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臺(tái)積電
臺(tái)積電 文章 最新資訊
臺(tái)積電擬擴(kuò)大在美國(guó)投資，亞利桑那州芯片廠擴(kuò)建提速
- 在美國(guó)商務(wù)部舉辦的選擇美國(guó)投資峰會(huì)上，臺(tái)積電方面表示，在先進(jìn)半導(dǎo)體制造與人工智能基礎(chǔ)設(shè)施需求持續(xù)攀升的背景下，公司可能進(jìn)一步擴(kuò)大在美投資布局。在峰會(huì)期間被問及臺(tái)積電（2330.TW）是否會(huì)繼續(xù)在美投資時(shí)，侯永清博士回應(yīng)稱 “存在多種可能性”，并補(bǔ)充道公司已做好準(zhǔn)備，把握新的商業(yè)機(jī)遇與未來增長(zhǎng)空間。美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)霍華德?盧特尼克在峰會(huì)上表示，企業(yè)正大幅增加在美投資，尤其集中在人工智能基礎(chǔ)設(shè)施與半導(dǎo)體領(lǐng)域。他指出，僅臺(tái)積電和美光科技就已承諾投入數(shù)千億美元用于制造項(xiàng)目，而來自中國(guó)臺(tái)灣、日本、韓國(guó)的合作伙伴也紛紛表
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 芯片廠
CoWoS不夠用了？ 臺(tái)積電CoPoS成新解方！ 3大紅利族群現(xiàn)身
- 隨著AI算力需求狂飆，芯片面積不斷放大，傳統(tǒng)12吋晶圓封裝逐步逼近極限，臺(tái)積電CoPoS浮上臺(tái)面，成為產(chǎn)業(yè)高度關(guān)注的下一世代解決方案。 同時(shí)，這場(chǎng)從圓走向「方」的轉(zhuǎn)變，也將帶來制程、設(shè)備與材料體系的全面重構(gòu)，相關(guān)供應(yīng)鏈迎接新一波需求浪潮。近年來，隨著摩爾定律逐漸走到極限，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重心也逐步從單純的納米制程微縮，朝向先進(jìn)封裝技術(shù)的突破。 而隨著云端服務(wù)供應(yīng)商對(duì)大型語言模型的訓(xùn)練需求不斷升級(jí)，AI加速器芯片的設(shè)計(jì)趨勢(shì)，不可逆地朝向整合更多的運(yùn)算核心與更高容量的高帶寬記憶體（HBM）發(fā)展。 在這樣的架構(gòu)
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索尼牽手臺(tái)積電，發(fā)力下一代圖像傳感器
- 索尼半導(dǎo)體解決方案公司與臺(tái)積電就下一代圖像傳感器戰(zhàn)略合作簽署初步協(xié)議索尼與臺(tái)積電今日宣布，雙方已簽署一份無約束力諒解備忘錄（MOU），擬在下一代圖像傳感器的研發(fā)與制造領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作關(guān)系。根據(jù)合作規(guī)劃，索尼與臺(tái)積電擬設(shè)立合資公司（JV），由索尼擔(dān)任控股股東并負(fù)責(zé)運(yùn)營(yíng)管理，并在索尼位于日本熊本縣越市的新建晶圓廠內(nèi)搭建研發(fā)與產(chǎn)線。雙方將通過合資公司，結(jié)合索尼在圖像傳感器設(shè)計(jì)領(lǐng)域的技術(shù)積累，以及臺(tái)積電在先進(jìn)工藝與制造方面的核心優(yōu)勢(shì)，全面提升圖像傳感器性能。諒解備忘錄簽署后，雙方正就合資公司的潛在投資事宜展開磋商
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從封口令到獨(dú)供令 傳臺(tái)積電嚴(yán)控CoPoS供應(yīng)鏈
- 近期臺(tái)積電在先進(jìn)封裝上緊發(fā)條，加速CoWoS產(chǎn)能擴(kuò)充，也同步啟動(dòng)技術(shù)難度更高的面板級(jí)封裝CoPoS，希望截?cái)鄬?duì)手跟車。 業(yè)界傳出，臺(tái)積電針對(duì)CoPoS供應(yīng)鏈，以及其扶植的臺(tái)系多家設(shè)備、材料業(yè)者「下達(dá)封口令」，祭出合作協(xié)議簽定，確認(rèn)研發(fā)技術(shù)不外流，量產(chǎn)數(shù)年期限內(nèi)，只能「獨(dú)供臺(tái)積電」。這能否成功阻絕英特爾（Intel）、三星電子（Samsung Electronics）來襲，或封測(cè)代工（OSAT）推進(jìn)技術(shù)，牽動(dòng)未來半導(dǎo)體戰(zhàn)局。AI需求爆發(fā)，臺(tái)積電先進(jìn)封裝CoWoS技術(shù)，自2023年下半起開始大擴(kuò)產(chǎn)。
