三星電子：2nm良率爬坡好于預(yù)期，泰勒廠預(yù)計年底完成首批流片
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3 月 9 日消息，參考韓媒 inews24 的報道，三星電子高管代表在出席韓國當?shù)貢r間本月 5 日舉行的摩根大通投資者會議時表示，其 2nm 先進制程的良率爬坡進展好于此前預(yù)期，同時考慮將產(chǎn)能利用率低的生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移至先進封裝方向。
對于三星電子位于美國得州泰勒的晶圓廠，企業(yè)高管表示該項目當前處于設(shè)備安裝階段，預(yù)計首批晶圓流片將在 2026 年底前完成（考慮到后續(xù)工序的用時，對應(yīng)的首批出貨時間將落在 2027 年）。
而在 HBM 相關(guān)業(yè)務(wù)方面，代表重申了 2026 年銷售額較 2025 年增長 3 倍、市占超越 30% 的目標，此外還稱 HBM3E 的價格今年可能會有所改善。三星電子將包含先進制程、存儲器、先進封裝的“交鑰匙”解決方案視為其后 HBM4 世代的關(guān)鍵增長點，同時計劃擴大與代工廠伙伴的邏輯芯片定制合作。
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