數(shù)據(jù)中心與消費(fèi)電子芯片拉動(dòng)臺(tái)積電一季度營(yíng)收增長(zhǎng)
臺(tái)積電今日公布的第一季度營(yíng)收與利潤(rùn)均超出市場(chǎng)一致預(yù)期。
公司的數(shù)據(jù)中心芯片與消費(fèi)電子芯片業(yè)務(wù),是本次業(yè)績(jī)超預(yù)期的主要驅(qū)動(dòng)力。
臺(tái)積電今年前三個(gè)月?tīng)I(yíng)收達(dá)1.134 萬(wàn)億新臺(tái)幣(約 350 億美元),同比增長(zhǎng) 35%,小幅超出市場(chǎng)預(yù)期。臺(tái)積電表示,其74% 的晶圓營(yíng)收來(lái)自先進(jìn)工藝板塊,包括 2018 年推出的 7 納米及之后更新的制程。
公司最主流的制造工藝是 2020 年量產(chǎn)的 3 納米節(jié)點(diǎn),采用該工藝制造的芯片貢獻(xiàn)了36% 的營(yíng)收。更新一代的 3 納米工藝營(yíng)收占比從去年同期的 22% 升至25%。
臺(tái)積電尚未單獨(dú)披露最新 2 納米節(jié)點(diǎn)的銷售額。該工藝于去年底量產(chǎn),目前仍在持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),現(xiàn)階段在其 11 座晶圓廠中的2 座生產(chǎn) 2 納米產(chǎn)品。
臺(tái)積電正在開(kāi)發(fā)新版本節(jié)點(diǎn)N2P,預(yù)計(jì) 2026 年下半年量產(chǎn),性能較標(biāo)準(zhǔn) 2 納米提升 5%。公司預(yù)計(jì)該技術(shù)未來(lái)可能成為 2 納米的主流方案。
N2P 之后,臺(tái)積電計(jì)劃推出速度更快的N2X工藝,專為顯卡等高速數(shù)據(jù)中心芯片優(yōu)化。
處理器由基本單元 “單元(cell)” 構(gòu)成,每個(gè)單元包含少量晶體管。N2X 提供兩種單元:標(biāo)準(zhǔn)單元與高速單元。臺(tái)積電會(huì)將高速單元嵌入客戶服務(wù)器芯片的關(guān)鍵部位以提升性能。
臺(tái)積電高性能計(jì)算(HPC)板塊(含數(shù)據(jù)中心芯片)營(yíng)收環(huán)比大增 20%,是僅次于數(shù)字消費(fèi)電子(DCE)的第二大增長(zhǎng)業(yè)務(wù)。數(shù)字消費(fèi)電子部門(mén)為智能電視、VR 頭顯等設(shè)備提供芯片,銷售額環(huán)比增長(zhǎng) 28%。
臺(tái)積電采用六種 legacy 節(jié)點(diǎn)制造 DCE 處理器,其中最新的是 2019 年推出的工藝。客戶可選擇在芯片中集成嵌入式 RRAM,這是一種專為低功耗優(yōu)化的特殊內(nèi)存。
芯片需求上升顯著改善了臺(tái)積電的盈利水平。公司凈利潤(rùn)181.1 億美元,同比大增 58%,超出分析師預(yù)期。得益于降本、產(chǎn)能利用率提升與匯率利好,臺(tái)積電毛利率環(huán)比提升3.9 個(gè)百分點(diǎn)。
臺(tái)積電預(yù)計(jì)全年?duì)I收增長(zhǎng)超 30%。資本開(kāi)支(含光刻機(jī)等重大設(shè)備采購(gòu))預(yù)計(jì)落在520 億–560 億美元區(qū)間的上沿,與 1 月給出的指引一致。














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