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10KV氮化鎵器件全新技術方案

一種基于等離子體的簡易邊緣終端技術，成功制備出橫向結構 10 千伏級氮化鎵二極管。在電力電子領域的一眾半導體技術中，氮化鎵（GaN）已取得顯著成功。這種材料在需要承受數(shù)百伏電壓、同時實現(xiàn)極低功耗的場景中，性能無可匹敵。憑...

10KV 氮化鎵 2026-05-14

中國寬禁帶芯片企業(yè)發(fā)展分化：氮化鎵射頻高歌猛進，碳化硅盈利承壓

2026 年一季度，中國寬禁帶半導體產業(yè)（涵蓋碳化硅 SiC與氮化鎵 GaN）業(yè)績分化明顯。受 5G 基站建設、電動汽車車載充電機（OBC）強勁需求拉動，氮化鎵射頻（GaN RF）企業(yè)營收大漲；反觀碳化硅功率器件廠商，受...

寬禁帶氮化鎵 2026-05-14

氮化鎵+MCU賦能高效OBC：大聯(lián)大詮鼎與英飛凌共探車載電源新趨勢

2026年5月11日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股旗下詮鼎集團宣布，攜手英飛凌成功舉辦“CoolGaN?車規(guī)級氮化鎵與AURIX? TC4x 在車載OBC電源解決方案”線上研討會。本次活...

氮化鎵 MCU 2026-05-11

英諾賽科宣布 ITC 裁決勝訴：現(xiàn)有氮化鎵器件未侵權，美國出貨不受影響

針對與德國芯片廠商英飛凌的專利糾紛，英諾賽科于 5 月 8 日發(fā)布新聞稿宣布，美國國際貿易委員會（ITC）在第 337?TA?1414 號調查中作出最終裁定，確認英諾賽科當前在售氮化鎵（GaN）功率器件未侵犯英飛凌專利，...

英諾賽科 ITC 2026-05-11

中國GaN半導體巨頭專利侵權案ITC作出終裁

美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會維持了其于2025年12月作出的初步裁定，確認英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項氮化鎵（GaN）技術專利，并下令對英諾賽科實施進口和銷售禁令。不過，ITC委員會的最...

GaN 氮化鎵 2026-05-08

意法半導體集成保護功能的氮化鎵柵極驅動器

意法半導體（STMicroelectronics）推出兩款半橋氮化鎵（GaN）柵極驅動器，專為電源轉換與運動控制系統(tǒng)的高速開關應用設計。產品通過在單芯片內集成核心控制與保護功能，助力實現(xiàn)更緊湊、更高效的系統(tǒng)方案。對于從事...

運動控制電源 2026-04-14

英特爾推出全球最薄氮化鎵（GaN）芯粒

4 月 9 日，英特爾代工服務（Intel Foundry Services）宣布重大技術突破，成功研發(fā)出全球最薄氮化鎵（GaN）芯粒。其硅襯底厚度僅19 微米，約為人類頭發(fā)絲直徑的 1/5。該芯粒基于300 毫米（12...

英特爾氮化鎵 2026-04-14

意法半導體推出氮化鎵高速半橋柵極驅動器

意法半導體（ST）發(fā)布兩款全新高速半橋柵極驅動器，可將氮化鎵（GaN）的高效性、熱性能與小型化優(yōu)勢，廣泛應用于各類電源及運動控制領域。STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 可向增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管...

STDRIVEG212 STDRIVEG612 2026-04-07

瑞薩通過雙向650V GaN開關實現(xiàn)了功耗效率提升

瑞薩電子推出業(yè)內首款雙向 650V 級氮化鎵（GaN）開關，旨在簡化太陽能微型逆變器、人工智能數(shù)據中心、電動汽車車載充電器等應用中的功率轉換設計。該公司表示，新款 TP65B110HRU 在單顆器件中集成了雙向電流阻斷功...