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臺(tái)積電SoIC路線圖：2029芯片堆疊邁向4.5μm間距，全力支撐AI算力
- 隨著先進(jìn)封裝在 AI 與高性能計(jì)算（HPC）的性能提升中占據(jù)更重要地位，臺(tái)積電正推進(jìn)其 3D 芯片堆疊路線圖，朝著更細(xì)互連間距、更高集成度方向發(fā)展。在圣克拉拉舉辦的2026 年北美技術(shù)論壇上公布的最新 SoIC 路線圖顯示，臺(tái)積電將從當(dāng)前的6μm互連間距，在 2029 年推進(jìn)至4.5μm?；旌湘I合晶粒堆疊的間距微縮，直接決定小芯片之間可布設(shè)的垂直互連數(shù)量，對(duì)算力密度至關(guān)重要。臺(tái)積電在論壇上單獨(dú)宣布：A14-on-A14 SoIC計(jì)劃于2029 年量產(chǎn)，其晶粒間 I/O 密度較N2-on-N2 SoIC再提
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股權(quán)脫鉤 臺(tái)積電清倉(cāng)手中Arm全部股權(quán)
- 全球最大晶圓代工廠臺(tái)積電周三提交的公告顯示，公司已出售手中所持有的安謀控股（Arm）的全部剩余股份。公告披露，臺(tái)積電旗下子公司TSMC Partners于4月28日至29日期間，以每股207.65美元的價(jià)格出售111萬股安謀股票，交易總額約2.31 億美元。本次股份處置對(duì)臺(tái)積電公司留存收益產(chǎn)生1.74 億美元影響。公告稱，本次交易屬于股權(quán)投資處置的一部分。此次交易完成后，臺(tái)積電不再持有任何Arm公司股份。不過由于Arm實(shí)體AGI CPU由臺(tái)積電代工，因此雙方現(xiàn)在的關(guān)系在以前生態(tài)合作伙伴的基礎(chǔ)上新增加了代工
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臺(tái)積電與三星1納米制程爭(zhēng)霸戰(zhàn)打響
- 據(jù)報(bào)道，隨著AI芯片需求的持續(xù)增長(zhǎng)，全球晶圓代工兩大巨頭臺(tái)積電與三星電子在先進(jìn)制程領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈。雙方圍繞1納米、2納米制程展開的戰(zhàn)略布局，展現(xiàn)出截然不同的發(fā)展節(jié)奏。據(jù)臺(tái)積電近期發(fā)布的發(fā)展藍(lán)圖顯示，公司計(jì)劃在2027年實(shí)現(xiàn)1納米等級(jí)制程的量產(chǎn)，首發(fā)為A16（即1.6納米）制程，隨后在2028年推出A14制程，并于2029年進(jìn)一步升級(jí)至A13和A12制程。其中，A13制程相較于A14能夠縮減6%的芯片面積，同時(shí)通過設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）提升能源效率與性能表現(xiàn)。而A12制程作為A14的強(qiáng)化版，將專為
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臺(tái)積電CoWoS晶圓平均售價(jià)接近7nm
- 據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》援引業(yè)內(nèi)消息，臺(tái)積電的CoWoS封裝技術(shù)已成為全球AI供應(yīng)鏈中供需最為緊張的核心資源之一。目前，單片CoWoS晶圓的平均售價(jià)約一萬美元，與7納米先進(jìn)制程工藝的價(jià)格相當(dāng)，標(biāo)志著封裝環(huán)節(jié)正式進(jìn)入高附加值競(jìng)爭(zhēng)領(lǐng)域。行業(yè)分析顯示，CoWoS業(yè)務(wù)憑借高產(chǎn)品均價(jià)和相對(duì)輕量化的資本開支結(jié)構(gòu)，有望實(shí)現(xiàn)與先進(jìn)制程相當(dāng)?shù)拿时憩F(xiàn)，商業(yè)盈利價(jià)值顯著。盡管臺(tái)積電先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)的毛利率暫時(shí)低于集團(tuán)整體平均水平，但隨著產(chǎn)能擴(kuò)張和規(guī)模效應(yīng)顯現(xiàn)，這一業(yè)務(wù)將成為企業(yè)未來核心盈利增長(zhǎng)點(diǎn)。機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2026年，臺(tái)積電CoWoS
