據(jù)報道，英偉達正在為其 2027 年的生產(chǎn)開發(fā)自己的 HBM 基板，內(nèi)存巨頭的基板制造從 DRAM 轉(zhuǎn)移到晶圓廠工藝的焦點。據(jù)韓國的 Digital Daily 報道，美光可能采取了最謹慎的做法，由于成本問題，將推遲到 HBM4e 才轉(zhuǎn)移到晶圓廠。

報道解釋說，直到 HBM3e，基板都是使用 DRAM 工藝制造的，因為 DRAM 制造商自己設計了邏輯，并在自己的 DRAM 線上生產(chǎn)。然而，平面 DRAM 工藝在速度、信號完整性和能效方面落后于晶圓廠的 FinFET 技術(shù)，促使內(nèi)存制造商進行轉(zhuǎn)換，正如 Digital Daily 所述。

因此，Digital Daily 注意到三星和 SK 海力士正將基板晶圓生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到代工廠工藝，從 HBM4 開始，以應對高性能計算中的散熱、信號延遲和電源效率問題。相比之下，美光計劃繼續(xù)通過 DRAM 工藝生產(chǎn)基板晶圓至 HBM4，僅在 HBM4e 時才轉(zhuǎn)向臺積電代工廠，報道補充道。

雖然這一轉(zhuǎn)變可能反映了美光的短期效率關(guān)注和成本節(jié)約，但 Digital Daily 警告說，隨著轉(zhuǎn)向代工廠工藝成為必然，該公司面臨落后的風險。

報道中引用的分析師指出，三星和 SK 海力士正在積極采用代工廠工藝，因為來自 NVIDIA 和 AMD 等關(guān)鍵 GPU 客戶的需求已經(jīng)超出了傳統(tǒng) DRAM 工藝的性能。美光的立場最終可能會削弱其在競爭性能驅(qū)動型客戶（如 NVIDIA）時的地位，報道指出。

代工廠轉(zhuǎn)變給基板晶圓生產(chǎn)成本帶來壓力

另一方面，《商業(yè)郵報》關(guān)注到 SK 海力士和美光將不得不依賴臺積電的高端晶圓代工服務來生產(chǎn)基板。先進節(jié)點的成本高昂可能會將他們的 HBM 價格推高到三星之上，而三星則有望從其內(nèi)部生產(chǎn)能力中獲益潛在的成本優(yōu)勢。

根據(jù)《商業(yè)郵報》援引行業(yè)消息人士稱，臺積電生產(chǎn)的邏輯芯片可能占 SK 海力士總 HBM4 生產(chǎn)成本的 20%。