安森美文章最新資訊

邁向SDV時代：安森美以10BASE-T1S方案加速車載網(wǎng)絡(luò)統(tǒng)一進程

隨著軟件定義汽車（SDV）架構(gòu)向區(qū)域控制演進，車載網(wǎng)絡(luò)正經(jīng)歷著深刻的變革。在傳統(tǒng)架構(gòu)中，車輛需搭載近百個獨立的電子控制單元（ECU），導(dǎo)致復(fù)雜的線束既沉重又難以部署。區(qū)域控制架構(gòu)通過功能聚類將ECU數(shù)量大幅縮減，并利用中央?yún)^(qū)域控制器高效協(xié)調(diào)激光雷達與先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等高帶寬需求。為了在物理受限的車載環(huán)境中實現(xiàn)協(xié)議統(tǒng)一并降低系統(tǒng)復(fù)雜度，10BASE-T1S技術(shù)應(yīng)運而生。10BASE-T1S 節(jié)點可通過單對雙絞線以多點總線形式實現(xiàn)共享通信，既無需部署以太網(wǎng)交換機，也可徹底省去大體積的以太網(wǎng)/CA
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安森美與蔚來擴大戰(zhàn)略合作，加速向下一代900V電動汽車平臺演進

摘要：安森美（onsemi）進一步深化與蔚來（NIO）的長期戰(zhàn)略合作，助力蔚來加速向下一代900V高壓電動汽車平臺轉(zhuǎn)型。雙方的合作基于安森美EliteSiC技術(shù)，以提升蔚來最新電動汽車系列的能效、性能與可擴展性，其中部分車型于2026年北京國際車展首次亮相。新聞要點· EliteSiC技術(shù)已應(yīng)用于蔚來900V高壓平臺車型，包括旗艦車型· 雙方在多年合作
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10BASE-T1S：破解車載網(wǎng)絡(luò)瓶頸，重構(gòu)軟件定義汽車通信底座

隨著軟件定義汽車加速落地,高效、精簡、適配車載場景的通信技術(shù)成為行業(yè)核心訴求。10BASE-T1S 作為專為車載與工業(yè)場景打造的以太網(wǎng)技術(shù),為破解車載網(wǎng)絡(luò)瓶頸統(tǒng)一提供了關(guān)鍵方案。本系列將分兩篇為您深度拆解安森美(onsemi)最新的 10BASE-T1S 技術(shù)白皮書。本文為第一篇,將聚焦架構(gòu)演進與 10BASE-T1S 的核心價值。區(qū)域控制架構(gòu)如今的汽車均需搭載精密復(fù)雜的電子通信網(wǎng)絡(luò)。與辦公場景中網(wǎng)線可隱匿于地毯之下、接口線纜便于手持布設(shè)不同,車載網(wǎng)絡(luò) (IVN) 的部署會受到更多物理
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碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場景的應(yīng)用價值。我們已經(jīng)介紹了碳化硅如何革新電源設(shè)計、工業(yè)與服務(wù)器電源。三種替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的動態(tài)特性、SiC Combo JFET的應(yīng)用靈活性。本文將介紹利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET以及開關(guān)電源應(yīng)用。1、利用 SiC CJFET替代
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高精度+消除運動偽影！安森美Hyperlux? ID解鎖機器視覺應(yīng)用新可能

深度感知是現(xiàn)實機器視覺應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵功能。安森美 (onsemi)?的Hyperlux? ID 間接飛行時間 (iToF) 深度傳感器，憑借更少、更小、更簡單的器件，即可實現(xiàn)高精度深度感知。本系列文章將深度拆解安森美Hyperlux ID 技術(shù)及應(yīng)用。第一篇推文介紹了機器視覺基礎(chǔ)知識第二篇文章介紹了 iToF 技術(shù)強光環(huán)境下的高精度深度感知環(huán)境光過強會導(dǎo)致像素接收的深度信號飽和甚至完全失效，這是 iToF 深度傳感技術(shù)的一大痛點。當(dāng)傳感器前方的場景處于強光照射下時（例如工業(yè)裝配車間環(huán)境）
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功率密度升至2.4kW/L：拆解11kW矩陣式OBC的實現(xiàn)路徑

