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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)可望具有更長的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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日本東北大學(xué)，開發(fā)成功超高速小電流MRAM
- 日本東北大學(xué)2016年3月21日宣布，開發(fā)成功了可超高速動作的新型磁存儲器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎(chǔ)元件，并實(shí)際驗(yàn)證了動作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實(shí)現(xiàn)的小電流動作和高速動作。 ? 三種自旋軌道力矩磁化反轉(zhuǎn)元件構(gòu)造。(a)與(b)為以前的構(gòu)造，(c)為此次開發(fā)的構(gòu)造(該圖摘自東北大學(xué)的發(fā)布資料) (點(diǎn)擊放大) PC及智能手機(jī)使用的SRAM及DRAM等半導(dǎo)體存儲器，因構(gòu)成元件的微細(xì)化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM接班主流存儲器指日可待
- 記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過磁阻隨機(jī)存取記憶體(MRAM)，可望解決開發(fā)這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題 遺憾的是，實(shí)際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
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使用高速SRAM設(shè)計電池支持型存儲器
- 嵌入式系統(tǒng)的性能取決于其軟硬件能力。一個編寫合理的軟件可以利用硬件的所有能力發(fā)揮后者的最大性能。與此類似，無論軟件設(shè)計多么合理，低效的硬件都可能影響系統(tǒng)性能?！ ?shù)十年來，傳統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)一直沒有改變。圖1顯示了一個典型嵌入式系統(tǒng)的框圖。一個微控制器和一個微處理器位于系統(tǒng)的核心。按照具體應(yīng)用，系統(tǒng)設(shè)計人員可根據(jù)需要刪減接口和外設(shè)。如果控制器的內(nèi)置存儲器不足，就需要使用閃存、SRAM、DRAM等外置存儲器。通常而言，閃存用于存儲控制器執(zhí)行的代碼，而SRAM用于存儲運(yùn)行時臨時變量和保存重要的應(yīng)用數(shù)據(jù)塊
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Zeno開發(fā)特殊SRAM 可提升MOS結(jié)構(gòu)效能
- Zeno Semiconductor日前開發(fā)出將最小靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)納入單一MOS電晶體技術(shù)，不僅其采用記憶單元(bit-cell)數(shù)量變多，存取時間也可大幅縮短4成?！ ?jù)EE Times網(wǎng)站報導(dǎo)，Zeno在國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting)上展示這項(xiàng)新技術(shù)。Zeno執(zhí)行董事長Zvi Or-Bach表示，該技術(shù)之所以讓N型MOS電晶體做為穩(wěn)定SRAM，主要是透過采
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10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC
- 一年一度的“國際固態(tài)電路會議”(ISSCC)將在明年2月舉行，幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開發(fā)布，讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術(shù)及其發(fā)展趨勢。三星(Samsung)將在ISSCC 2016發(fā)表最新的10nm制程技術(shù)、聯(lián)發(fā)科(MediaTek)將展示采用三叢集(Tri-Cluster)架構(gòu)搭載十核心的創(chuàng)新行動SoC。此外，指紋辨識、視覺處理器與3D晶片堆疊以及更高密度記憶體等技術(shù)也將在此展示最新開發(fā)成果。 三星將提供更多DRAM與快
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三星成功開發(fā)10納米FinFET SRAM 10納米邏輯制程量產(chǎn)更近一步
- 在英特爾(Intel)、臺積電的SRAM仍停留在14納米、16納米制程時，三星電子(Samsung Electronics)已搶先研發(fā)出10納米FinFET制程SRAM，這也意味著距離10納米邏輯芯片量產(chǎn)更近一步?！ ∷俣容^DRAM快的SRAM，可運(yùn)用為中央處理器(CPU)緩存存儲器。完成研發(fā)10納米SRAM，也意味著三星在同制程系統(tǒng)芯片生產(chǎn)準(zhǔn)備作業(yè)正順利進(jìn)行。照此趨勢，2017年初將可正式量產(chǎn)采10納米制程的移動應(yīng)用處理器(AP)。10納米AP將與GB級數(shù)據(jù)機(jī)芯片整合，移動裝置速度將更快?！ ?jù)南韓
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串行和并行接口SRAM對比
- 外置SRAM通常配有一個并行接口?？紤]到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。對于已經(jīng)(和仍在)使用SRAM的高性能(主要是緩存)應(yīng)用而言，與串行接口相比，并行接口擁有明顯優(yōu)勢。但這種情況似乎即將改變。 盡管能夠提供高于串行接口的性能，但并行接口也有劣勢。其中最明顯的是，無論是從電路板空間還是從引腳數(shù)要求的角度而言，并行接口的尺寸都遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于串行接口。例如，一個簡單的4Mb SRAM最多可能需要43個引腳才能與一個控制器相連。在使用一個4Mb SRAM時，我們的要求可能如
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PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲器比較
- PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
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存儲器革新將引發(fā)電子產(chǎn)業(yè)蝴蝶效應(yīng)？
- 經(jīng)過幾十年的發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)幾乎已成為一個線性系統(tǒng)，并被摩爾定律(Moore‘sLaw)左右。然而隨著摩爾定律逐漸出現(xiàn)松動，越來越多新技術(shù)開始浮上臺面。這些技術(shù)不僅僅是既有技術(shù)的改進(jìn)，而是全面的變革。電子產(chǎn)業(yè)可望借由這些新技術(shù)轉(zhuǎn)型成為非線性系統(tǒng)，推翻多年來電子產(chǎn)業(yè)所定立的主張。 存儲器技術(shù)近年的發(fā)展，可能就此改變存儲器與處理技術(shù)在1940年代便已確立的關(guān)系。連續(xù)存儲器配置的效率盡管不斷受到挑戰(zhàn)，但系統(tǒng)的惰性使得這種配置幾十年來維持不變。 即使在對稱多處理系統(tǒng)中，存儲器的配置仍多是
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ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
- ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。 ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算 機(jī)的內(nèi)存。 RAM 有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非?？?，是目前讀寫最快的存儲設(shè)備了，但 是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態(tài)RA
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賽普拉斯推出具備片上錯誤校正碼的高性能同步SRAM，確保卓越的可靠性
- 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，推出業(yè)界最高容量的其具有片上錯誤校正碼(ECC)的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能，使之可以提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，簡化多種軍用、通訊和數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的設(shè)計。賽普拉斯今年計劃擴(kuò)充具備ECC功能的同步SRAM產(chǎn)品線，增加其他容量的產(chǎn)品。 由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內(nèi)容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。賽普拉斯新型同步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯誤校正功能，而無需用戶干預(yù)，能達(dá)到業(yè)界最佳的軟
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