電機驅(qū)動芯片 - SS6810R是一個有兩個h橋驅(qū)動器的雙橋電機驅(qū)動器。該設(shè)備的額定電源電壓為42V。輸入接口采用palaa-in驅(qū)動模式。電流衰減的間隔，快速衰減/慢衰減比可以以適當?shù)姆绞竭M行控制。此外，電源可以由一個單一的系統(tǒng)驅(qū)動，這簡化了設(shè)計。

SS6810R使用了eTSSOP20 173mil封裝，背面有一個暴露的熱墊，符合Rohs標準，引線框架100%無鉛。

通過電機繞組的電流由一個固定的PWM周期來調(diào)節(jié)，PWM周期由連接到CR引腳的電阻和電容器決定。當H橋通電時，電機的電流上升和電流上升速率由直流電壓和電感繞組共同決定。一旦電流達到設(shè)定的斬波器閾值，關(guān)閉h橋，以防止電流進一步上升，直到下一個PWM循環(huán)開始。

為了避免在輸出僅打開時可能出現(xiàn)RNFx峰值而產(chǎn)生的錯誤檢測，在芯片內(nèi)部設(shè)置了一個自動電流檢測屏蔽周期（tONMIN），這意味著在此期間沒有檢測到RNFx上的電壓。該函數(shù)不需要任何外部設(shè)置，并且該噪聲屏蔽周期也定義了h-橋MOS的較小開啟時間。

連接到CR引腳的CR濾波器在VCRH和VCRL水平之間反復充放電。為了消除噪聲干擾，在CR從VCRL到VCRH充電期間屏蔽（即上面提到的噪聲屏蔽周期tONMIN）。一旦電壓達到VCRH，CR端子就開始放電。當輸出電流達到設(shè)定的電流閾值（即RNF電壓達到衰減觸發(fā)電壓）時，芯片進入衰減模式。在此期間，CR繼續(xù)放電，直到達到VCRL，CR引腳開始充電，芯片重新進入充電模式。CR充電時間（tONMIN）和放電時間（t放電）由外部組件根據(jù)以下公式設(shè)置。噸和t放電組合產(chǎn)生斬波循環(huán)tCHOP。

電機驅(qū)動芯片 - SS6810R的框架圖：

馬達驅(qū)動芯片 - SS6810R的特性：

額定輸出電流（DC）1.0A

額定電源：10V-40V

低RDS（開）

PARA-IN駕駛模式

PWM恒流

2位電流控制，提供了四個電流步驟

電流衰減模式可以任意設(shè)置為快速和慢衰減

內(nèi)置邏輯輸入下拉電阻器

熱停機電路（TSD）

過流保護和電流短路保護（OCP）

欠壓鎖閉電路（UVLO）

過壓鎖定電路（OVLO）

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