隨著全球電動汽車市場對充電效率與架構(gòu)靈活性的要求不斷提升，OBC技術(shù)正迎來從繁至簡的變革。為了深度拆解這一前沿趨勢，我們將通過兩篇系列文章介紹11 kW矩陣式OBC創(chuàng)新方案。第一篇講解了系統(tǒng)級架構(gòu)創(chuàng)新的趨勢。本文將聚焦安森美（onsemi）11kW 矩陣式 OBC 核心技術(shù)詳解與器件應(yīng)用解析。11kW矩陣式車載充電機－硬件設(shè)計師訪談Daniel Goldmann安森美電源解決方案事業(yè)部首席應(yīng)用工程師Daniel Goldmann擁有電氣工程與信息技術(shù)專業(yè)的工學(xué)學(xué)士（B.Eng.）和理學(xué)碩士（M.Sc.）學(xué)
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從原理到應(yīng)用，深度解碼Hyperlux? ID iToF 技術(shù)

深度感知是現(xiàn)實機器視覺應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵功能。安森美 (onsemi)?的Hyperlux? ID 間接飛行時間 (iToF) 深度傳感器，憑借更少、更小、更簡單的器件，即可實現(xiàn)高精度深度感知。本系列文章將深度拆解安森美Hyperlux ID 技術(shù)及應(yīng)用。第一篇推文我們介紹了機器視覺基礎(chǔ)知識本文將深入講解iToF 技術(shù)。?激光雷達和直接飛行時間圖 1. 激光雷達傳感技術(shù)演示畫面。在右側(cè)“20 m”標(biāo)注的左側(cè)位置，可觀測到一名行人產(chǎn)生的橙色反射信號。當(dāng)行人向標(biāo)有“40”的測距標(biāo)識移動時
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碳化硅賦能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案

碳化硅（SiC）憑借其優(yōu)異的材料特性，在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計邏輯出發(fā)，剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場景的應(yīng)用價值。我們已經(jīng)介紹了碳化硅如何革新電源設(shè)計、工業(yè)與服務(wù)器電源。三種替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。本文為第三篇，將介紹SiC Cascode JFET的動態(tài)特性、SiC Combo JFET的應(yīng)用靈活性。SiC CJFET: 性價比優(yōu)勢對于當(dāng)前市場上任意給定的半導(dǎo)體封裝，CJFET 始終能
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告別復(fù)雜架構(gòu)，11kW矩陣式OBC如何實現(xiàn)系統(tǒng)級成本與空間等多重突破？

隨著全球電動汽車市場對充電效率與架構(gòu)靈活性的要求不斷提升，OBC技術(shù)正迎來從繁至簡的變革。為了深度拆解這一前沿趨勢，我們將通過兩篇系列文章介紹11 kW矩陣式OBC創(chuàng)新方案。本文為第一篇，將重點聚焦系統(tǒng)級架構(gòu)創(chuàng)新的趨勢。矩陣式架構(gòu)，化繁為簡安森美（onsemi）11 kW車載充電機（OBC）演示設(shè)計采用矩陣式轉(zhuǎn)換器功率拓撲，專為電動汽車車載充電應(yīng)用開發(fā)，并輔以一項專有的高級控制算法。矩陣轉(zhuǎn)換器需要精密的控制策略與高速運算能力，這得益于現(xiàn)代微控制器和現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的支撐得以實現(xiàn)。安森美的這一創(chuàng)
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機器視覺大變局，從“掃描”到“洞察”

深度感知是現(xiàn)實機器視覺應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵功能。安森美 (onsemi)?的 Hyperlux??ID 間接飛行時間 (iToF) 深度傳感器，憑借更少、更小、更簡單的器件，即可實現(xiàn)高精度深度感知。我們將通過一系列文章介紹機器視覺應(yīng)用痛點以及Hyperlux?ID，本文為第一篇，將介紹機器視覺應(yīng)用發(fā)展趨勢和深度感知的技術(shù)難題。圖1.Hyperlux ID 深度傳感器核心應(yīng)用示意深度感知：工業(yè)自動化與 AI 視覺的感知基石現(xiàn)代機器不僅要能夠移動，更需自主感知周圍環(huán)境、識別操作對
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從“掃描”到“洞察”：Hyperlux ID如何賦能下一代機器視覺

