芯片良率 文章 最新資訊
HBM 測試向左(前端)遷移，保障 AI 芯片良率
- 更高的高帶寬內(nèi)存（HBM）堆疊與更密的硅通孔（TSV）節(jié)距正在影響 AI 模塊良率。解決方案是將測試在制造流程中進(jìn)一步左移(更前端工藝)，但這種遷移也伴隨著成本上升。HBM 是 AI 系統(tǒng)的核心組件，隨著需要處理與存儲的數(shù)據(jù)量持續(xù)增長，AI 系統(tǒng)對內(nèi)存的需求近乎無限。過去十年，HBM 堆疊的裸片從 2 層增至 12 層，很快將達(dá)到 16 層。與此同時，AI 數(shù)據(jù)中心內(nèi)多裸片封裝中的 HBM 堆疊數(shù)量也從 4 組增至 8 組。如今，HBM 裸片成本已接近 AI 芯片總成本的一半。因此在最終測試中發(fā)現(xiàn)內(nèi)存堆疊
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阿斯麥將極紫外光刻機(jī)光源功率提升至1000瓦，助力提升芯片良率、降低制造成本
- 阿斯麥（ASML）宣布將極紫外光刻（EUV）設(shè)備的核心光源功率提升至1000 瓦，這一技術(shù)突破將直接推動先進(jìn)制程芯片的生產(chǎn)良率提升，同時有效降低單顆芯片的制造成本，成為先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一重要技術(shù)進(jìn)展。在極紫外光刻技術(shù)中，光源功率是決定光刻機(jī)生產(chǎn)效率與芯片良率的核心指標(biāo)之一。更高的光源功率能夠讓光刻機(jī)在晶圓曝光過程中，實現(xiàn)更快的光刻速度與更穩(wěn)定的圖案轉(zhuǎn)移效果：一方面，更高的功率可縮短單晶圓的曝光時間，提升光刻機(jī)的單位時間產(chǎn)能；另一方面，穩(wěn)定的高功率光源能減少光刻過程中的圖案偏差、線寬不均勻等問題，大幅
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生成式人工智能提高芯片良率并減少制造缺陷
- 2021 年，全球汽車制造商因無法獲得一美元微控制器而停止生產(chǎn)。先進(jìn)半導(dǎo)體的等待時間從 12 周躍升至超過 26 周，這表明全球供應(yīng)鏈已經(jīng)變得多么脆弱。良率損失和制造缺陷不僅僅是技術(shù)問題，它們是影響采購領(lǐng)導(dǎo)者、供應(yīng)鏈經(jīng)理甚至國民經(jīng)濟(jì)的戰(zhàn)略挑戰(zhàn)。與此同時，對半導(dǎo)體的需求繼續(xù)持續(xù)增長。預(yù)計到 2030 年，全球消費(fèi)將以 7% 至 8% 的復(fù)合年增長率增長，而產(chǎn)能僅以每年 5% 左右的速度增長。這種不匹配使每片晶圓都變得非常有價值。即使先進(jìn)技術(shù)節(jié)點的良率僅提高 2%，每年也可以釋放約 150,000 片晶圓，這
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泛林集團(tuán)推出全球首個晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率
- 近日，泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級器件需要數(shù)百個工藝步驟。僅需一個工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專有的保護(hù)膜，有助于防止在先進(jìn)半導(dǎo)體制造過程中經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這一強(qiáng)大的保護(hù)技術(shù)提高了良率，并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥砩a(chǎn)下一代芯片。Coron
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