，成為三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的核心利潤增長點(diǎn)。

三星的產(chǎn)線調(diào)整并非孤例，而是全球存儲(chǔ)行業(yè)的集體戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向，其主要競爭對(duì)手海力士也在加速 1C DRAM 的投資與擴(kuò)產(chǎn)，一場圍繞 AI 存儲(chǔ)的行業(yè)競賽全面展開。海力士將 1C DRAM 月均晶圓產(chǎn)能目標(biāo)從 2025 年 4 月的 9 萬片，大幅提升至如今的 17 萬至 20 萬片，翻了近一倍；同時(shí)推進(jìn)利川市 M16 工廠的升級(jí)，計(jì)劃 2027 年完成 1a、1b DRAM 產(chǎn)線向 1C DRAM 的改造。此外，海力士在 2026 年 2 月 25 日宣布，將在 2030 年 12 月前向龍仁半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群首座工廠投資 21.6 萬億韓元（約合 150 億美元），該工廠總投資規(guī)模將增至 31 萬億韓元（約合 215 億美元），布局重心直指下一代 DRAM 存儲(chǔ)芯片與先進(jìn) NAND 閃存技術(shù)。三星與海力士的密集動(dòng)作，印證了 1C DRAM 與高端 3D NAND 已成為存儲(chǔ)行業(yè)的核心發(fā)展方向，行業(yè)競爭的焦點(diǎn)從傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 AI 時(shí)代的高端存儲(chǔ)技術(shù)。

三星終結(jié) 2D NAND 生產(chǎn)、全面布局 1C DRAM 與高端 3D NAND 的戰(zhàn)略，背后是存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展邏輯的根本轉(zhuǎn)變，標(biāo)志著全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正式進(jìn)入 “3D 堆疊 + 先進(jìn)制程” 的 AI 時(shí)代。過去，存儲(chǔ)廠商的戰(zhàn)略更多圍繞消費(fèi)電子、PC 等傳統(tǒng)市場的需求波動(dòng)展開，而如今，AI 成為存儲(chǔ)行業(yè)的核心增長引擎，數(shù)據(jù)中心即將超越移動(dòng)市場成為 NAND 閃存的第一大消費(fèi)端，HBM 與先進(jìn) DRAM 則成為行業(yè)增長的核心驅(qū)動(dòng)力。在此背景下，存儲(chǔ)廠商不再是單純應(yīng)對(duì)市場需求波動(dòng)，而是為人工智能加速、高性能計(jì)算及高功耗數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載主導(dǎo)的時(shí)代重新定位自身，淘汰低毛利、低需求的傳統(tǒng)產(chǎn)品，為高增長、高毛利的高端存儲(chǔ)產(chǎn)品騰出資源，成為行業(yè)共識(shí)。

對(duì)三星而言，這場戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型是 “利潤優(yōu)先” 取代 “規(guī)模優(yōu)先” 的關(guān)鍵調(diào)整。2D NAND 屬于低毛利業(yè)務(wù)，長期處于薄利甚至微利狀態(tài)，而 1C DRAM 與 HBM4 作為 AI 時(shí)代的核心產(chǎn)品，毛利率顯著高于傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)品，且需求呈爆發(fā)式增長。通過關(guān)停低效的 2D NAND 產(chǎn)線，三星盤活了現(xiàn)有潔凈室、生產(chǎn)設(shè)備等存量資源，相比新建產(chǎn)線，改造舊產(chǎn)線成本更低、周期更短，能夠快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能落地。同時(shí)，將研發(fā)、產(chǎn)能資源集中于 1C DRAM 與高端 3D NAND，也讓三星能夠更好地應(yīng)對(duì)行業(yè)競爭，其目前在 DRAM 市場以 33.7% 的份額位居第二，落后于海力士的 36%，而 1C DRAM 的提前布局，成為三星重奪 DRAM 市場領(lǐng)導(dǎo)地位的關(guān)鍵抓手。

從行業(yè)影響來看，三星退出 2D NAND 市場將加速全球 2D NAND 產(chǎn)能的全面出清，推動(dòng)行業(yè)徹底告別平面閃存時(shí)代，全面進(jìn)入 3D NAND 與先進(jìn) DRAM 主導(dǎo)的新階段。對(duì)于全球存儲(chǔ)市場而言，三星 1C DRAM 產(chǎn)能的擴(kuò)張將緩解先進(jìn)內(nèi)存的供應(yīng)緊張局面，但也將進(jìn)一步加劇高端存儲(chǔ)領(lǐng)域的行業(yè)競爭，美光等其他存儲(chǔ)巨頭也已開始布局相關(guān)技術(shù)，行業(yè)技術(shù)迭代速度將持續(xù)加快。而對(duì)于國內(nèi)存儲(chǔ)廠商而言，這一調(diào)整帶來了結(jié)構(gòu)性機(jī)遇，三星、美光等海外廠商退出 2D NAND 市場后，國內(nèi)廠商可承接相關(guān)市場份額，同時(shí)在利基 DRAM 領(lǐng)域，三星產(chǎn)能向高端傾斜也為國內(nèi)廠商帶來了國產(chǎn)替代的空間。

三星 24 年的 2D NAND 時(shí)代落幕，不僅是一家企業(yè)的戰(zhàn)略選擇，更是全球存儲(chǔ)行業(yè)轉(zhuǎn)型的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。這場轉(zhuǎn)型印證了技術(shù)迭代的必然趨勢，也彰顯了存儲(chǔ)巨頭與行業(yè)發(fā)展方向同頻的戰(zhàn)略智慧。在 AI 時(shí)代，先進(jìn)制程 DRAM 與高堆疊層數(shù) NAND 閃存技術(shù)，已不再是存儲(chǔ)行業(yè)的可選方向，而是發(fā)展的根本所在。未來，圍繞高端存儲(chǔ)技術(shù)的產(chǎn)能競爭、技術(shù)競爭將成為行業(yè)主旋律，而率先實(shí)現(xiàn)技術(shù)成熟與產(chǎn)能規(guī)?；钠髽I(yè)，將在 AI 存儲(chǔ)的超級(jí)周期中占據(jù)核心優(yōu)勢。