大陸紫光集團入股南韓SK海力士遭拒，消息人士透露，紫光集團已專注與美光(Micron)洽商入股，預料很快可明朗化，讓同屬美光集團的華亞科戰(zhàn)略地位大大提升。
消息人士透露，紫光集團將以不堅持在大陸設DRAM廠為條件，爭取入股美光。紫光董事長趙偉國證實，紫光正和美一芯片廠洽商合作，雖然紫光不愿透露對象，但市場推估應該就是美光。
據(jù)了解，美光若獲紫光入股，紫光未來將借重美光提供龐大的DRAM貨源，美光獲財力雄厚的紫光集團提供金援，將可快速推進DRAM制程腳步，讓美光從
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紫光 SK海力士
韓國半導體產業(yè)營收在三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)兩大廠之外，正逐漸減少。三星和SK海力士各居存儲器市場第一、二名，營收每年大幅成長，韓國半導體產業(yè)出現(xiàn)基礎強化的錯覺。然事實上除兩大廠外，韓國半導體產業(yè)規(guī)模正逐漸縮減。
Digital Times引用市調機構IHS資料指出，2015年上半韓國半導體營收中，三星以199.63億美元占66.9%，SK海力士以85.56億美元占28.7%。兩企業(yè)營收比重合計達95.6%，以最近期第2季資料來看，比重更
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三星 SK海力士
韓國政府2016年未編列半導體預算，使韓國半導體業(yè)界不滿聲浪高漲。在韓國引以為傲的存儲器市場上，大陸和美國迅速追擊，韓國半導體業(yè)者危機感提升，而列為未來成長動能的IC設計，也未受到韓國政府重視。
據(jù)Digital Times報導，韓國政府對半導體、顯示器等核心產業(yè)，以及電子情報裝置新事業(yè)等，均未編列預算。自2016年起，將不會有由韓國政府主導的新半導體相關研發(fā)。
目前正在進行的系統(tǒng)芯片扶植相關研發(fā)事業(yè)也陷入危機。韓國產業(yè)通商資源部關系人員指出，產業(yè)委員會對于預算方面提出質疑，并主張增資30
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三星 SK海力士 存儲器
市場研究機構TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，受到市況供過于求影響，DRAM平均銷售單價持續(xù)下降，然而各家廠商策略性地將跌幅最大的標準型存儲器產能轉往毛利較高、價格較穩(wěn)定的服務器存儲器及移動存儲器領域，配合位元顆粒仍持續(xù)成長，整體DRAM營收規(guī)模尚未出現(xiàn)大幅的縮減。
DRAMeXchange最新報告顯示，第三季DRAM總產值小幅衰退1.2%，移動存儲器占總營收比重從第二季的33.7%，大幅提升至第三季的40%。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第
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三星 SK海力士
現(xiàn)在是2016年半導體設備投資應稍有雛形的時間點，但韓系半導體大廠經(jīng)營計劃不明朗，變動性大，半導體設備業(yè)者難以擬定事業(yè)計劃。
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三星 SK海力士
SK海力士終于趕上三星電子，成為全球第二家成功量產20奈米DRAM的廠商。該公司也力拼3D NAND Flash研發(fā)，期盼能在明年量產48層3D NAND。
BusinessKorea 15日報導，SK海力士人員受訪表示，該公司引入20奈米DRAM制程，過程雖有困難，但已經(jīng)穩(wěn)定，開始寄送樣品給客戶、進入量產。據(jù)此而言，SK海力士是世界第二家量產20奈米DRAM的業(yè)者。三星首開先例，去年3月就量產20奈米DRAM。
SK海力士也宣布3D NAND研發(fā)計畫，社長樸星昱(Park Sung-wo
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SK海力士 三星
南韓第三大企業(yè)集團SK會長崔泰源近日來臺，并前往鴻海土城總部與董事長郭臺銘會面，雙方暢談近2小時。會后雙方接受短暫訪問時表示，此次主要是初步交流，瞭解有多少機會能進行合作，未來可能共同在臺灣、中國、印度等地區(qū)發(fā)展，不過尚未談到具體合作細節(jié)。
郭臺銘表示，鴻海及SK集團1、2年前彼此有投資關系，過去已見面許多次，崔泰銘此次先前往中國再來訪臺灣，主要想看看兩岸整體經(jīng)濟環(huán)境、尋找生意機會。這次崔泰銘首度來訪，是想瞭解鴻海目前的營運狀況，針對有多少機會能進行合作，于臺灣、中國、印度、甚至是全世界發(fā)展，進
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鴻海 SK海力士
繼三星電子(Samsung Electronics)之后，SK海力士(SK Hynix)也進軍超高速固態(tài)硬碟(SSD)市場。將推出應用非揮發(fā)性存儲器儲存裝置(NVMe)標準的SSD。
