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意法半導(dǎo)體集成保護功能的氮化鎵柵極驅(qū)動器
- 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出兩款半橋氮化鎵（GaN）柵極驅(qū)動器，專為電源轉(zhuǎn)換與運動控制系統(tǒng)的高速開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。產(chǎn)品通過在單芯片內(nèi)集成核心控制與保護功能，助力實現(xiàn)更緊湊、更高效的系統(tǒng)方案。對于從事工業(yè)驅(qū)動或電源級設(shè)計的讀者而言，這一發(fā)布體現(xiàn)了寬禁帶器件向高集成度發(fā)展的大趨勢，控制精度與保護能力的重要性日益凸顯。面向 GaN 開關(guān)的集成控制與保護STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 專為驅(qū)動增強型 GaN HEMT 設(shè)計，提供穩(wěn)定的 5V 柵極驅(qū)動信號。兩款器件分別支持
- 關(guān)鍵字： 運動控制 電源 意法半導(dǎo)體 氮化鎵 柵極驅(qū)動器 STDRIVEG212 STDRIVEG612
意法半導(dǎo)體推出氮化鎵高速半橋柵極驅(qū)動器
- 意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布兩款全新高速半橋柵極驅(qū)動器，可將氮化鎵（GaN）的高效性、熱性能與小型化優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于各類電源及運動控制領(lǐng)域。STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 可向增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管（eGaN HEMT）輸出精準(zhǔn)受控的 5V 柵極驅(qū)動信號，高端工作電壓分別最高支持 220V 與 600V。兩款驅(qū)動器集成度極高，在緊湊的 QFN 封裝內(nèi)集成了高端與低端 5V 線性穩(wěn)壓器（LDO）、高端自舉二極管，以及欠壓鎖定（UVLO）等保護功能。內(nèi)置的快速啟動穩(wěn)壓器可穩(wěn)定驅(qū)動器輸出級
- 關(guān)鍵字： STDRIVEG212 STDRIVEG612 意法半導(dǎo)體 氮化鎵 GaN 高速半橋柵極驅(qū)動器
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