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7nm制程將成臺積電力壓英特爾主戰(zhàn)場
- 安謀(ARM)與臺積電共同宣布一項為期多年的協(xié)議，針對7納米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作，包括支援未來低功耗、高效能運(yùn)算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計解決方案。 這項協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎(chǔ)實體IP之16納米與10納米FinFET的合作。 事實上，以臺積電目前先進(jìn)制程之生產(chǎn)時程來看，屬于同一世代的10納米、7納米進(jìn)度已經(jīng)追上，甚至超越競爭對手英特爾(Intel)。 臺積電先進(jìn)制程10納米、7納米、5納米等部分，所有制程皆on schedule10納米制程2016第1季完成產(chǎn)
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臺積電為何想要在2018年量產(chǎn)7nm工藝？
- 在14/16nm工藝上落后于三星著實讓臺積電吃了悶虧，雖然三星的14nm工藝并沒有臺積電的16nmFF+工藝強(qiáng)悍，但半年的時間領(lǐng)先已經(jīng)足夠讓三星去游說很多客戶了。好在蘋果的A9芯片沒有給臺積電丟臉，從各種續(xù)航測試來看的確將三星甩在身后。過去半年一直被壓著打的臺積電總算是翻身吐氣了，為了不重蹈覆轍，臺積電似乎要加速推送7nm工藝量產(chǎn)。 10nm還沒出來就要推動7nm了？實際上臺積電準(zhǔn)備在2017年量產(chǎn)10nm工藝，然后在2018年下半年量產(chǎn)7nm。目前的進(jìn)度來看，臺積電已經(jīng)完成了10nm工藝的
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英特爾：7nm芯片仍適用摩爾定律
- 據(jù)PCWorld網(wǎng)站報道稱，制造處理器、圖形芯片和其他芯片的傳統(tǒng)方法最終將“失去動力”。據(jù)本周在ISSCC(國際固態(tài)電路會議)上發(fā)言的英特爾研究人員稱，未來數(shù)年芯片產(chǎn)業(yè)仍然有上升空間。 英特爾高級研究員馬克·玻爾(Mark Bohr)將于周一晚上在一次研討會上討論把制造工藝由當(dāng)前的14納米提高到10納米或更先進(jìn)工藝所面臨的挑戰(zhàn)。 PCWorld指出，玻爾在與記者舉行的電話會議上表示，英特爾認(rèn)為，當(dāng)前半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展速度能維持到10納米(預(yù)計2016年)
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