據(jù)韓媒Newsis報導，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士已投入量產NVMe架構的M.2規(guī)格SSD新產品“PC300”。容量512GB，該產品能讓搭載的超輕薄筆記型電腦(NB)速度更快，電池更薄卻待機更久，可望取代SSD。
所謂NVMe是PCIe架構的介面，讓搭載SSD的伺服器、PC得以提升
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SK海力士 SSD
南韓存儲器芯片業(yè)界將主導設備投資(CAPEX)競爭。在其他地區(qū)競爭業(yè)者擔憂IT產品需求趨緩，而縮減設備投資規(guī)模時，三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等南韓企業(yè)將反其道而行，擴大投資并推動微細制程尖端化等，致力于研發(fā)新技術，未來在競爭中將更具優(yōu)勢。
據(jù)南韓Newstomatoa報導，英特爾(Intel)決定將2015年設備投資規(guī)模，從87億美元縮減11.5%至77億美元;臺積電設備投資規(guī)模也從120億美元減少約8%至110億美元。因IT裝置等終端產業(yè)
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三星 SK海力士
南韓存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)第二季財報遜于預期，分析師預估，由于個人電腦(PC)的DRAM需求持續(xù)疲軟，SK海力士本季表現(xiàn)恐怕難有起色。
韓聯(lián)社24日報導，SK海力士Q2營益為1.37兆韓圜(11.8億美元)，不及分析師估計的1.44兆韓圜。NH Investment & Securities Co.分析師Lee Sae-chul指出，PC DRAM需求欠佳，8月份為止價格將持續(xù)下滑，到9月才會回穩(wěn)，因此SK海力士Q3的DRAM營益會與前季持平;不過，下半年該公司的NAN
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SK海力士 DRAM
清華紫光傳出有意收購美光(Micron)消息后，韓國分析師認為，雙方成交后對于韓國對手SK海力士(SK Hynix)影響不大，而且清華紫光提出價格偏低及政治因素，都是阻礙成交的因素。
據(jù)韓國時報(The Korea Times)報導，Hi Investment分析師Song Myeong-seop表示，由于存在諸多外部因素，短期內該收購案恐怕無法成真。即使最終清華紫光如愿買下美光，也只會對SK海力士造成輕微影響。
有分析師指出，SK海力士在DRAM技術上領先美光至少18個月，因此SK海力士
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清華紫光 SK海力士
DRAM與NAND Flash市場預期下半年將持續(xù)榮景，主要設備廠商業(yè)績也有望改善，三星電子和海力士獲利最大。
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三星 SK海力士
過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調查開放市場上所銷售元件的供應來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產品。
針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
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NAND SK海力士
南韓記憶體大廠SK 海力士 (SK Hynix )又傳公安意外，造成三人喪命!SK海力士施工中的新廠氮氣外泄，有三名工人窒息死亡，上個月該廠才有13名工人因氣體外泄送醫(yī)。
etnews、 韓國先驅報(The Korea Herald)、路透社報導，SK海力士的M14仁川工廠十樓，30日發(fā)生氮氣外泄事故。該公司稱，工人正在測試剛安裝好的濕式空氣清凈系統(tǒng)，可能因此窒息死亡。氮氣沒有毒性，但是密閉空間中氮氣外泄，會導致含氧量會迅速減少，危險性極高。
M14仁川廠三月份才發(fā)生過類似意外，當時有13
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SK海力士 M14
中國扶植自有DRAM供應鏈計劃浮上臺面，業(yè)界透露中國將分三個階段著手，包括扶植大型集團建立自有技術、高關稅逼迫國際大廠合作、強制品牌系統(tǒng)廠采用， 由于上一輪全球DRAM市場崩盤是在2008年發(fā)生，業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆，對于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。
半導體業(yè)者表示，中國建立DRAM產業(yè)最難解問題，似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠所把持的DRAM技術，然事實上，中
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SK海力士 DRAM
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