日本Rapidus正加速沖刺先進(jìn)制程芯片制造。據(jù)日經(jīng) XTech 報(bào)道，該公司首席技術(shù)官Kazunari Ishimaru（丸和一成）表示，目標(biāo)是在1nm 節(jié)點(diǎn)將與臺積電的技術(shù)差距縮小至6 個(gè)月左右。

與此同時(shí)，日經(jīng) XTech 另一篇報(bào)道指出，Rapidus 計(jì)劃2026 年啟動 1.4nm 半導(dǎo)體制造技術(shù)研發(fā)，預(yù)計(jì)2029 年前后實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

對比來看，經(jīng)濟(jì)日報(bào)消息顯示，臺積電 1nm 工藝將率先在中部科學(xué)園區(qū)投產(chǎn)，首座晶圓廠預(yù)計(jì)2027 年底完成試產(chǎn)，2028 年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。

Rapidus 推進(jìn) 2nm 研發(fā)，進(jìn)度加快

日經(jīng) XTech 稱，Rapidus 計(jì)劃2026 年底前開始生產(chǎn)客戶定制的 2nm 測試芯片，這是其2027 年實(shí)現(xiàn) 2nm 量產(chǎn)目標(biāo)的關(guān)鍵一步。報(bào)道補(bǔ)充，來自美國 AI 領(lǐng)域、日本及歐洲客戶的需求十分強(qiáng)勁。

日經(jīng) XTech 還介紹了 Rapidus 在 2nm 工藝上的最新進(jìn)展：

• 2025 年 7 月客戶活動中，該公司已展示可運(yùn)行的2nm 晶體管，當(dāng)時(shí)性能尚未達(dá)標(biāo)。

• 2025 年 9 月前后，開始優(yōu)化性能指標(biāo)，改進(jìn)速度顯著提升。

值得注意的是，在 IBM 研發(fā)基地所在地美國紐約州奧爾巴尼需耗時(shí)約1 年半的工作，Rapidus 在北海道千歲工廠僅用不到2 個(gè)月就完成，凸顯其研發(fā)節(jié)奏大幅加快。

臺積電同步在日本布局

隨著日本半導(dǎo)體生態(tài)持續(xù)發(fā)展，臺積電也在擴(kuò)大當(dāng)?shù)夭季?。?jù)讀賣新聞 2026 年 2 月消息，臺積電已敲定在日本熊本縣量產(chǎn)3nm 先進(jìn)芯片的計(jì)劃，這是 3nm 工藝首次在日本投產(chǎn)。

該項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資約170 億美元。日本政府認(rèn)為，3nm 芯片的應(yīng)用場景與 Rapidus 的目標(biāo)領(lǐng)域不同，因此兩者不存在直接市場競爭。