閃存文章最新資訊

效仿 HBM 架構(gòu) 高帶寬堆疊閃存 HBF 正式問世

本文要點(diǎn)全新堆疊式 3D 閃存 HBF 架構(gòu)對標(biāo) ? ? ?HBM，專為 AI 算力處理場景打造HBF 存儲容量遠(yuǎn)超傳統(tǒng)內(nèi)存，可就近靜態(tài)存放 AI 模型權(quán)重參數(shù)，并優(yōu)化讀取速率今年下半年推出 HBF 工程樣片，搭載該存儲的 AI 加速芯片預(yù)計(jì) 2027 年面世當(dāng)下主流大模型 AI 推理任務(wù)需要調(diào)用數(shù)十億級參數(shù)，參數(shù)數(shù)據(jù)調(diào)度搬運(yùn)耗費(fèi)大量時間與能耗。業(yè)界正推動高帶寬閃存（HBF）標(biāo)準(zhǔn)化落地，旨在將海量模型權(quán)重就近部署，直接與 GPU 封裝集成。閃存具備大容量、無需刷新數(shù)據(jù)的優(yōu)勢
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1864億！SK海力士達(dá)營業(yè)利潤率高達(dá)72%，碾壓臺積電

2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長60%，同比增長198%；營業(yè)利潤 37.61 萬億韓元（1737.6 億元人民幣），同比增長 405.5%；凈利潤 40.34 萬億韓元（1863.7 億元人民幣），同比增長 397.6%。從季度業(yè)績來看，銷售額首次突破50萬億韓元大關(guān)，營業(yè)利潤為37.6萬億韓元，營業(yè)利潤率達(dá)
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NAND報(bào)價(jià)狂漲：LTA將成為存儲器行業(yè)主流模式

本輪半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的核心引擎，當(dāng)屬NAND閃存的價(jià)格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預(yù)測，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價(jià)格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達(dá)40%，缺口持續(xù)擴(kuò)大助推價(jià)格飆升。DRAM漲幅逐步收斂，反觀NAND價(jià)格動能轉(zhuǎn)強(qiáng)，甚至超越DRAM：預(yù)估一般型DRAM在第二季度合約價(jià)格將上漲約58%-63%，NAND閃存則上漲約70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND產(chǎn)能幾近消失，終端客戶庫存普遍僅剩六至九個月，供需結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)趨緊繃。大摩科技產(chǎn)業(yè)分析師在最新釋出的報(bào)告中指
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應(yīng)用材料攜手美光加速HBM、閃存及DRAM技術(shù)研發(fā)

應(yīng)用材料公司今日宣布，正與美光科技展開合作，研發(fā)新一代動態(tài)隨機(jī)存取存儲器、高帶寬內(nèi)存及閃存解決方案，以提升人工智能系統(tǒng)的高能效表現(xiàn)。雙方整合了應(yīng)用材料位于硅谷的 EPIC 創(chuàng)新中心的先進(jìn)研發(fā)能力，以及美光位于愛達(dá)荷州博伊西的頂尖創(chuàng)新中心資源，助力鞏固美國半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)體系。應(yīng)用材料總裁兼首席執(zhí)行官加里?迪克森表示：“應(yīng)用材料與美光長期保持合作關(guān)系，始終致力于通過突破材料工程與制造創(chuàng)新的邊界，打造性能更優(yōu)、能效更高的先進(jìn)存儲芯片。下一代存儲技術(shù)在人工智能系統(tǒng)的未來發(fā)展中愈發(fā)關(guān)鍵，我們十分欣喜能以 EP
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未來傾向于UFS用于高性能嵌入式閃存

