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DC12V供電端口差共模4KV浪涌防護(hù)方案-優(yōu)恩半導(dǎo)體

發(fā)布人:優(yōu)恩半導(dǎo)體 時(shí)間:2026-04-23 來源:工程師 發(fā)布文章

帶極性反接保護(hù)-差共模4KV浪涌防護(hù)方案

帶極性反接保護(hù)-差共模4KV浪涌防護(hù)方案

1、通過在電路上并接電壓精度高、響應(yīng)速度快、鉗位電壓低的TVS器件對(duì)后端電路進(jìn)行精準(zhǔn)保護(hù);
2、在TVS管保護(hù)后級(jí)串接PMOS管或者低壓降的肖特基二極管做極性反接保護(hù),低內(nèi)阻的MOS管可以有效降低功率損耗,減少發(fā)熱量;
3、靠近芯片端并聯(lián)一顆低VF的肖特基二極管,有利于負(fù)壓浪涌防護(hù)與模擬雷擊浪涌測試;
4、共模防護(hù)部分通過GND對(duì)PE并接陶瓷氣體放電管,提供浪涌泄放路徑;
5、產(chǎn)品若涉及到絕緣耐壓測試,可以通過提高GND對(duì)PE并接的陶瓷氣體放電管的電壓實(shí)現(xiàn);
6、通過選擇不同功率大小的TVS管,可以滿足不同等級(jí)的測試需求。

兩級(jí)帶過流保護(hù)-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

兩級(jí)帶過流保護(hù)-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

1、方案采用多級(jí)保護(hù)的方式,擁有更高的浪涌防護(hù)能力、更低的鉗位電壓、更好的防護(hù)效果,同時(shí)具有更強(qiáng)的設(shè)計(jì)兼容性;
2、初級(jí)通過在電源正負(fù)之間并接3PIN的陶瓷氣體放電管,中間PIN腳接大地PE,做差共模保護(hù);
3、過陶瓷管后串接自恢復(fù)保險(xiǎn)絲做后端負(fù)載過流、短路及TVS管失效異常保護(hù);
4、通過在中間級(jí)串接一定感量的差模電感做退耦,使前端大通流,高電壓的GDT能夠快速響應(yīng);
5、次級(jí)通過在電路上并接電壓精度高、響應(yīng)速度快、鉗位電壓低的TVS器件對(duì)后端電路進(jìn)行精準(zhǔn)保護(hù);
6、通過選擇不同的保護(hù)器件,可以滿足不同等級(jí)的測試保護(hù)需求。

防雷模塊型-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

防雷模塊型-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

1、通過在電源輸入端口并接浪涌保護(hù)模塊對(duì)后端電路進(jìn)行保護(hù);
2、能夠解決多級(jí)防護(hù)電路中額定工作電流較大的情況下,中間退耦的選擇麻煩的問題;
3、小尺寸、大通流、差共模保護(hù)一體化設(shè)計(jì),使其擁有卓越防護(hù)效果的同時(shí),能最大程度縮減PCB板的占用空間;
4、簡易的設(shè)計(jì),降低了用戶的使用門檻。

兩級(jí)帶EMI抑制-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

兩級(jí)帶EMI抑制-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

1、方案采用多級(jí)保護(hù)的方式,擁有更高的浪涌防護(hù)能力、更低的鉗位電壓、更好的防護(hù)效果,同時(shí)具有更強(qiáng)的設(shè)計(jì)兼容性;
2、初級(jí)防護(hù)通過在電源正負(fù)之間并接壓敏串放電管做差模保護(hù),陶瓷放電管的高阻抗,能有效降低并聯(lián)支路的漏電流,提升方案的可靠性;
3、通過共模電感、X電容、Y電容組成的EMI濾波器能有效抑制EMI干擾;
4、通過在中間級(jí)串接一定感量的差模電感做退耦,使前端大通流,高電壓的MOV和GDT能夠快速響應(yīng);
5、次級(jí)通過在電路上并接電壓精度高、響應(yīng)速度快、鉗位電壓低的TVS器件對(duì)后端電路進(jìn)行精準(zhǔn)保護(hù);
6、靠近芯片端并聯(lián)一顆低VF的肖特基二極管,有利于負(fù)壓浪涌防護(hù)與模擬雷擊浪涌測試,此肖特基選型時(shí)需要注意IPP;
7、共模防護(hù)部分通過GND對(duì)PE并接陶瓷氣體放電管,提供浪涌泄放路徑;
8、產(chǎn)品若涉及到絕緣耐壓測試,可以通過提高GND對(duì)PE并接的陶瓷氣體放電管的電壓實(shí)現(xiàn);
9、通過選擇不同的保護(hù)器件,可以滿足不同等級(jí)的測試保護(hù)需求。

以上方案符合標(biāo)準(zhǔn)要求:

IEC 61000-4-2、EN 61000-4-2、GB/T 17626.2、IEC 61000-4-5、EN 61000-4-5、GB/T 17626.5


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