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西門子與臺(tái)積電擴(kuò)大合作，共同推進(jìn)AI驅(qū)動(dòng)的芯片設(shè)計(jì)
- 西門子與臺(tái)積電正在深化合作，將AI 驅(qū)動(dòng)的自動(dòng)化技術(shù)全面融入半導(dǎo)體設(shè)計(jì)流程。此次合作是雙方現(xiàn)有伙伴關(guān)系的升級(jí)，重點(diǎn)是利用 AI 加速先進(jìn)工藝研發(fā)、提升設(shè)計(jì)效率。這一合作凸顯出頭部 EDA 廠商與晶圓代工廠正將 AI 深度嵌入芯片設(shè)計(jì)核心流程 —— 該領(lǐng)域直接影響先進(jìn)工藝的上市時(shí)間、良率與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。AI 全面滲透 EDA 設(shè)計(jì)流程雙方合作的核心是西門子 Fuse EDA AI 系統(tǒng)，該系統(tǒng)旨在自動(dòng)化復(fù)雜、多步驟的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)任務(wù)。兩家公司將借助西門子 Calibre 與 Aprisa 工具，重點(diǎn)優(yōu)化設(shè)計(jì)規(guī)則
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臺(tái)積電亞利桑那封裝廠正式動(dòng)工，2029年前建成本土產(chǎn)能
- 臺(tái)積電副COO兼全球銷售高級(jí)副總裁Kevin Zhang在加州圣克拉拉的行業(yè)會(huì)議上確認(rèn)，亞利桑那先進(jìn)封裝廠建設(shè)已正式啟動(dòng)，目標(biāo)是在2029年前建成CoWoS與3D-IC封裝能力。臺(tái)積電今年3月宣布將在美總投資擴(kuò)大至1650億美元，規(guī)劃涵蓋三座新晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施及一個(gè)研發(fā)中心，是美國(guó)歷史上規(guī)模最大的單筆外國(guó)直接投資。截至目前，臺(tái)積電已在鳳凰城三座晶圓廠上累計(jì)投入超過650億美元。在此之前，臺(tái)積電在今年1月的財(cái)報(bào)電話會(huì)上表示，正在為亞利桑那廠區(qū)的首座先進(jìn)封裝廠申請(qǐng)建設(shè)許可，但未披露投產(chǎn)時(shí)間表。此次會(huì)議
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 美國(guó)封裝廠
ASML最強(qiáng)EUV碰壁！ 臺(tái)積電喊「太貴」真實(shí)盤算曝光
- 臺(tái)積電在2026年北美技術(shù)論壇指出，2029年底沒有計(jì)劃導(dǎo)入艾司摩爾（ASML）最先進(jìn)的微影設(shè)備，此消息沖擊ASML股價(jià)跌逾1%，臺(tái)積電ADR大幅上漲逾5%，顯示投資人對(duì)臺(tái)積電以較低成本推進(jìn)技術(shù)的策略給予正面評(píng)價(jià)。根據(jù)《路透》報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電并未規(guī)劃在2029年前采用ASML最新一代高數(shù)值孔徑極紫外光微影設(shè)備（High-NA EUV）投入芯片量產(chǎn)，主因在于該設(shè)備成本極為高昂。臺(tái)積電暫緩導(dǎo)入新設(shè)備 成本高昂是關(guān)鍵臺(tái)積電副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)直言，ASML新世代High-NA EUV設(shè)備價(jià)格「非常、非常昂貴」，該設(shè)備