瑞薩電子氮化鎵 2026-03-25

氮化鎵，全面起飛

2026 年 3 月，當全球半導體產業(yè)仍在后摩爾定律的迷霧中探索前行時，氮化鎵（GaN）正以驚人的速度從「替代技術」蛻變?yōu)椤副匦杓夹g」。Yole 與集邦咨詢的最新數(shù)據為這一判斷提供了堅實注腳：2026 年全球 ...

氮化鎵 2026-03-16

英飛凌推出集成式半橋解決方案CoolGaN Drive HB 600 V G5

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? Drive HB 600 V G5產品系列，進一步擴大了其CoolGaN?產品組合。四款...

英飛凌集成式半橋 2026-03-04

TI:氮化鎵賦能人形機器人高效電機關節(jié)

德州儀器(TI)正研發(fā)氮化鎵功率器件，為人形機器人打造更小型、更高能效的電機關節(jié)。隨著全身人形機器人的興起，支撐其運動的電機控制器、功率電子器件和散熱系統(tǒng)，必須提供比以往更強的動力、更高的精度和更高的效率。為了實現(xiàn)與人類...

氮化鎵人形機器人 2026-02-28

人工智能與機器人技術推動氮化鎵功率器件市場爆發(fā)

氮化鎵（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能數(shù)據中心、機器人、電動汽車、可再生能源等多個行業(yè)，同時還切入數(shù)字醫(yī)療、量子計算等新興領域，這一趨勢推動氮化鎵市場從今年到 2030 年實現(xiàn)顯著增長。尤其在數(shù)據中心市場，采用新型...

人工智能機器人 2026-02-11

意法半導體推出面向電機控制的全新氮化鎵（GaN）IC平臺，助力家電能效升級

意法半導體近日推出全新的智能功率器件，使家用電器和工業(yè)驅動設備能夠利用最新的氮化鎵（GaN）技術，顯著提升能效、增強性能并降低成本。目前市場上已有的GaN電源適配器和充電器可為筆記本電腦和USB-C快充提供高功率輸出，并...

意法半導體氮化鎵 2026-01-29

高密度直流-直流轉換器從電網延伸到車廂再到鐵芯

從以可再生能源為主的電網到人工智能數(shù)據中心，各領域的電力需求都在持續(xù)攀升，這也對電力電子器件提出了更高要求 —— 需要在更小的空間內實現(xiàn)更優(yōu)性能。電力的傳輸需要經過復雜的直流 - 直流轉換流程，電壓等級會從電網的高壓逐步...

高密度轉換器 2026-01-23

英飛凌推出首款100V車規(guī)級晶體管，推動汽車領域氮化鎵（GaN）技術創(chuàng)新

簡介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規(guī)級晶體管，并開始提供符合AEC-Q101汽車應用標準的預量產樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車規(guī)級晶體管及多種雙向開關。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業(yè)不斷變化的...

英飛凌 CoolGaN 100V G1系列 2026-01-16

難以捉摸的藍色LED：研究人員最終是如何取得勝利的？

很難想象，首款藍光 LED 的問世時間竟然晚至 1993 年。這類器件看似構造簡單，但表象往往具有迷惑性（見圖 1）。1. 圖像顯示一個藍色InGaN基LED帶金線觸點（0.4 × 0.4毫米）（a）。作為商業(yè)產品包裝的...

LED 亞硒化鋅 2026-01-15

氮化鎵上車進行時：從器件特性到系統(tǒng)效率的全面驗證

_____2025年12月，匯川聯(lián)合動力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統(tǒng)在長安汽車成功裝車。這標志著氮化鎵技術在中國新能源汽車領域邁出關鍵一步。該系統(tǒng)將車載充電器與車載直流變換器高度集...

氮化鎵上車氮化鎵 2026-01-08

GlobalFoundries與onsemi合作開發(fā)200毫米氮化鎵產品組合

Globalfoundries（GF）與OnSemi簽署協(xié)議，采用GF的200mm eMode GaN-on-硅工藝開發(fā)和制造先進氮化鎵功率產品。初期開發(fā)重點將是用于AI數(shù)據中心、電動汽車、可再生能源、工業(yè)系統(tǒng)以及航空航...

