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sk海力士 文章 最新資訊

SK海力士與美史丹佛大學(xué)攜手研發(fā)類(lèi)人腦半導(dǎo)體元件

  •   SK海力士(SK Hynix)與美國(guó)史丹佛大學(xué)(Stanford University)以及相關(guān)設(shè)備及材料業(yè)者合作,將共同研發(fā)結(jié)構(gòu)類(lèi)似人類(lèi)腦神經(jīng)構(gòu)造的新半導(dǎo)體元件,期盼能提升巨量資料(Big Data)的運(yùn)算速度,加速人工智能(AI)時(shí)代來(lái)臨。   據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),日前SK海力士與美國(guó)史丹佛大學(xué)簽約,將合作研發(fā)利用鐵電材料(Ferroelectrics)的人工神經(jīng)網(wǎng)路半導(dǎo)體元件(Artificial Neural Network Devices)。這項(xiàng)研究計(jì)劃的參與單位還包括半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者科林研發(fā)(
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)還能熱多久?SK海力士年K線飆35%、還將續(xù)漲20%?

  •   據(jù)海外媒體報(bào)道,存儲(chǔ)器價(jià)格超夯,今年至今韓廠SK 海力士 (SK Hynix )已經(jīng)飆升35%,部分外資相當(dāng)樂(lè)觀,預(yù)言還有20%上行空間。   巴倫(Barronˋs)14日?qǐng)?bào)導(dǎo),DRAM價(jià)格上漲,帶動(dòng)SK海力士一路攀高。DRAMeXchange預(yù)估,第三季DRAM價(jià)格將季增9%,第四季價(jià)格可能會(huì)再飆將近30%。有鑒于此,摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估計(jì),SK海力士股價(jià)可望續(xù)漲20%。   大摩報(bào)告稱(chēng),時(shí)序邁向Q4,DRAM和NAND價(jià)格表現(xiàn)都優(yōu)于預(yù)期,也勝過(guò)SK海力士的預(yù)估。DRAM投
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居全球第六大 SK海力士積極擴(kuò)展CIS事業(yè)

  •   據(jù)海外媒體報(bào)道,SK海力士(SK Hynix)計(jì)劃在韓國(guó)利川12吋晶圓廠M10上投產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)一事備受外界關(guān)注。分析指出,SK海力士將能強(qiáng)化自家CIS事業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,并有望在目前正在更迭的市場(chǎng)版圖上取得甜頭。   韓媒ETNews報(bào)導(dǎo)指出,SK海力士此舉代表著,想要正式挑戰(zhàn)非存儲(chǔ)器市場(chǎng)的企圖心。過(guò)去這段期間,SK海力士不斷苦惱著,在利川12吋新廠M14啟動(dòng)后,該如何使用M10廠。因?yàn)槿绻麑10 DRAM生產(chǎn)量移轉(zhuǎn)至M14,M10里的產(chǎn)線將會(huì)閑置。雖然SK海力士曾經(jīng)表示過(guò),M10之后可
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SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)

  • 南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測(cè)器(CIS)等三大事業(yè)群分開(kāi)各自營(yíng)運(yùn),事業(yè)群自行加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力,而SK海力士
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第二季全球DRAM產(chǎn)值成長(zhǎng)9% 韓商稱(chēng)霸

  • 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示, 2014年第二季全球 DRAM 產(chǎn)值達(dá)108億美元,較上季成長(zhǎng)9%。由于產(chǎn)品比重調(diào)配得宜,三
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SK海力士與東芝和解 提升未來(lái)技術(shù)發(fā)展力

  • 東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開(kāi)發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù),同時(shí)東芝也撤銷(xiāo)對(duì)SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決
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傳SK海力士買(mǎi)下銀燦eMMC部門(mén)

  • 韓國(guó)NAND Flash大廠SK海力士(SK Hynix)積極建立芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì),繼買(mǎi)下美系NAND Flash設(shè)計(jì)公司LAMD后,近期更出手買(mǎi)下USB 3.0設(shè)計(jì)廠銀燦旗下內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器(eMMC)部
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第二季DRAM總營(yíng)收小幅增長(zhǎng)6.3%

  •   TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示,由于市況供過(guò)于求,第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單 價(jià)持續(xù)下滑,整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而,受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給增長(zhǎng),使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億 美元,季增長(zhǎng)6.3%。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現(xiàn)一般,但中國(guó)地區(qū)的智能手機(jī)出貨依然強(qiáng)勁,因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類(lèi)別,持續(xù)向行動(dòng)式內(nèi)存
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誰(shuí)能打破DRAM存儲(chǔ)器的三足鼎立格局?

