當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月17日，美國(guó)商務(wù)部宣布與全球第三大半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商環(huán)球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。

環(huán)球晶圓承諾在美國(guó)投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設(shè)兩座12英寸晶圓制造工廠。美國(guó)政府將向環(huán)球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補(bǔ)助，以加強(qiáng)半導(dǎo)體元件供應(yīng)鏈。

據(jù)悉，環(huán)球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進(jìn)芯片的300mm硅晶圓制造廠，在密蘇里州圣彼得斯建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠。環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭表示：德州新廠第一階段投資額約22億美元，與第二階段將相連的部分也預(yù)先施作，密蘇里新廠的第一階段投資額不到4億美元。而至多4億美元的補(bǔ)貼資金，超過(guò)九成將投向德州新廠。

此外，作為PMT的一部分，環(huán)球晶圓計(jì)劃將其位于德克薩斯州謝爾曼的現(xiàn)有硅外延晶圓制造工廠的一部分轉(zhuǎn)換為碳化硅（“SiC”）外延晶圓制造，生產(chǎn)150mm和200mm SiC外延晶圓。