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隔離驅(qū)動(dòng) 文章 最新資訊

納芯微推出固態(tài)繼電器NSI7117,以卓越EMC性能應(yīng)對(duì)汽車BMS系統(tǒng)電磁挑戰(zhàn)

  • 納芯微正式推出新一代固態(tài)繼電器NSI7117系列,新器件面向新能源汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)等關(guān)鍵應(yīng)用場景,針對(duì)性地優(yōu)化了電磁兼容性能(EMC),在電磁干擾抑制(EMI)與電磁抗擾度(EMS)兩方面實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)提升,全面滿足新能源汽車日益嚴(yán)苛的電磁兼容要求,為高可靠的汽車應(yīng)用提供堅(jiān)實(shí)支撐。新能源汽車BMS系統(tǒng)由于直接連接高壓電池包,本身就對(duì)電磁兼容性能有著極高要求,需要在復(fù)雜電磁環(huán)境下保證采樣、檢測與控制功能的穩(wěn)定運(yùn)行。如今,在新能源汽車輕量化的趨勢下,其電池系統(tǒng)正加速向多材料電池殼體架構(gòu)演進(jìn),復(fù)合材料的引
  • 關(guān)鍵字: 納芯微  模擬芯片  隔離驅(qū)動(dòng)  傳感器  電源管理  車規(guī)級(jí)  工業(yè)自動(dòng)化  新能源汽車  信號(hào)鏈  

800V 進(jìn)入 AI 數(shù)據(jù)中心,電源要從機(jī)柜到板級(jí)重新設(shè)計(jì)

車展熱鬧背后,汽車電子競爭正在往底層走

助力新國標(biāo)要求,納芯微推出基于QM隔離驅(qū)動(dòng)NSI67xx-Q1

  • 隨著新能源汽車對(duì)安全性要求的持續(xù)提升,電驅(qū)系統(tǒng)正從單一的動(dòng)力執(zhí)行單元,逐步演進(jìn)為深度參與整車制動(dòng)與扭矩安全控制的關(guān)鍵系統(tǒng)。在這一趨勢下,于2026年實(shí)施的強(qiáng)制性國標(biāo)GB 21670明確提出:制動(dòng)系統(tǒng)需按照ISO 26262功能安全流程進(jìn)行開發(fā)。盡管該標(biāo)準(zhǔn)并未強(qiáng)制規(guī)定具體的ASIL等級(jí),但從整車扭矩安全角度來看,電驅(qū)系統(tǒng)由于間接或直接參與制動(dòng)功能,因而需要滿足更高的功能安全要求。在此背景下,納芯微推出基于QM(Quality Management)隔離驅(qū)動(dòng)芯片NSI67xx-Q1系列的系統(tǒng)級(jí)ASIL C功能
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門

  • 由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
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避免IGBT不良反應(yīng)的隔離驅(qū)動(dòng)7條經(jīng)驗(yàn)

  • IGBT技術(shù)大多應(yīng)用在大功率電源場合,要在這些場合應(yīng)用,首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應(yīng)、過載一類的不良反應(yīng)。因此在隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的設(shè)計(jì)上
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LED球泡燈內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電源分析

  • LED球泡燈內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電源分析-作為白熾燈的直接替代光源,LED球泡燈的用量將得到巨大的提升。其品質(zhì)也會(huì)參差不齊。作為LED球泡燈內(nèi)部不可或缺的驅(qū)動(dòng)電源,其品質(zhì)很大程度上決定了一個(gè)球泡燈的安全與否及品質(zhì)好壞。
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半橋電路的工作原理及注意問題

  • 本篇文章幾乎將半橋電路的大部分基礎(chǔ)知識(shí)都進(jìn)行了總結(jié)和歸納。難得的是,還對(duì)半橋電路當(dāng)中出現(xiàn)的問題進(jìn)行了詳盡的分析,并給出了相應(yīng)的解決方案。希望大家能夠全面掌握這些知識(shí),從而為自己的設(shè)計(jì)生涯打好堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件設(shè)計(jì)技巧八大問

  • IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件,都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和...
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧

  • 功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保護(hù),以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效...
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IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)

共11條 1/1 1

隔離驅(qū)動(dòng)介紹

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