  • DRAM三足鼎立的格局持續(xù)至今,然而隨著中國(guó)軍團(tuán)的加入一定程度上攪亂了這一潭太久沒(méi)有新鮮血液注入的渾水,DRAM市場(chǎng)三足鼎立的局面究竟是否還能繼續(xù)維持?未來(lái)的DRAM市場(chǎng)是一家獨(dú)大、三足鼎立還是百家爭(zhēng)鳴?或許關(guān)鍵就在于國(guó)產(chǎn)DRAM的表現(xiàn)。
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Gartner:2015年半導(dǎo)體公司營(yíng)收排行榜

  •   Gartner 5 日公布 2015 年全球半導(dǎo)體營(yíng)收,受到需求放緩、匯率劇烈變動(dòng)影響,總產(chǎn)值呈現(xiàn)下滑,然半導(dǎo)體老大哥英特爾,即便在接下來(lái)先進(jìn)制程競(jìng)逐,可能落后臺(tái)積電與三星,2015 年仍穩(wěn)坐半導(dǎo)體龍頭寶座,而兩大韓廠三星與 SK 海力士在該年度則分居二、三名。   Gartner 5 日公布 2015 年全球半導(dǎo)體營(yíng)收,需求減緩加上匯率較劇烈的變動(dòng),使得半導(dǎo)體整體營(yíng)收下滑,全年總產(chǎn)值 3,348 億美元,較去年同期衰退 2.3%,前 25 大廠商占整體半導(dǎo)體廠營(yíng)收比重來(lái)到 73.5%,較 2014
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三星、SK海力士紛量產(chǎn)UFS芯片 手機(jī)存儲(chǔ)器醞釀新風(fēng)暴

  •   繼三星電子(Samsung Electronics)推出128GB及256GB通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)2.0芯片,SK海力士(SK Hynix)亦投入量產(chǎn)64GB UFS 2.0芯片,盡管東芝(Toshiba)及美光(Micron)尚未在UFS領(lǐng)域有具體成果,然隨著全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭及第四大廠紛開(kāi)始量產(chǎn)UFS芯片,可望加速智慧型手機(jī)存儲(chǔ)器規(guī)格升級(jí),業(yè)界預(yù)估2016年下半便可看到搭載UFS芯片的高階手機(jī)陸續(xù)上市。   根據(jù)韓國(guó)電子新聞(ET
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開(kāi)始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存

  •   隨著新一代顯卡到來(lái),內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國(guó)IT網(wǎng)站Golem.de報(bào)道,SK Hynix計(jì)劃不久將開(kāi)始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2),其中,4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計(jì)在今年第三季度出貨,8GB芯片將在今年第四季度上市。   通過(guò)這一舉措,SK Hynix將成為三星競(jìng)爭(zhēng)者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計(jì)劃。標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同,但具有更高的時(shí)鐘頻率和容量,時(shí)鐘頻率從1GHz起跳,到2GHz,數(shù)
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開(kāi)始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存

  •   隨著新一代顯卡到來(lái),內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國(guó)IT網(wǎng)站Golem.de報(bào)道,SK Hynix計(jì)劃不久將開(kāi)始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2),其中,4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計(jì)在今年第三季度出貨,8GB芯片將在今年第四季度上市。   通過(guò)這一舉措,SK Hynix將成為三星競(jìng)爭(zhēng)者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計(jì)劃。標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同,但具有更高的時(shí)鐘頻率和容量,時(shí)鐘頻率從1GHz起跳,到2GHz,數(shù)
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SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲(chǔ)器新工廠

  •   日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),SK海力士周一宣布,將砸15.5兆韓元(125億美元),再蓋一座新存儲(chǔ)器工廠。   新廠選址在南韓忠清南道省北部,與原海力士舊廠比鄰。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),海力士已取得25萬(wàn)平方公尺的土地面積,并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU),新廠預(yù)計(jì)將在2018年正式動(dòng)工、2019年投產(chǎn)。   新廠確切的產(chǎn)品目前還不清楚,不過(guò)海力士某官員暗示應(yīng)該為NAND存儲(chǔ)器,若新廠全部投入生產(chǎn)NAND存儲(chǔ)器,海力士現(xiàn)有NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)能將擴(kuò)增超過(guò)兩倍。   此外,海力士亦宣布已開(kāi)始在現(xiàn)有的清州廠量產(chǎn)先進(jìn)的3
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一片不景氣聲中 SK海力士仍決定大規(guī)模投資

  • 2016年展望并不樂(lè)觀,PC市場(chǎng)成長(zhǎng)已停滯好幾年,連智能型手機(jī)市場(chǎng)也出現(xiàn)成長(zhǎng)趨緩的跡象,DRAM、NAND Flash的價(jià)格也因此持續(xù)下跌,這個(gè)時(shí)候逆勢(shì)上揚(yáng)也是下了多大的決心。
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sk海力士介紹

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