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氮化鎵資訊

10KV氮化鎵器件全新技術(shù)方案

一種基于等離子體的簡(jiǎn)易邊緣終端技術(shù)，成功制備出橫向結(jié)構(gòu) 10 千伏級(jí)氮化鎵二極管。在電力電子領(lǐng)域的一眾半導(dǎo)體技術(shù)中，氮化鎵（GaN）已取得顯著成功。這種材料在需要承受數(shù)百伏電壓、同時(shí)實(shí)現(xiàn)極低功耗的場(chǎng)景中，性能無(wú)可匹敵。憑...

10KV 氮化鎵 2026-05-14

中國(guó)寬禁帶芯片企業(yè)發(fā)展分化：氮化鎵射頻高歌猛進(jìn)，碳化硅盈利承壓

2026 年一季度，中國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（涵蓋碳化硅 SiC與氮化鎵 GaN）業(yè)績(jī)分化明顯。受 5G 基站建設(shè)、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（OBC）強(qiáng)勁需求拉動(dòng)，氮化鎵射頻（GaN RF）企業(yè)營(yíng)收大漲；反觀碳化硅功率器件廠商，受...

寬禁帶氮化鎵 2026-05-14

氮化鎵+MCU賦能高效OBC：大聯(lián)大詮鼎與英飛凌共探車載電源新趨勢(shì)

2026年5月11日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股旗下詮鼎集團(tuán)宣布，攜手英飛凌成功舉辦“CoolGaN?車規(guī)級(jí)氮化鎵與AURIX? TC4x 在車載OBC電源解決方案”線上研討會(huì)。本次活...

氮化鎵 MCU 2026-05-11

英諾賽科宣布 ITC 裁決勝訴：現(xiàn)有氮化鎵器件未侵權(quán)，美國(guó)出貨不受影響

針對(duì)與德國(guó)芯片廠商英飛凌的專利糾紛，英諾賽科于 5 月 8 日發(fā)布新聞稿宣布，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）在第 337?TA?1414 號(hào)調(diào)查中作出最終裁定，確認(rèn)英諾賽科當(dāng)前在售氮化鎵（GaN）功率器件未侵犯英飛凌專利，...

英諾賽科 ITC 2026-05-11

中國(guó)GaN半導(dǎo)體巨頭專利侵權(quán)案ITC作出終裁

美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）全體委員會(huì)維持了其于2025年12月作出的初步裁定，確認(rèn)英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項(xiàng)氮化鎵（GaN）技術(shù)專利，并下令對(duì)英諾賽科實(shí)施進(jìn)口和銷售禁令。不過，ITC委員會(huì)的最...

GaN 氮化鎵 2026-05-08

意法半導(dǎo)體集成保護(hù)功能的氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出兩款半橋氮化鎵（GaN）柵極驅(qū)動(dòng)器，專為電源轉(zhuǎn)換與運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)的高速開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。產(chǎn)品通過在單芯片內(nèi)集成核心控制與保護(hù)功能，助力實(shí)現(xiàn)更緊湊、更高效的系統(tǒng)方案。對(duì)于從事...

運(yùn)動(dòng)控制電源 2026-04-14