深度感知是現(xiàn)實機器視覺應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵功能。安森美（onsemi）的Hyperlux ID間接飛行時間（iToF）深度傳感器，憑借更少、更小、更簡單的器件，即可實現(xiàn)高精度深度感知。現(xiàn)代機器不僅要能夠移動，更需自主感知周圍環(huán)境、識別操作對象，并理解周圍的世界。工業(yè)組件要實現(xiàn)真正的自動化，其核心在于感知、定位并與世界交互的能力。當(dāng)這類組件由人工智能（AI）驅(qū)動時，就需要深度傳感器為處理器提供視覺感知能力。對機器視覺而言，要實現(xiàn)這種感知級別的識別能力，絕非易事。當(dāng)機器執(zhí)行物體操作或規(guī)
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電動汽車快速充電教程：功率因數(shù)校正 (PFC) 級

《實現(xiàn)電動汽車快速充電教程》從技術(shù)層面深入探討驅(qū)動下一代電動汽車充電系統(tǒng)的架構(gòu)設(shè)計與相關(guān)器件。重點涵蓋兆瓦級電動汽車充電技術(shù)背后的設(shè)計挑戰(zhàn)與創(chuàng)新、分立式方案和功率集成模塊 (PIM) 方案如何助力構(gòu)建可擴展、高效且可靠的快速充電基礎(chǔ)設(shè)施。我們已經(jīng)介紹過：
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碳化硅賦能浪潮教程：SiC JFET驅(qū)動工業(yè)與服務(wù)器電源革新

碳化硅（SiC）憑借其優(yōu)異的材料特性，在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計邏輯出發(fā)，剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場景的應(yīng)用價值。本文為第一部分，將重點介紹碳化硅如何革新電源設(shè)計、工業(yè)與服務(wù)器電源。碳化硅如何革新電源設(shè)計工業(yè)電源設(shè)備，本質(zhì)上就像一座本地化的電力精煉廠。試想這樣一個場景：如果原油通過管道直接輸送給每位終端用戶，所有精煉工序都在用戶端完成——那么消費者使用的燃油車輛、農(nóng)用機械或發(fā)電機（尤其是備用電源）能否實現(xiàn)高
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電動汽車快速充電教程：分立組裝與模塊組裝對比分析

《實現(xiàn)電動汽車快速充電教程》從技術(shù)層面深入探討驅(qū)動下一代電動汽車充電系統(tǒng)的架構(gòu)設(shè)計與相關(guān)器件。重點涵蓋兆瓦級電動汽車充電技術(shù)背后的設(shè)計挑戰(zhàn)與創(chuàng)新、分立式方案和功率集成模塊 (PIM) 方案如何助力構(gòu)建可擴展、高效且可靠的快速充電基礎(chǔ)設(shè)施。我們已經(jīng)介紹過：本文將介紹分立組裝與模塊組裝、兆瓦級充電的可行性實現(xiàn)路徑、液冷難題等。分立組裝與模塊組裝的比較1 級充電樁和部分 2 級充電樁最有可能在設(shè)計中使用分立半導(dǎo)體器件。但是，高壓充電樁需要采用散熱性能更優(yōu)的器件，分立器件與 PIM 器件散熱方式
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NVIDIA GTC 2026 | 物理AI大爆炸：安森美以電源與感知重塑智能邊界

在NVIDIA GTC 2026 上，AI 的演進路徑愈發(fā)清晰：AI 不再僅僅存在于虛擬世界中，它正通過更敏銳的感知和更高的能源效率，深度接入物理世界。作為英偉達的合作伙伴，安森美（onsemi）在此次盛會上，展示了智能電源產(chǎn)品組合如何支持 800V 汽車平臺和下一代 AI 數(shù)據(jù)中心架構(gòu)，以及先進的智能感知方案如何賦能汽車智能駕駛。推動AI數(shù)據(jù)中心向800V架構(gòu)轉(zhuǎn)型隨著AI算力需求持續(xù)井噴，AI數(shù)據(jù)中心電力架構(gòu)的升級正成為產(chǎn)業(yè)關(guān)注的核心方向。面對數(shù)據(jù)中心向 400V/800V 高壓總線架構(gòu)演進的技術(shù)挑戰(zhàn)，
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安森美介紹

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細 ]