極紫外光刻機(jī) 文章最新資訊

阿斯麥將極紫外光刻機(jī)光源功率提升至1000瓦，助力提升芯片良率、降低制造成本

阿斯麥（ASML）宣布將極紫外光刻（EUV）設(shè)備的核心光源功率提升至1000 瓦，這一技術(shù)突破將直接推動(dòng)先進(jìn)制程芯片的生產(chǎn)良率提升，同時(shí)有效降低單顆芯片的制造成本，成為先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一重要技術(shù)進(jìn)展。在極紫外光刻技術(shù)中，光源功率是決定光刻機(jī)生產(chǎn)效率與芯片良率的核心指標(biāo)之一。更高的光源功率能夠讓光刻機(jī)在晶圓曝光過(guò)程中，實(shí)現(xiàn)更快的光刻速度與更穩(wěn)定的圖案轉(zhuǎn)移效果：一方面，更高的功率可縮短單晶圓的曝光時(shí)間，提升光刻機(jī)的單位時(shí)間產(chǎn)能；另一方面，穩(wěn)定的高功率光源能減少光刻過(guò)程中的圖案偏差、線寬不均勻等問(wèn)題，大幅
關(guān)鍵字：阿斯麥極紫外光刻機(jī) 光源功率芯片良率 ASML EUV

IMEC已成功演示利用ASML最先進(jìn)的極紫外（EUV）設(shè)備，實(shí)現(xiàn)納米孔徑的全晶圓級(jí)制備。ASML的產(chǎn)品傳播經(jīng)理稱其為“意外地出色的生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用”，這可能是一項(xiàng)重要進(jìn)展，因?yàn)榧{米孔開(kāi)辟了分子感測(cè)的可能性。納米孔的特性在生物醫(yī)學(xué)中備受關(guān)注。正如你可能從詞源中推斷的，納米孔本質(zhì)上是幾納米寬的微小孔洞。用更貼近生活的說(shuō)法來(lái)說(shuō)，這些毛孔的直徑大約是人類頭發(fā)的一萬(wàn)倍。這么微小的穿孔有什么用？納米孔可以被生物醫(yī)學(xué)傳感器利用，因?yàn)榉肿优c其相互作用的方式。它們?cè)跈z測(cè)中的科學(xué)原理是：測(cè)量到流經(jīng)納米孔的離子電流，分子通過(guò)時(shí)會(huì)產(chǎn)
關(guān)鍵字： ASML芯片極紫外光刻機(jī) 生物醫(yī)學(xué) 分子傳感納米孔

芯研所消息，ASML第一臺(tái)全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻機(jī)系統(tǒng)已經(jīng)交付給客戶，和前代產(chǎn)品相比生產(chǎn)力提高了約15-20％，套刻精度提高了約30％。據(jù)了解，本次交付的TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻機(jī)的EUV光源波長(zhǎng)13.5nm左右，物鏡NA數(shù)值孔徑0.33，第二代EUV光刻機(jī)將會(huì)是NXE:5000系列，物鏡NA提升到0.55，進(jìn)一步提高光刻精度。ASML表示，正努力增加EUV光刻機(jī)在存儲(chǔ)行業(yè)的量產(chǎn)應(yīng)用，計(jì)劃協(xié)助三個(gè)DRAM內(nèi)存芯片客戶在未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)中導(dǎo)入EUV。
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