意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出兩款半橋氮化鎵（GaN）柵極驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為電源轉(zhuǎn)換與運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)的高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。產(chǎn)品通過(guò)在單芯片內(nèi)集成核心控制與保護(hù)功能，助力實(shí)現(xiàn)更緊湊、更高效的系統(tǒng)方案。

對(duì)于從事工業(yè)驅(qū)動(dòng)或電源級(jí)設(shè)計(jì)的讀者而言，這一發(fā)布體現(xiàn)了寬禁帶器件向高集成度發(fā)展的大趨勢(shì)，控制精度與保護(hù)能力的重要性日益凸顯。

面向 GaN 開(kāi)關(guān)的集成控制與保護(hù)

STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)型 GaN HEMT 設(shè)計(jì)，提供穩(wěn)定的 5V 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。兩款器件分別支持最高220V與600V高壓側(cè)工作電壓，主要面向電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高頻轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

兩款產(chǎn)品均集成：

• 高壓側(cè) / 低壓側(cè)低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器（LDO）

• 自舉二極管

• 欠壓鎖定（UVLO）等保護(hù)功能

內(nèi)置比較器可在過(guò)流時(shí)立即關(guān)斷兩路開(kāi)關(guān)；SmartSD 智能關(guān)斷機(jī)制可將系統(tǒng)保持關(guān)斷足夠長(zhǎng)時(shí)間，以應(yīng)對(duì)熱應(yīng)力；故障引腳統(tǒng)一上報(bào)過(guò)流、過(guò)熱、欠壓鎖定狀態(tài)。

內(nèi)部快速啟動(dòng)穩(wěn)壓器可穩(wěn)定柵極驅(qū)動(dòng)電源，確保開(kāi)關(guān)行為一致，這對(duì)基于 GaN 的高速瞬態(tài)場(chǎng)景至關(guān)重要。

面向高速應(yīng)用的性能優(yōu)化

該系列 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高速開(kāi)關(guān)優(yōu)化：

• 傳輸延遲僅      50ns

• 高壓側(cè)與低壓側(cè)通道時(shí)序精準(zhǔn)匹配

• 具備 ±200V/ns 抗      dV/dt 干擾能力

• 高壓側(cè)啟動(dòng)時(shí)間      5μs

可支持更高開(kāi)關(guān)頻率，有望實(shí)現(xiàn)更快的電機(jī)轉(zhuǎn)速。

輸出級(jí)支持獨(dú)立調(diào)節(jié)開(kāi)通 / 關(guān)斷阻抗，無(wú)需額外外接關(guān)斷二極管等元件，即可抑制開(kāi)關(guān)瞬態(tài)干擾，減少物料清單（BOM）并簡(jiǎn)化布局。獨(dú)立的灌 / 拉電流路徑（灌電流最高1.8A，拉電流0.8A）進(jìn)一步優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。

產(chǎn)品還具備 20V 耐壓 邏輯輸入與專(zhuān)用關(guān)斷引腳，支持低功耗待機(jī)模式，采用 4mm×5mm QFN 封裝，工作溫度范圍 -40℃~125℃，并提供配套評(píng)估板。