如今閃存已經(jīng)無處不在，以至于在它成為性能瓶頸之前，人們很容易忽略它的存在。小到物聯(lián)網(wǎng)微控制器里的固件，大到數(shù)據(jù)中心里為 AI 加速器提供的數(shù)據(jù)，全都靠它存儲。幾十年來，NAND 閃存不斷提升密度、降低成本，催生出從消費(fèi)級設(shè)備到云端存儲的一整條產(chǎn)品生態(tài)，包括 SSD、U 盤、存儲卡、智能手機(jī)與云存儲等。這項(xiàng)技術(shù)最早可追溯到 1987 年，當(dāng)時東芝（如今其存儲業(yè)務(wù)獨(dú)立為鎧俠 KIOXIA）推出 NAND 閃存，作為高密度替代 NOR 閃存的方案。從那以后，NAND 閃存逐步發(fā)展成一套完整的技術(shù)棧，涵蓋存儲單元
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NAND閃存供應(yīng)緊張群聯(lián)電子要求客戶縮短賬期并預(yù)付貨款

NAND 閃存供應(yīng)商的經(jīng)營壓力，終于傳導(dǎo)至群聯(lián)電子。就在幾周前，群聯(lián)電子首席執(zhí)行官還透露，已有至少一家 NAND 閃存晶圓代工廠要求客戶預(yù)付貨款。如今，這家企業(yè)自身也難逃供應(yīng)緊張帶來的壓力。據(jù)《電子時報(bào)》亞洲版報(bào)道，群聯(lián)電子已開始要求旗下客戶采用預(yù)付貨款或縮短付款周期的結(jié)算方式。群聯(lián)電子在致客戶的信函中表示，“核心供應(yīng)商近期已調(diào)整付款要求，改為預(yù)付貨款或縮短付款周期”，而公司 “在過去一段時間里，一直為客戶的訂單提供資金支持”。這意味著，群聯(lián)電子此前已向部分 NAND 閃存供應(yīng)商支付了預(yù)付款，如今不得不將
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卷翻內(nèi)存市場中國存儲廠商加速擴(kuò)張產(chǎn)能

全球存儲器市場爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴(kuò)張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來競爭壓力，后續(xù)發(fā)展備受市場關(guān)注。長江存儲祭彎道超車奇招朝鮮日報(bào)英文版《The Chosun Daily》報(bào)道，長江存儲武漢三廠于2025年9月動工，原先預(yù)估須待2027年才具備正式量產(chǎn)條件。然而，當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體業(yè)界人士透露，長江存儲近期已密集下達(dá)NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備采購訂單，并同步進(jìn)行工廠啟動與產(chǎn)
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芯?？萍歼M(jìn)軍NOR閃存市場

中國本土芯片企業(yè)芯?？萍迹–msemicon）正式推出其首款非易失性存儲芯片，發(fā)布旗下首款閃存產(chǎn)品CMS25Q40A，標(biāo)志著公司正式且實(shí)質(zhì)性地進(jìn)軍存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域。據(jù)報(bào)道，該產(chǎn)品是一款容量為4兆位（4Mbit）、低功耗的SPI接口NOR Flash芯片。其存儲陣列由2,048個可編程頁組成，每頁大小為256字節(jié)，單次寫入操作最大可編程數(shù)據(jù)量達(dá)256字節(jié)。該芯片支持多種擦除模式，具備成本低、功耗低、高速SPI讀寫性能以及斷電后數(shù)據(jù)可長期保存等優(yōu)勢，主要面向小容量存儲應(yīng)用場景，包括嵌入式MCU程序存儲、小型智能
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三星閃存，漲價(jià)100%

周樂/券商中國存儲芯片漲價(jià)潮愈演愈烈。據(jù)最新消息，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的價(jià)格提高了一倍多，漲幅遠(yuǎn)超市場預(yù)期。目前三星電子已經(jīng)著手與客戶就第二季度的NAND價(jià)格進(jìn)行新一輪談判，市場普遍預(yù)計(jì)價(jià)格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。多家機(jī)構(gòu)分析認(rèn)為，AI浪潮驅(qū)動的“存儲芯片超級周期”正全面到來?；ㄆ祛A(yù)計(jì)，2026年動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）與閃存產(chǎn)品的平均售價(jià)或?qū)⒎謩e上漲88%、74%，漲幅高于該行此前預(yù)測的53%、44%。價(jià)格暴漲1月25日，據(jù)韓國《電子時報(bào)》報(bào)道，今年第一季度，三星電子將NAND
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三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期