GlobalFoundries onsemi 2025-12-19

在開關模式電源中使用氮化鎵技術的注意事項

本文詳細討論了GaN技術，解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優(yōu)勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后，展望...

開關模式電源氮化鎵 2025-12-15

恩智浦將關閉ECHO Fab晶圓廠，退出氮化鎵5G PA芯片制造

12 月 14 日消息，參考媒體 Light Reading 報道，NXP 恩智浦已做出了關閉亞利桑那州錢德勒 ECHO Fab 晶圓廠的決定，該企業(yè)也將退出氮化鎵 (GaN) 半導體 5G PA（功率放大器）芯片的制造...

恩智浦 ECHO Fab 2025-12-15

JFS宣布氮化鎵動力模塊取得新突破，準備進行試點規(guī)模驗證

2025年12月4日，九風山（JFS）實驗室宣布了一項重大技術突破——氮化鎵（GaN）動力模塊的成功開發(fā)。這些大約拇指大小的“黑盒子”，每個大約有百萬個縮略圖，可以集成到一個1吉瓦（10億瓦）的超大規(guī)模AI計算柜中。一旦...

氮化鎵 AI 2025-12-15

設計中的輻射硬質：下一代航天與國防系統(tǒng)的氮化鎵半導彈

航天器必須搭載抗輻射（rad-hard）電子設備，因為輻射極易導致電子器件故障。因此，電源管理器件對于為衛(wèi)星和航天器上的所有電子設備供電至關重要，尤其是當航天器內有宇航員時。例如，深空任務可能會遭遇背景輻射產生的中子、放...

航天器抗輻射 2025-12-09

安森美與英諾賽科達成戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同加速推進全球氮化鎵產業(yè)生態(tài)建設

安森美（onsemi）近日宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴大 GaN 功率器件的生產規(guī)模。該合作將整合安森美在系統(tǒng)集成、驅動器...

安森美英諾賽科 2025-12-05

安塞米與中國Innoscience合作開發(fā)低/中壓氮化鎵樣

onsemi與Innoscience于12月2日簽署了諒解備忘錄（MoU），加快氮化鎵（GaN）電源設備的部署，起步于40–200V電壓產品。安塞米預計采樣將在2026年上半年開始，正如其新聞稿所述。該合作旨在將Onse...

氮化鎵 2025-12-04

英飛凌氮化鎵技術賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器

英飛凌科技股份公司近日宣布將為Enphase Energy, Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆變器提供其突破性的氮化鎵（GaN）技術。Enphase Energy是一家全球領先的能源技術公司，同時也是光伏及電池系統(tǒng)微...

英飛凌氮化鎵 2025-11-24

【電動車和能效亮點】格羅方德與臺積電攜手，推進面向多元應用場景的氮化鎵技術研發(fā)

格羅方德（GF）日前宣布，與臺積電就650V和80V氮化鎵（GaN）技術達成技術許可協(xié)議。這一戰(zhàn)略布局將加速格羅方德面向數(shù)據中心、工業(yè)和汽車電源應用的下一代氮化鎵產品的開發(fā)，并為全球客戶提供美國本土的氮化鎵產能。Sour...

格羅方德臺積電 2025-11-20

基于氮化鎵的緊湊型65W至140W PD充電器，支持醫(yī)療和工業(yè)技術應用中的快速充電

基于氮化鎵的緊湊型65W至140W PD充電器，支持醫(yī)療和工業(yè)技術應用中的快速充電...

氮化鎵 PD充電器 2025-11-12

氮化鎵：用“LiChi定律”跟蹤快速充電

半導體行業(yè)充滿知名的定律。其中最著名的是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾（Gordon Moore）指出，IC 上的組件數(shù)量每年翻一番。許多人還知道羅伯特·德納德（Robert Denard）制定的定律：隨著晶體管尺寸...

