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三星擬將iPhone用LPDDR價(jià)格環(huán)比上調(diào)超80%

三星電子與SK海力士可能大幅上調(diào)供應(yīng)給蘋果iPhone的LPDDR內(nèi)存價(jià)格。據(jù)ZDNet援引業(yè)內(nèi)人士消息，兩家公司已在2026年第一季度與蘋果就LPDDR供貨價(jià)格展開談判，并提出顯著漲價(jià)要求：三星電子尋求環(huán)比（QoQ）漲幅超過80%，而SK海力士則據(jù)稱要求漲價(jià)約100%。報(bào)道稱，蘋果作為全球領(lǐng)先的智能手機(jī)廠商，歷來憑借其龐大的采購規(guī)模以相對(duì)較低的價(jià)格獲得LPDDR內(nèi)存。然而，自去年年中以來，內(nèi)存供應(yīng)持續(xù)趨緊，蘋果似乎已難以抵擋整體市場(chǎng)價(jià)格上漲的趨勢(shì)。因此，三星電子和SK海力士有望在2026年第一季度進(jìn)一步
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DDR5內(nèi)存現(xiàn)在可能比PlayStation 5還貴

64GB DDR5內(nèi)存的平均價(jià)格已飆升至500美元以上。如果你想要128GB的，預(yù)計(jì)要花比買電腦更高的價(jià)格。價(jià)格還在上漲：PC內(nèi)存的價(jià)格已經(jīng)高到64GB?DDR5內(nèi)存包輕松超過500美元，甚至超過索尼PlayStation 5。隨著對(duì)人工智能數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)侵蝕內(nèi)存供應(yīng)，PC制造商注意到近期價(jià)格達(dá)到了新的水平。與今年早些時(shí)候相比，價(jià)格上漲幅度在120%到200%之間，尤其是對(duì)于較新的DDR5內(nèi)存。例如，一對(duì)32GBDDR5內(nèi)存條（總共64GB）的平均價(jià)格已超過600美元，較 PCPartPic
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中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格每天都在上漲：16GB DDR4模組10月飆升160%

由于內(nèi)存超級(jí)周期沒有放緩的跡象，定價(jià)已經(jīng)從季度周期轉(zhuǎn)向快速、每月甚至每日調(diào)整。第一財(cái)經(jīng)援引中國(guó)最大的電子中心深圳華強(qiáng)北的交易員的話報(bào)道稱，飆升速度如此之快，就像“每天都有新價(jià)格”，這是多年來罕見的速度。DDR4 和 DDR5 引領(lǐng)潮流據(jù)第一財(cái)經(jīng)全球報(bào)道，從9月開始，內(nèi)存模組價(jià)格出現(xiàn)大幅上漲，并一直持續(xù)到現(xiàn)在。具體而言，報(bào)告指出，8 月份銷售價(jià)格低于 90 元人民幣的 8GB DDR4 模塊在一個(gè)月內(nèi)上漲至 100-130 元人民幣，高達(dá) ~44%。據(jù)報(bào)道，10月份漲勢(shì)加速，16GB DDR4模塊從200元
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DDR 的 PCB布局及走線要求

1. 定義DDR：Double Date Rate 雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR、DDR2、DDR3常用規(guī)格：2. 阻抗控制要求單端走線控制 50 歐姆，差分走線控制 100 歐姆3. DDR 布局要求通常，根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。A、DDR*1 片，一般采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的布局方式，靠近主控，相對(duì)飛線 Bank 對(duì)稱。間距可以按照是實(shí)際要求進(jìn)行調(diào)整，推薦間距為 500-800mil。B、DDR*2 片，布局相對(duì)主控飛線 Bank 對(duì)稱，常采用 T 型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，推薦間距如下：等長(zhǎng)要求
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通過 SDRAM 調(diào)整提升樹莓派的性能

