全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司通過(guò)增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專為滿足高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，涵蓋了AI服務(wù)器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、固態(tài)斷路器等領(lǐng)域。這款新產(chǎn)品可為這些關(guān)鍵系統(tǒng)提供所需的可靠性與性能。

與傳統(tǒng)的250V和300V電壓等級(jí)的硅（Si）技術(shù)相比，CoolSiC? G2 400V和440V MOSFET在120°C工作溫度下的導(dǎo)通損耗可降低多達(dá)50%，這歸功于其導(dǎo)通電阻R(DS(on)隨結(jié)溫（Tj）變化的平穩(wěn)表現(xiàn)。此外，其開(kāi)關(guān)性能指標(biāo)顯著提升，反向恢復(fù)電荷相比傳統(tǒng)技術(shù)減少了至少五倍。在系統(tǒng)層面，CoolSiC? G2 400V和440V MOSFET在用于三電平飛跨電容CCM圖騰柱PFC ，相較于交錯(cuò)式兩電平CCM圖騰柱PFC電路，峰值電源效率提升最高可達(dá)0.4%，相當(dāng)于峰值效率下系統(tǒng)損耗減少約15%。

CoolSiC? MOSFET 400 V G2產(chǎn)品組合專為滿足高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，適用于包括AI服務(wù)器電源在內(nèi)的多種場(chǎng)景

供貨情況

CoolSiC? MOSFET 400V和440V G2產(chǎn)品組合現(xiàn)已上市。