SK海力士HBM混合鍵合工藝良率已提升

• 據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士近日宣布，其高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）混合鍵合工藝的良率已實(shí)現(xiàn)顯著提升。公司技術(shù)負(fù)責(zé)人金鐘勛（Kim Jong-hoon）透露，采用混合鍵合技術(shù)的12層HBM堆疊結(jié)構(gòu)已完成驗(yàn)證工作。目前，團(tuán)隊(duì)正集中精力優(yōu)化良率，以確保該技術(shù)能夠順利投入實(shí)際生產(chǎn)。這一進(jìn)展標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)邁出了重要一步?；旌湘I合技術(shù)被認(rèn)為是推動(dòng)HBM性能提升的關(guān)鍵工藝之一。通過(guò)該技術(shù)，存儲(chǔ)芯片能夠?qū)崿F(xiàn)更高的帶寬和更小的尺寸，從而滿足人工智能、高性能計(jì)算等領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的需求。
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