援引市場研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計(jì)占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進(jìn)一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬片縮減至468萬片，SK海力士則同步跟進(jìn)，產(chǎn)能從2025年的190萬片降至170萬片。在英偉達(dá)等公司引領(lǐng)的推理人工智能（AI）領(lǐng)域競爭日益激烈的背景下，作為關(guān)鍵組件的NAND閃存供應(yīng)緊張，增加了包括服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備在內(nèi)的所有領(lǐng)域價(jià)格持續(xù)上漲的可能性。分析師預(yù)測，這將對三星電子和SK海力士的
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蘋果iPhone 18系列售價(jià)曝光：起步維持原價(jià)，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團(tuán)、美國銀行及摩根大通的分析報(bào)告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價(jià)方面，蘋果雖然會極力維持起步機(jī)型的發(fā)售價(jià)與前代持平，但在高存儲容量版本上，消費(fèi)者將面臨比以往更大的價(jià)格漲幅。Freedom Capital Markets 技術(shù)研究主管 Paul Meeks 分析認(rèn)為，全球科技企業(yè)對 AI 算力的狂熱需求，導(dǎo)致內(nèi)存市場供不應(yīng)求，這種短缺狀態(tài)預(yù)計(jì)將至少持續(xù)兩年。即便蘋果擁有強(qiáng)大的供應(yīng)鏈議價(jià)能力，也難以完全消化這部分上漲的物料清
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傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術(shù)：用于400+層的第10代V-NAND閃存

上個月有報(bào)道稱，長江存儲（YMTC）已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實(shí)現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。據(jù)TrendForce報(bào)道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，采用長江存儲的專利混合鍵合技術(shù)。三星的目標(biāo)是在2025年下半年開始量產(chǎn)第10代V-NAND閃存，預(yù)計(jì)總層數(shù)達(dá)到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進(jìn)行專利協(xié)議的談判。
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存儲還要繼續(xù)瘋！英偉達(dá)ICMSP讓閃存漲停，黃仁勛要一統(tǒng)存儲處理器

英偉達(dá)推出全新推理上下文（Inference Context）內(nèi)存存儲平臺（ICMSP），通過將推理上下文卸載（Offload）至NVMe SSD的流程標(biāo)準(zhǔn)化，解決KV緩存容量日益緊張的問題。該平臺于 2026 年國際消費(fèi)電子展（CES 2026）正式發(fā)布，致力于將GPU的KV緩存（Key-Value Cache）擴(kuò)展至基于 NVMe 的存儲設(shè)備，并獲得英偉達(dá) NVMe 存儲合作伙伴的支持。此消息一出，引爆的是本就漲到高不可攀的存儲廠商股價(jià)，多家存儲廠商和閃存控制器廠商股價(jià)直接漲停，閃存極有可能步DRAM
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長江存儲對美國國防部、商務(wù)部發(fā)起訴訟

據(jù)路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實(shí)體清單”一事分別向美國國防部、美國商務(wù)部發(fā)起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯(lián)邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認(rèn)定。長江存儲成立于2016年7月，是國內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導(dǎo)體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態(tài)。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》，位列中國十大獨(dú)角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。
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1.2V I/O SPI NOR 閃存降低整體系統(tǒng)成本與功耗

如今，邊緣人工智能、汽車、清潔能源和通信等新興市場領(lǐng)域，廣泛采用基于 10 納米及以下制程的系統(tǒng)級芯片（SoC）。先進(jìn) SoC 的工作電壓低至 1.2V 甚至更低。若要支持許多 NOR 閃存采用的 1.8V 等高電壓 I/O 結(jié)構(gòu)，會增加 SoC 的芯片面積并提高成本。而具備 1.2V 輸入 / 輸出（VIO）特性的 NOR 閃存器件，既能降低成本，又能減少功耗。傳統(tǒng)外部閃存器件的供電電壓通常為 3.3V 或 1.8V，支持高速讀取、快速編程和快速擦除等高性能操作。若將這些器件與 1.2V SoC 搭配使
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]