阿斯麥將極紫外光刻機光源功率提升至1000瓦，助力提升芯片良率、降低制造成本

• 阿斯麥（ASML）宣布將極紫外光刻（EUV）設備的核心光源功率提升至1000 瓦，這一技術突破將直接推動先進制程芯片的生產(chǎn)良率提升，同時有效降低單顆芯片的制造成本，成為先進半導體制造領域的又一重要技術進展。在極紫外光刻技術中，光源功率是決定光刻機生產(chǎn)效率與芯片良率的核心指標之一。更高的光源功率能夠讓光刻機在晶圓曝光過程中，實現(xiàn)更快的光刻速度與更穩(wěn)定的圖案轉(zhuǎn)移效果：一方面，更高的功率可縮短單晶圓的曝光時間，提升光刻機的單位時間產(chǎn)能；另一方面，穩(wěn)定的高功率光源能減少光刻過程中的圖案偏差、線寬不均勻等問題，大幅
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