在AI芯片引爆先進封裝CoWoS需求之際，市場盛傳，第三類半導(dǎo)體碳化硅（SiC）正準(zhǔn)備闖入這個高附加價值的市場。

這場技術(shù)革新，預(yù)計將由「非大陸供應(yīng)鏈」率先發(fā)展，但最終卻可能為全球SiC產(chǎn)業(yè)，特別是包括中國大陸，帶來新的成長動能。 從9月的SEMICON Taiwan 2025到近期韓國的ICSCRM，12吋SiC在先進封裝的應(yīng)用，成為產(chǎn)業(yè)熱議的焦點。

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者指出，12寸SiC基板打入CoWoS封裝，主要由NVIDIA與臺積電主導(dǎo)設(shè)計與運作。 考慮到地緣政治等因素，這項應(yīng)用將會從非大陸供應(yīng)鏈萌芽、茁壯。

中國臺灣供應(yīng)鏈有機會成為這場材料革命的先鋒部隊。 盡管中國臺灣在6吋、8寸SiC基板領(lǐng)域的表現(xiàn)，難以追上中國大陸，但憑藉在技術(shù)、制程良率與成本掌控上的卓越，中國臺灣此次有機會「彎道超車」12吋SiC應(yīng)用，在先進封裝領(lǐng)域中搶得先機，甚至主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

同步，其他非大陸供應(yīng)鏈也對此寄予厚望，因為12吋SiC單晶長晶難度高，這將促使中國臺灣與國際廠商在設(shè)備、關(guān)鍵材料上進行更廣泛的合作，進而將此應(yīng)用延伸至不同領(lǐng)域。

對非紅供應(yīng)鏈而言，這場變革帶來了新的曙光。 不僅可成為SiC的全新應(yīng)用領(lǐng)域，更打入了高獲利的半導(dǎo)體先進制程與封裝領(lǐng)域，成功避開了當(dāng)前全球6吋SiC基板的價格肉搏戰(zhàn)，扭轉(zhuǎn)中國強勢主導(dǎo)的局面。

業(yè)者進一步透露，事實上，中國SiC供應(yīng)鏈更樂見此新應(yīng)用的發(fā)展。

因為由NVIDIA、臺積電帶頭打造的商機，一旦成形，其規(guī)格、性能與功效都將成為產(chǎn)業(yè)定局。 這形同為中國SiC跨足該領(lǐng)域先行鋪路，省掉前期摸索的成本。

就算非紅供應(yīng)鏈打前鋒，中國仍能憑借其自給自足的政策與龐大內(nèi)需，快速將12吋SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)揚光大。 這與過往許多產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展模式相似，先由領(lǐng)先者定義標(biāo)準(zhǔn)，后由中國迅速跟進并實現(xiàn)規(guī)?；?。

熟悉半導(dǎo)體業(yè)界人士表示，此次ICSCRM在韓國舉行，吸引全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的菁英匯聚。 2026年與2027年的活動，將分別在日本橫濱與英國倫敦舉行，而2028年原考慮在中國臺灣舉辦，表示前來與會的國際菁英，可以順路拜訪「中國臺灣供應(yīng)鏈」，這個12吋SiC應(yīng)用于先進封裝的實戰(zhàn)區(qū)域。

然而業(yè)者也坦言，由于臺灣缺乏適合大型的場地，最后決定改在法國舉行，著實令人扼腕。

由于應(yīng)用領(lǐng)域不同，目前6寸SiC基板、透過晶圓制造，主要供應(yīng)功率半導(dǎo)體所需，其最大出?？谝噪妱榆嚕‥V）、太陽能為主。 基板價格近兩年快速下殺至生產(chǎn)成本線以下，主要來自于中國產(chǎn)能大開，導(dǎo)致快速陷入供過于求而內(nèi)卷。 更有甚者，兩大出?？?，也由中國主導(dǎo)，形成全產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)都內(nèi)卷的問題，當(dāng)然也傳導(dǎo)至全球相關(guān)供應(yīng)鏈。

中國6吋SiC已步入淘汰賽，即使如此，有實力且口袋具深度者，仍持續(xù)朝8吋升級，因此，市場預(yù)估其競爭激烈度不會因尺寸升級而減緩。