氮化鎵 LiChi定律 2025-11-11

垂直氮化鎵晶體管：起飛時間

垂直 GaN 晶體管有很多話要說。與其水平兄弟產品相比，它在給定的封裝下提供更高的擊穿電壓和電流，同時提供卓越的可靠性并簡化熱管理。然而，初創(chuàng)企業(yè)將垂直氮化鎵晶體管商業(yè)化的努力失敗了，如今，橫向變體在商業(yè)上取得了成功，部...

氮化鎵晶體管 2025-11-10

用于機器人肢體關節(jié)的氮化鎵的電機驅動器

EPC設計了一種用于機器人肢體關節(jié)的基于GaN的電機驅動器。眾所周知，EPC91120是一款評估板，采用直徑為 32 毫米的圓形封裝的三相無刷直流電機驅動器，旨在直接內置到機器人電機組件中，特別是與機器狗的一部分的 Un...

機器人肢體關節(jié) 2025-11-07

利用基于氮化鎵的解決方案為下一代 800 伏直流 AI 數(shù)據中心提供動力

Power Integrations 最近概述了 1,250 V 和 1,700V PowiGaN 技術在為下一代 AI 數(shù)據中心供電方面的實用性，強調了其 PowiGaN 氮化鎵（GaN）技術在...

氮化鎵 800伏 2025-10-26

人工智能、汽車和機器人推動氮化鎵市場繁榮

氮化鎵（GaN）已成為功率電子市場的主要增長引擎。憑借優(yōu)越的材料特性，GaN 在高頻、高效率和緊湊型電源應用中具有獨特優(yōu)勢，推動多個行業(yè)領域進入新一輪的技術變革。根據 TrendForce 的預測，GaN 功率器件市場預...

人工智能汽車電子 2025-08-13

N極深凹槽E型氮化鎵HEMT

美國加州大學洛杉磯分校（UCLA）和密歇根大學安娜堡分校聲稱增強模式 N 極性深凹槽（NPDR）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有破紀錄的小信號性能 [Oguz Odabasi ...

N極深凹槽E型氮化鎵 2025-08-12

氮化鎵雙向開關推動電力電子技術變革

校對：宋清亮英飛凌消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū) 技術市場總監(jiān)...

氮化鎵雙向開關氮化鎵 2025-07-10

BelGaN 破產將使比利時損失 100 萬歐元；氮化鎵工廠可能被改用于光子芯片

BelGaN 在比利時的氮化鎵功率半導體工廠去年關閉。據 eeNews Europe 的報道，有報道稱三個財團有興趣收購該設施，主要用于光子應用。報道還指出該工廠之前專注于汽車功率器件。報告稱，關閉預...

氮化鎵功率半導體 2025-07-10

英飛凌加速氮化鎵推廣，而臺積電退出，預計2025年第四季度提供300毫米晶圓樣品

雖然臺積電計劃在 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大力度。憑借其強大的 IDM 模式，英飛凌根據其新聞稿，正在推進其在 300 毫米晶圓上的可擴展氮化鎵生產，首批客戶樣品定于 202...

英飛凌氮化鎵 2025-07-07

臺積電將逐步淘汰其氮化鎵業(yè)務

臺積電昨日在一份聲明中表示，將在未來兩年內逐步淘汰其化合物半導體氮化鎵（GaN）業(yè)務，并援引市場動態(tài)。這家全球最大的合同芯片制造商表示，這一決定不會影響其之前宣布的財務目標?！拔覀冋谂c客戶密切合作，以確保平穩(wěn)過渡，...

臺積電氮化鎵 2025-07-04

瑞薩電子加大對氮化鎵的投入，競爭日益激烈

Renesas Electronics 表示，隨著市場競爭加劇，公司正在加大對其氮化鎵（GaN）功率器件的承諾，并轉向使用 200 毫米晶圓和 650V d 模式器件。Navitas Semiconductor 也通過與...

瑞薩氮化鎵 2025-07-03

如何在開關模式電源中運用氮化鎵技術

本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設計。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具...

開關電源 SMPS 2025-06-09