sk海力士 文章 最新資訊
SK海力士全面進(jìn)入20納米級DRAM時代
- SK海力士(SK Hynix)中斷生產(chǎn)30納米級DRAM，全面進(jìn)入20納米級生產(chǎn)時代。據(jù)了解，SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產(chǎn)DRAM，不過到2015年第1季，生產(chǎn)效率比30納米級制程更高的25納米DRAM制程比例，已高達(dá)全體生產(chǎn)的82%。 韓媒Digital Times報導(dǎo)，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止，約占全體DRAM生產(chǎn)比例的8%，但從2015年第1季開始已全面轉(zhuǎn)進(jìn)20納米級制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30納米級
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SK海力士20nm級制程轉(zhuǎn)換，4年后100%完成
- SK海力士(SK Hynix)搶進(jìn)20奈米級制程進(jìn)展迅速!韓媒報導(dǎo)，SK海力士引進(jìn)38奈米制程，已在四年后停止30奈米級生產(chǎn)，全數(shù)轉(zhuǎn)為20奈米級制程。 韓媒BusinessKorea 13日報導(dǎo)，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產(chǎn)的8%，預(yù)計今年下半改為2z DRAM(20奈米級)制程。業(yè)界消息稱，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產(chǎn)的82%。DRAMeXchange預(yù)估，SK海力士將在今年Q3進(jìn)入2z制程，明年邁上軌道。 相較之下，30奈米制程仍占美光
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嗆三星！SK海力士20奈米級制程轉(zhuǎn)換、100%完成
- SK海力士(SK Hynix)搶進(jìn)20奈米級制程進(jìn)展迅速!韓媒報導(dǎo)，SK海力士引進(jìn)38奈米制程，已在四年后停止30奈米級生產(chǎn)，全數(shù)轉(zhuǎn)為20奈米級制程。 韓媒BusinessKorea 13日報導(dǎo)，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產(chǎn)的8%，預(yù)計今年下半改為2z DRAM(20奈米級)制程。業(yè)界消息稱，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產(chǎn)的82%。DRAMeXchange預(yù)估，SK海力士將在今年Q3進(jìn)入2z制程，明年邁上軌道。 相較之下，30奈米制程仍占美光
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迎接物聯(lián)網(wǎng)時代 SK海力士擴(kuò)大晶圓代工事業(yè)
- 韓系半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將擴(kuò)大非存儲器領(lǐng)域的晶圓代工事業(yè)。三星電子(Samsung Electronics)采14納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程推動晶圓代工事業(yè)發(fā)展，SK海力士將把焦點(diǎn)放在8吋90納米制程，以架構(gòu)少量生產(chǎn)多元系統(tǒng)芯片的生產(chǎn)系統(tǒng)。 據(jù)ET News報導(dǎo)，為擴(kuò)大專門提供晶圓代工服務(wù)的清州M8廠可生產(chǎn)的芯片種類，SK海力士著手重新調(diào)整產(chǎn)線。 M8廠主要生產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)、電源管理芯片(PMIC)、顯示器驅(qū)動芯片(DDI)等。過去也曾生產(chǎn)N
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SK海力士啟航3年 成為SK集團(tuán)當(dāng)紅炸子雞
- SK海力士(SK Hynix)成立3年便進(jìn)入營業(yè)利益5兆韓元具樂部(約45.3億美元)，成為SK集團(tuán)(SK Group)的當(dāng)紅炸子雞。目前正著手系統(tǒng)芯片研發(fā)，同時積極購并企業(yè)以掌握必要的技術(shù)力。中長期目標(biāo)便是成為綜合半導(dǎo)體企業(yè)。 根據(jù)韓媒AsiaToday的報導(dǎo)，SK海力士的業(yè)績已經(jīng)超越SK集團(tuán)的傳統(tǒng)主力企業(yè)SK Innovation與SK電信(SKT)，將2家公司2014年的營業(yè)利益合并計算后，得到的數(shù)值只有SK海力士營業(yè)利益的4分之1。 SK海力士在成立第1年雖然有超過2,000億韓元
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SK海力士今年成長三大核心 20納米、M14新廠、3D NAND
- 面對競爭激烈的半導(dǎo)體市場，SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲器事業(yè)持續(xù)成長，2015年將面臨三大課題：成功量產(chǎn)22納米DRAM、建構(gòu)利川M14新廠的量產(chǎn)系統(tǒng)，以及強(qiáng)化三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競爭力。 根據(jù)韓媒E-Daily報導(dǎo)，SK海力士社長樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會上表示，2015年下半初期將開始量產(chǎn)22納米DRAM，意即最快在7月SK海力士就會開始量產(chǎn)22納米DRAM。 SK海力士近2年業(yè)績屢創(chuàng)新高，主力產(chǎn)
