意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布兩款全新高速半橋柵極驅(qū)動器，可將氮化鎵（GaN）的高效性、熱性能與小型化優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于各類電源及運(yùn)動控制領(lǐng)域。

STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 可向增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管（eGaN HEMT）輸出精準(zhǔn)受控的 5V 柵極驅(qū)動信號，高端工作電壓分別最高支持 220V 與 600V。兩款驅(qū)動器集成度極高，在緊湊的 QFN 封裝內(nèi)集成了高端與低端 5V 線性穩(wěn)壓器（LDO）、高端自舉二極管，以及欠壓鎖定（UVLO）等保護(hù)功能。

內(nèi)置的快速啟動穩(wěn)壓器可穩(wěn)定驅(qū)動器輸出級供電電壓，確保柵極控制一致性；片上比較器在檢測到過流時(shí)會同時(shí)關(guān)斷兩顆 GaN 器件。智能關(guān)斷（SmartSD）功能可自動保持開關(guān)關(guān)斷足夠長的時(shí)間以實(shí)現(xiàn)降溫，故障引腳則可上報(bào)過流、過熱及欠壓鎖定狀態(tài)。

該系列驅(qū)動器專為最大化發(fā)揮 GaN 技術(shù)優(yōu)勢而設(shè)計(jì)，尤其適用于運(yùn)動控制等硬開關(guān)應(yīng)用場景。高端與低端通道傳輸延遲僅 50ns 且高度匹配，高端啟動時(shí)間 5μs，具備 ±200V/ns 的 dV/dt 抗擾能力，可支持高轉(zhuǎn)速運(yùn)行。

集成的線性穩(wěn)壓器（LDO）具備大電流驅(qū)動能力，柵極泄放與驅(qū)動采用獨(dú)立通路，泄放電流可達(dá) 1.8A/1.2Ω，驅(qū)動電流 0.8A/4.0Ω。柵極驅(qū)動器輸出架構(gòu)允許工程師分別設(shè)置開通與關(guān)斷阻抗，以優(yōu)化 dV/dt 與 dI/dt 特性，從而省去關(guān)斷二極管。這有助于降低物料成本、減小柵極環(huán)路電感，并實(shí)現(xiàn)更快關(guān)斷，提升抗誤導(dǎo)通余量。

STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 具備 20V 耐壓邏輯輸入與專用關(guān)斷引腳，可在待機(jī)時(shí)降低功耗，簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)與集成。EVLSTDRIVEG212 評估板 同時(shí)適用于兩款芯片，現(xiàn)已上市。

兩款器件均為工業(yè)級產(chǎn)品，工作溫度范圍為 -40℃ 至 125℃，目前已量產(chǎn)，采用 4mm×5mm QFN 封裝，1000 片起訂單價(jià) 1.25 美元起。