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 臺(tái)積電
「硅通膨」世代到來！ 臺(tái)積電、NVIDIA供應(yīng)鏈點(diǎn)亮AI驚奇秀
- 「硅通膨」已反應(yīng)到火熱的臺(tái)灣資本市場(chǎng)當(dāng)中，臺(tái)積電、NVIDIA持續(xù)引領(lǐng)電子業(yè)上下游營(yíng)運(yùn)起飛。總體經(jīng)濟(jì)與國(guó)際局勢(shì)不穩(wěn)，中國(guó)臺(tái)灣資本市場(chǎng)卻上演驚奇秀。 信驊、穎崴屢屢創(chuàng)下資本市場(chǎng)中的驚人紀(jì)錄，迎來「萬金世代」。 「千金俱樂部」業(yè)者也達(dá)40多家，曾經(jīng)的大立光，在現(xiàn)階段觀察，也已不足為奇。半導(dǎo)體人士表示，表面上是資本市場(chǎng)價(jià)格飆升，然此情勢(shì)，其實(shí)可看作是圍繞AI算力的全球產(chǎn)業(yè)權(quán)力與版圖重分配。業(yè)者表示，這一波「大千金時(shí)代」并非單純資金行情，而是中國(guó)臺(tái)灣供應(yīng)鏈在AI基礎(chǔ)建設(shè)中掌握關(guān)鍵技術(shù)后，所引發(fā)的結(jié)構(gòu)性重估，「跟對(duì)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 NVIDIA AI
馬斯克“對(duì)線”魏哲家：對(duì)Terafab的可行性存在分歧
- 2026年3月，埃隆·馬斯克（Elon Musk）正式宣布啟動(dòng)「Terafab」芯片工廠項(xiàng)目。從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造到封裝測(cè)試，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈被整合進(jìn)同一體系之中，這在當(dāng)前高度分工的半導(dǎo)體行業(yè)中顯得尤為激進(jìn)。這一項(xiàng)目由Tesla、SpaceX以及xAI聯(lián)合推進(jìn)，計(jì)劃在美國(guó)德州建設(shè)一個(gè)高度垂直整合的超級(jí)半導(dǎo)體制造基地。按照規(guī)劃，該項(xiàng)目初始投資約200億美元，并計(jì)劃實(shí)現(xiàn)每年1太瓦級(jí)別的AI算力產(chǎn)出。這一目標(biāo)遠(yuǎn)高于當(dāng)前行業(yè)平均水平，意味著馬斯克的野心并非“補(bǔ)位”，而是試圖重新定義芯片制造的規(guī)模與效率。臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲
- 關(guān)鍵字： 馬斯克 魏哲家 Terafab 臺(tái)積電 晶圓代工 AI
臺(tái)積電1納米以下程震撼曝光 揭秘第一家簽約大戶
- 臺(tái)積電在先進(jìn)制程研發(fā)持續(xù)領(lǐng)先，繼1.4納米制程定于2028年下半年啟動(dòng)量產(chǎn)后，市場(chǎng)預(yù)期，臺(tái)積電1納米以下制程可望于2029年進(jìn)入試產(chǎn)階段，蘋果（Apple）極有可能成為首批客戶之一。先進(jìn)制程藍(lán)圖曝光 1.4納米瞄準(zhǔn)2028量產(chǎn)受惠于人工智能（AI）浪潮推動(dòng)先進(jìn)制程需求，臺(tái)積電2納米技術(shù)已于2025年第四季正式量產(chǎn)，消息指出，該制程產(chǎn)能已獲主要客戶提前預(yù)訂至2028年，反映出高效能運(yùn)算（HPC）與AI芯片進(jìn)入長(zhǎng)期供不應(yīng)求階段。據(jù)DigiTimes報(bào)道，臺(tái)積電已制定明確的未來技術(shù)路徑圖，持續(xù)擴(kuò)張領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。 據(jù)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 1納米
臺(tái)積電介紹
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介
臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]
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