在臺(tái)積電1月15日財(cái)報(bào)電話會(huì)議前，公司悄然確認(rèn)其2nm工藝已按計(jì)劃于2025年第四季度進(jìn)入量產(chǎn)。隨著市場(chǎng)期待在簡(jiǎn)報(bào)會(huì)上獲得更多細(xì)節(jié)，以下是值得關(guān)注的關(guān)鍵事項(xiàng)，隨著這個(gè)備受期待的節(jié)點(diǎn)走入聚光燈下。

月容量可能挑戰(zhàn)14萬

《商業(yè)時(shí)報(bào)》援引分析師的話指出，臺(tái)積電正在迅速提升高雄22制造廠和寶山晶圓廠的2nm產(chǎn)能，預(yù)計(jì)到今年年底月產(chǎn)量將攀升至10萬片硅片，以滿足包括蘋果、AMD、聯(lián)發(fā)科和高通等主要客戶的需求。自由時(shí)報(bào)則更為樂觀，預(yù)計(jì)其月2納米晶圓產(chǎn)量可能達(dá)到14萬片，標(biāo)志著僅生產(chǎn)一年就實(shí)現(xiàn)了非凡的增長(zhǎng)。

相比之下，《自由時(shí)報(bào)》指出，臺(tái)積電今年3nm產(chǎn)量預(yù)計(jì)將擴(kuò)展至約16萬片/月，凸顯了對(duì)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)需求的持續(xù)強(qiáng)勁。

第三季度開始繳納收入

不過，公司可能需要等待節(jié)點(diǎn)開始貢獻(xiàn)收入一段時(shí)間?！?span style="box-sizing: border-box; color: rgb(255, 0, 0);">自由時(shí)報(bào)》指出，基于3納米節(jié)點(diǎn)的收入增長(zhǎng)，業(yè)內(nèi)分析師預(yù)計(jì)2納米最早將在2026年第三季度開始為臺(tái)積電貢獻(xiàn)收入。

盡管臺(tái)積電此前指出，雖然早期2nm產(chǎn)量會(huì)稀釋毛利率，但更高的結(jié)構(gòu)性盈利能力加上3nm利潤(rùn)率的提升，應(yīng)能維持公司整體平均毛利率。據(jù)TechNews報(bào)道，臺(tái)積電約30%的2納米及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能將來自其亞利桑那工廠。

與此同時(shí)，臺(tái)積電計(jì)劃在2026年推出更多2nm系列產(chǎn)品，下一代N2P（性能增強(qiáng)）節(jié)點(diǎn)和首次引入背側(cè)功率傳輸?shù)腁16（1.6埃）工藝預(yù)計(jì)將在今年下半年亮相。

根據(jù)Tom's Hardware的數(shù)據(jù)，在技術(shù)優(yōu)勢(shì)方面，N2預(yù)計(jì)在相同功率下性能提升10%至15%，功耗降低25%至30%，同時(shí)晶體管密度較N3E在混合邏輯、模擬和SRAM設(shè)計(jì)中提升約15%。報(bào)告補(bǔ)充說，對(duì)于純邏輯芯片，密度提升可能高達(dá)N3E的20%。

2nm熱潮：旗艦芯片價(jià)格飆升

據(jù)TechNews報(bào)道，臺(tái)積電傳統(tǒng)上優(yōu)先為移動(dòng)設(shè)備和小型消費(fèi)芯片開發(fā)新工藝節(jié)點(diǎn)，因?yàn)槠湫酒叽巛^小，便于管理良率。然而，N2節(jié)點(diǎn)打破了這一慣例：智能手機(jī)以及更大規(guī)模的人工智能和高性能計(jì)算（HPC）設(shè)計(jì)的生產(chǎn)同時(shí)擴(kuò)大，反映了多個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，報(bào)告補(bǔ)充道。

隨著臺(tái)積電的2納米工藝正在擴(kuò)大其影響力，市場(chǎng)的目光卻緊盯著旗艦智能手機(jī)處理器價(jià)格的飆升。據(jù)AndroidHeadlines報(bào)道，高通驍龍8 Elite Gen 6 Pro可能是公司首款采用臺(tái)積電2nm工藝制造的芯片，預(yù)計(jì)定價(jià)超過300美元。

報(bào)告指出，其高昂的價(jià)格反映了其尖端的2納米制造工藝，每片晶圓的成本約為3萬美元——僅該處理器就占用了高端手機(jī)生產(chǎn)預(yù)算的近三分之一。

另一方面，MacRumors報(bào)道，蘋果基于臺(tái)積電2納米工藝打造的A20旗艦芯片預(yù)計(jì)每顆售價(jià)約為280美元——使其成為iPhone中最昂貴的組件。Wccftech表示，聯(lián)發(fā)科預(yù)計(jì)2026年推出的天璣9600也將采用臺(tái)積電的2納米工藝。