樹莓派工程師調(diào)整了 Pi 的 SDRAM 時(shí)序和其他內(nèi)存設(shè)置，在默認(rèn)的 2.4 GHz 時(shí)鐘下實(shí)現(xiàn)了 10-20%的速度提升。我當(dāng)然要測(cè)試超頻，這讓我在 3.2 GHz 時(shí)獲得了 32% 的速度提升！這些更改可能很快就會(huì)在所有 Pi 5 和 Pi 4 用戶的固件更新中推出。樹莓派的工程師們正在進(jìn)一步調(diào)整內(nèi)存時(shí)序，他們與美光公司進(jìn)行了溝通，并實(shí)施了一系列小的調(diào)整，這些調(diào)整——連同 NUMA 模擬——真正為多核工作負(fù)載帶來了性能提升。甚至對(duì)單核也有小小的改進(jìn)！SDRAM 刷新間隔目前使用默認(rèn)數(shù)據(jù)表設(shè)置。實(shí)際上
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電源DDR硬件設(shè)計(jì)技巧

1、電源DDR的分類A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內(nèi)核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有專門的VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮電壓、電流是否滿足要求。電源的上電順序和電源的上電時(shí)間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計(jì)時(shí)，如果有一個(gè)完整的電源平面
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雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存簡(jiǎn)介

了解雙數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲(chǔ)器的關(guān)鍵概念和圍繞這一數(shù)字通信技術(shù)的應(yīng)用，其中兩個(gè)數(shù)據(jù)字在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸。串行數(shù)據(jù)傳輸比并行數(shù)據(jù)傳輸具有重要優(yōu)勢(shì)，并且在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢(shì)足夠顯著，足以證明添加串行化和反串行化并行數(shù)據(jù)的電路是合理的，從而可以將其作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而，計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器是并行數(shù)據(jù)傳輸仍然普遍存在的一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。由于它們可以同時(shí)讀取和寫入許多數(shù)字信號(hào)，并行接口速度很快，設(shè)計(jì)師們一直在尋找使其更快的方法。一種用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率的大幅提高的古老但仍然相關(guān)的技術(shù)被稱為雙泵浦，而這一特性正是將存儲(chǔ)器系
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存儲(chǔ)大廠現(xiàn)場(chǎng)展示HBM3E產(chǎn)品

近日，存儲(chǔ)大廠美光科技在GTC 2024活動(dòng)，展示一系列存儲(chǔ)解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢(shì)的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲(chǔ)解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲(chǔ)器工作負(fù)載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲(chǔ)器模組，并攜手MemVerg
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集邦咨詢：存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
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2024年，存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！

邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
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DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時(shí)間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計(jì)時(shí)，如果有一個(gè)完整的電源平
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你所需要知道的HBM技術(shù)

在2024年即將到來之際，多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測(cè)，認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長(zhǎng)重點(diǎn)之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場(chǎng)的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長(zhǎng)空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時(shí)，也極大帶動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

簡(jiǎn)單解釋ROMROM：只讀存儲(chǔ)器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機(jī)啟動(dòng)如啟動(dòng)光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時(shí)，計(jì)算機(jī)將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)系統(tǒng)存放存儲(chǔ)器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲(chǔ)器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場(chǎng)完成。RAMRAM：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器
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燦芯半導(dǎo)體推出兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)用于DDR物理層

一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency （零延遲）和True-Adaptive（真自適應(yīng)）兩項(xiàng)技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)開始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理層IP上進(jìn)行部署，將為客戶帶來更高效、更穩(wěn)定的全新體驗(yàn)。 Zero-Latency （零延遲）技術(shù)在讀數(shù)據(jù)通路上，采用了兩種可選的、獨(dú)特的采樣方式進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，而不像其他DDR物理層供貨商采用FIFO進(jìn)行跨時(shí)鐘域轉(zhuǎn)換，此技術(shù)將延遲降低
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三維封裝DDR2存儲(chǔ)器VD2D4G72XB191XX3U6測(cè)試

DDR2 SDRAM具有速度快、價(jià)格便宜、容量大的特點(diǎn)，應(yīng)用非常廣泛。通過采用三維封裝技術(shù)將5片數(shù)據(jù)位寬為16 bits的DDR2 SDRAM芯片封裝成一個(gè)存儲(chǔ)模塊VD2D4G72XB191XX3U6，在不額外占用PCB面積的情況下，提高了存儲(chǔ)容量，并將位寬擴(kuò)展到72 bits。
關(guān)鍵字： DDR2 SDRAM Magnum 2測(cè)試系統(tǒng) VD2D4G72XB191XX3U6 202205