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東芝與天岳先進(jìn)達(dá)成SiC功率半導(dǎo)體襯底合作協(xié)議

作者: 時間:2025-08-26 來源: 收藏
據(jù)“”官方微信公眾號消息,8月22日,電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“電子元件”)與山東科技股份有限公司(以下簡稱“”)就功率半導(dǎo)體用襯底達(dá)成基本合作協(xié)議。雙方將在技術(shù)協(xié)作與商業(yè)合作兩方面展開深入合作,具體包括提升功率半導(dǎo)體特性和品質(zhì),以及擴(kuò)大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應(yīng)。未來,雙方將圍繞合作細(xì)節(jié)展開進(jìn)一步磋商。
電子元件憑借在鐵路用功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的開發(fā)與制造經(jīng)驗,正加速推進(jìn)服務(wù)器電源用和車載用SiC器件的研發(fā)。未來,東芝電子元件計劃進(jìn)一步降低SiC功率半導(dǎo)體的損耗,開發(fā)高可靠性、高效率的產(chǎn)品。為實現(xiàn)這一目標(biāo),東芝電子元件不僅依賴自主研發(fā),還積極尋求與SiC襯底技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)的合作。此次與天岳先進(jìn)達(dá)成合作,將為各類應(yīng)用場景提供更優(yōu)解決方案,助力業(yè)務(wù)擴(kuò)展。
天岳先進(jìn)自2010年成立以來,專注于單晶SiC襯底的開發(fā)與生產(chǎn),將品質(zhì)與技術(shù)研發(fā)作為核心經(jīng)營理念。公司在碳化硅襯底領(lǐng)域的專利數(shù)量位居全球前五。2022年,天岳先進(jìn)成為中國首家上市的SiC概念企業(yè),實現(xiàn)了全球化業(yè)務(wù)拓展與市場份額的快速增長。2024年,公司率先發(fā)布全球首款12英寸SiC襯底,并計劃在2025年實現(xiàn)全系產(chǎn)品的12英寸襯底布局。未來,天岳先進(jìn)將繼續(xù)以卓越品質(zhì)與尖端技術(shù)贏得客戶信賴。
通過此次合作,天岳先進(jìn)將結(jié)合東芝電子元件對SiC襯底核心技術(shù)的需求,進(jìn)一步提升襯底品質(zhì)與可靠性,推動SiC功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展。雙方將基于此次簽署的基本協(xié)議,繼續(xù)商討具體合作內(nèi)容,以實現(xiàn)業(yè)務(wù)共贏。



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