英飛凌科技推出業(yè)界首款基于TLVR的四相電源模塊，電流密度突破2A/mm2，面向下一代 AI 計(jì)算平臺(tái)。這款全新TDM24745T OptiMOS模塊將多個(gè)電源組件高度集成于緊湊尺寸，精準(zhǔn)滿足 AI 數(shù)據(jù)中心日益提升的功率密度需求。

這一發(fā)布直指 AI 基礎(chǔ)設(shè)施的核心瓶頸 ——高效供電，也揭示了半導(dǎo)體廠商如何從系統(tǒng)層面解決規(guī)?；魬?zhàn)。

為 AI 負(fù)載提升電流密度

該模塊在9×10×5mm封裝內(nèi)集成 4 個(gè)功率級(jí)、1 個(gè)跨電感電壓調(diào)節(jié)器（TLVR）電感與去耦電容。高度集成設(shè)計(jì)使其電流密度超2A/mm2，同時(shí)支持橫向與縱向供電架構(gòu)。

英飛凌電源 IC 與連接事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Athar Zaidi表示：“AI 負(fù)載正以前所未有的速度擴(kuò)張，對(duì)高效、極致緊湊供電方案的需求達(dá)到空前高度。TDM24745T 重新定義了大電流穩(wěn)壓的可能性。我們將業(yè)界領(lǐng)先的電流密度與 TLVR 技術(shù)融入極小尺寸，幫助客戶釋放更多算力、降低能耗，并加速下一代 AI 數(shù)據(jù)中心落地?！?/p>

該模塊峰值電流可達(dá)320A，適用于大電流多處理器平臺(tái)與高端 AI 加速器。

TLVR 架構(gòu)提升效率與布局靈活性

英飛凌表示，TLVR 架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)更快瞬態(tài)響應(yīng)，輸出電容需求最多降低50%，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。電容減少可直接節(jié)省 PCB 空間，讓設(shè)計(jì)師分配更多區(qū)域給計(jì)算資源。

借助OptiMOS?6 MOSFET、芯片嵌入式集成與專屬磁芯技術(shù)，模塊在散熱與效率上進(jìn)一步優(yōu)化。搭配英飛凌數(shù)字多相控制器，可支持靈活可擴(kuò)展的電源架構(gòu)，適配快速迭代的 AI 負(fù)載。TDM24745T 屬于英飛凌完整 AI 電源生態(tài)，覆蓋從電網(wǎng)到核心的全鏈路供電，結(jié)合硅、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）技術(shù)，優(yōu)化數(shù)據(jù)中心效率與穩(wěn)定性。

對(duì) AI 數(shù)據(jù)中心的系統(tǒng)級(jí)價(jià)值

隨著 AI 基礎(chǔ)設(shè)施持續(xù)擴(kuò)容，供電已成為關(guān)鍵制約因素。英飛凌通過(guò)多功能高度集成與瞬態(tài)響應(yīng)優(yōu)化，旨在降低系統(tǒng)復(fù)雜度并改善總體擁有成本（TCO）。對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)師來(lái)說(shuō)，更高電流密度、更少無(wú)源器件需求與更高效率，有助于加快部署進(jìn)度，打造更高密度的算力架構(gòu)。