臺積電在2026年北美技術(shù)論壇指出，2029年底沒有計劃導(dǎo)入艾司摩爾（ASML）最先進的微影設(shè)備，此消息沖擊ASML股價跌逾1%，臺積電ADR大幅上漲逾5%，顯示投資人對臺積電以較低成本推進技術(shù)的策略給予正面評價。

根據(jù)《路透》報導(dǎo)，臺積電并未規(guī)劃在2029年前采用ASML最新一代高數(shù)值孔徑極紫外光微影設(shè)備（High-NA EUV）投入芯片量產(chǎn)，主因在于該設(shè)備成本極為高昂。

臺積電暫緩導(dǎo)入新設(shè)備 成本高昂是關(guān)鍵

臺積電副共同營運長張曉強直言，ASML新世代High-NA EUV設(shè)備價格「非常、非常昂貴」，該設(shè)備單臺價格超過3.5億歐元 （約4.1億美元，折合約新臺幣131.2億），因此公司現(xiàn)階段仍將以既有EUV曝光機為核心，透過持續(xù)優(yōu)化與技術(shù)升級來推進制程發(fā)展。

張曉強表示，公司將持續(xù)以現(xiàn)有EUV設(shè)備為基礎(chǔ)進行深化發(fā)展，而非急于導(dǎo)入新世代設(shè)備。 他指出，研發(fā)團隊已成功在既有技術(shù)上挖掘更多潛力，并穩(wěn)步推進未來制程藍圖。 他也強調(diào)，臺積電在極紫外光刻技術(shù)上的累積與優(yōu)化能力，是公司重要的競爭優(yōu)勢之一。

報導(dǎo)指出，臺積電近期展示的新一代制程技術(shù)，強調(diào)即使不依賴最新High-NA EUV設(shè)備，仍可持續(xù)縮小芯片尺寸并提升運算效能，展現(xiàn)其在制程整合與工程優(yōu)化上的實力。

除了制程技術(shù)外，臺積電也同步揭露先進封裝與多芯片整合的進展。 公司預(yù)估，到2028年時，將可在單一封裝中整合最多10顆大型運算芯片，并搭配20組高帶寬記憶體，顯著提升AI芯片的整體效能，滿足高速運算與資料處理需求。

晶片制造成本攀升 投資更趨審慎

《Financial Post》分析，臺積電選擇延后導(dǎo)入High-NA EUV設(shè)備對ASML來說可能并非好兆頭，而且臺積電的技術(shù)選擇對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著廣泛的影響，它是最大的設(shè)備買家，擁有最龐大的新工廠和設(shè)備預(yù)算，在制造技術(shù)方面也處于領(lǐng)先地位，其技術(shù)常常被競爭對手效仿，這項決定不僅反映成本與效益的權(quán)衡，也可能影響未來整體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展節(jié)奏。

《Financial Post》也提到，芯片制造成本日益高昂，全球頂尖半導(dǎo)體制造商必須謹慎支出以維持獲利能力，如今，建造一座最先進的芯片工廠大約需要200億至300億美元，而制造最先進人工智能芯片所需的ASML入門級EUV光刻機，售價也超過2億美元。