英飛凌科技推出了業(yè)內(nèi)首款基于 TLVR 架構(gòu)、電流密度超過 2A/mm2 的四相電源模塊，精準(zhǔn)面向下一代 AI 計(jì)算平臺(tái)。該公司表示，全新 TDM24745T OptiMOS 模塊將多個(gè)功率元器件集成在緊湊尺寸內(nèi)，以應(yīng)對(duì) AI 數(shù)據(jù)中心日益增長的功率密度需求。

此次發(fā)布凸顯了 AI 基礎(chǔ)設(shè)施中的一個(gè)關(guān)鍵瓶頸 —— 高效供電，并揭示了半導(dǎo)體廠商如何在系統(tǒng)層面解決規(guī)模化擴(kuò)展難題。

提升電流密度，適配 AI 負(fù)載

根據(jù)官方發(fā)布信息，TDM24745T 在 9×10×5mm3 的封裝內(nèi)集成了四個(gè)功率級(jí)、一個(gè)互感電感電壓調(diào)節(jié)器（TLVR）電感以及去耦電容。這種高度集成設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了超過 2A/mm2 的電流密度，同時(shí)支持橫向與縱向供電架構(gòu)。

英飛凌功率集成電路與連接事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Athar Zaidi 在發(fā)布稿中表示：“隨著 AI 負(fù)載以前所未有的速度擴(kuò)展，對(duì)高效、極致緊湊供電方案的需求愈發(fā)迫切。借助 TDM24745T，我們重新定義了大電流穩(wěn)壓的性能邊界。將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的電流密度與 TLVR 技術(shù)結(jié)合，并封裝在極小尺寸內(nèi)，我們幫助客戶釋放更多計(jì)算性能、降低能耗，并加速下一代 AI 數(shù)據(jù)中心的部署?！?/p>

該模塊峰值電流能力最高可達(dá) 320A，適用于大電流多處理器平臺(tái)與先進(jìn) AI 加速器。

TLVR 架構(gòu)提升效率，優(yōu)化布局

英飛凌表示，TLVR 架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)更快的瞬態(tài)響應(yīng)，同時(shí)將所需輸出電容減少多達(dá) 50%，簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。這一縮減可直接節(jié)省 PCB 空間，讓設(shè)計(jì)人員能分配更多區(qū)域用于計(jì)算資源。

公司還強(qiáng)調(diào)，通過采用 OptiMOS?6 MOSFET 技術(shù)、芯片嵌入式集成方案以及專用磁件，產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了更優(yōu)的散熱與效率表現(xiàn)。搭配英飛凌數(shù)字多相控制器，該模塊支持可擴(kuò)展、靈活的電源架構(gòu)，適配快速演進(jìn)的 AI 負(fù)載。英飛凌指出，TDM24745T 已融入其完整的 AI 電源生態(tài)，覆蓋從電網(wǎng)到核心的供電鏈路，并結(jié)合硅、碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）技術(shù)，優(yōu)化數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)健性。

對(duì) AI 數(shù)據(jù)中心的系統(tǒng)級(jí)價(jià)值

隨著 AI 基礎(chǔ)設(shè)施持續(xù)規(guī)?；?，供電正成為決定性約束條件。英飛凌稱，通過將多種功能集成在緊湊模塊中并提升瞬態(tài)響應(yīng)，旨在降低系統(tǒng)復(fù)雜度，同時(shí)優(yōu)化總體擁有成本（TCO）。對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而言，更高的電流密度、更少的無源器件需求以及更優(yōu)的效率，有助于加快部署進(jìn)度，并實(shí)現(xiàn)更高密度的計(jì)算架構(gòu)。