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三星、SK海力士半導(dǎo)體獲利佳 今年可望更上層樓
- 三星集團(tuán)(Samsung Group)和SK集團(tuán)(SK Group)正迅速拓展半導(dǎo)體事業(yè)領(lǐng)域。移動裝置和煉油等主力事業(yè)成長停滯不前，半導(dǎo)體事業(yè)儼然成為集團(tuán)金雞母。 據(jù)Digital Times報導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)獨(dú)家對樂金電子(LG Electronics)供應(yīng)固態(tài)硬碟(SSD)，搭載在2015年1月上市的超輕量Ultrabook Gram 14上。Gram 14上市后較前一代產(chǎn)品銷售量提升約30%，SK海力士的SSD獲樂金熱門機(jī)種搭載，對SK海力士相對表現(xiàn)較不出色的NAND F
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SK海力士沖刺先進(jìn)制程，20nm級DRAM最快七月量產(chǎn)
- SK 海力士 20日舉行股東會，社長樸星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米級DRAM最快可能在今年7月邁入量產(chǎn)，將可在高階產(chǎn)品趕上三星與美光等競爭者。 海力士目前最先進(jìn)的制程為25與29奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領(lǐng)域，且預(yù)估今年下半年，半數(shù)PC用記憶體都會以20奈米制程打造。 據(jù)科技網(wǎng)站kitguru.net報導(dǎo)，20奈米制程在300mm 晶圓上塞進(jìn)的晶粒數(shù)量較25奈米多三成，可降低每單位IC生產(chǎn)成本，并提高利潤空間。隨著8GB DDR4記憶體時代來臨，
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SK海力士集中與選擇策略 聚焦三大領(lǐng)域
- SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細(xì)制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬盤(SSD)等優(yōu)勢領(lǐng)域。較弱勢的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。 據(jù)ET News報導(dǎo)，日前SK海力士社長樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績紀(jì)錄之際，反而在組織內(nèi)部強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識，透過員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時刻，應(yīng)透過強(qiáng)化根本競爭
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SK海力士集中與選擇策略 聚焦三大領(lǐng)域
- SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細(xì)制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬碟(SSD)等優(yōu)勢領(lǐng)域。較弱勢的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。 據(jù)ET News報導(dǎo)，日前SK海力士社長樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績紀(jì)錄之際，反而在組織內(nèi)部強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識，透過員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時刻，應(yīng)透過強(qiáng)化根本競爭
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存儲器結(jié)束削價競爭 迎向高品質(zhì)、高價位時代
- 全球存儲器市場上，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)三強(qiáng)鼎立，讓價格趨于穩(wěn)定。而講究低功率技術(shù)與微細(xì)化制程的復(fù)合解決方案商品，則帶動存儲器價格進(jìn)一步提升。專家表示，接下來將迎接高價、高品質(zhì)時代。 據(jù)韓媒Bridgenews報導(dǎo)，日本、臺灣、韓國等半導(dǎo)體業(yè)者，從2007~2012年間持續(xù)存儲器的削價競爭，即便存儲器價格慘跌仍不斷提高產(chǎn)量。過度競爭的結(jié)果，讓德國DRAM業(yè)者奇夢達(dá)(Qimonda)在2009年破產(chǎn)，2012年日本爾
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SK海力士著手研發(fā)次世代存儲器
- SK海力士(SK Hynix)將PCRAM(Phase-Change Random Access Memory)等次世代存儲器芯片列為新成長動能，2015年會先決定要將次世代產(chǎn)品應(yīng)用在何IT裝置上，以確定發(fā)展方向。 據(jù)南韓每日經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，SK海力士表示將PCRAM、STT-MRAM、ReRAM等列為次世代半導(dǎo)體。2015年將先明確訂定產(chǎn)品制造方向，再著手研發(fā)合適的制程技術(shù)。 所謂的次世代半導(dǎo)體，是指DRAM、NAND Flash所代表的存儲器芯片，在功率、容量等規(guī)格升級的半導(dǎo)體產(chǎn)品。SK海力
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