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英飛凌推出多相降壓控制器和支持 PMBus 標(biāo)準(zhǔn)的負(fù)載點(diǎn)(PoL)

—— 進(jìn)一步擴(kuò)展其AI數(shù)據(jù)中心電壓調(diào)節(jié)(VR)產(chǎn)品組合
作者: 時(shí)間:2026-04-01 來源: 收藏

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)針對(duì)的DC-DC轉(zhuǎn)換電壓調(diào)節(jié)(VR)解決方案產(chǎn)品組合,新增兩大產(chǎn)品系列,涵蓋數(shù)字電壓控制器與具有遙測功能的)電壓調(diào)節(jié)器產(chǎn)品系列。全新的數(shù)字多相PWM降壓控制器XDPE1E與支持標(biāo)準(zhǔn)的)TDA49720/12/06可幫助客戶在縮短設(shè)計(jì)周期、加速平臺(tái)落地的同時(shí),提升每個(gè)機(jī)架的計(jì)算性能。 

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推出面向多處理器AI平臺(tái)和先進(jìn)VR電感拓?fù)涞?環(huán)路和4環(huán)路數(shù)字多相PWM降壓控制器 

新一代AI平臺(tái)正在將電源架構(gòu)推向新的極限:核心電源需要極高的電流密度和瞬態(tài)響應(yīng)速度,而日益增加的非核心電源則需要緊湊、高效的調(diào)節(jié)方案以及精準(zhǔn)的監(jiān)測與控制。以可擴(kuò)展的產(chǎn)品組合應(yīng)對(duì)這項(xiàng)端到端的挑戰(zhàn),旨在簡化VR設(shè)計(jì)、提高電路板空間利用率,并幫助客戶在處理器路線圖快速發(fā)展的情況下,進(jìn)行快速、可重復(fù)的部署。 

針對(duì)可擴(kuò)展AI平臺(tái)靈活的數(shù)字多相控制 

XDPE1E3G6A和XDPE1E496A是英飛凌專為多元處理器AI平臺(tái)和先進(jìn)VR電感拓?fù)渌瞥龅?環(huán)路和4環(huán)路數(shù)字多相PWM降壓控制器。這兩款控制器使客戶能夠通過單一、靈活的電源設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)算力擴(kuò)展,從而減少處理器因更新?lián)Q代所需的重新設(shè)計(jì)工作,并加速產(chǎn)品上市。產(chǎn)品提供高度可配置的相位分配和完全可編程的相位觸發(fā)順序,并支持多種協(xié)議,包括、AVSBus、SVID和SVI3,因此廣泛兼容主流處理器生態(tài)系統(tǒng)。其主動(dòng)瞬態(tài)響應(yīng)、快速DVID、自動(dòng)相位切換與PFM模式等數(shù)字功能,有助于應(yīng)對(duì)動(dòng)態(tài)AI負(fù)載,而數(shù)字示波器、黑匣子記錄及完善的保護(hù)機(jī)制等內(nèi)置工具,可縮短測試時(shí)間并提高系統(tǒng)可靠性。 

支持標(biāo)準(zhǔn)的集成式:快速、可監(jiān)測的非核心電源 

為滿足AI系統(tǒng)中日益增加的非核心電源需求,英飛凌新推出了具有支持PMBus標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字遙測功能的TDA49720/12/06系列全集成式PoL DC-DC降壓調(diào)節(jié)器。該系列提供6 A、12 A 和20 A三種規(guī)格及3 mm × 3 mm和3 mm × 3.5 mm兩種封裝,有助于大幅提升功率密度,并簡化加速卡和服務(wù)器主板上的布局。PMBus遙測功能可精確報(bào)告輸出電壓、負(fù)載電流、輸入電壓和芯片內(nèi)部溫度等關(guān)鍵參數(shù),在減少反復(fù)修改設(shè)計(jì)次數(shù)的同時(shí)支持系統(tǒng)優(yōu)化和可靠性監(jiān)測。其專有的谷值電流模式恒導(dǎo)通時(shí)間控制方案,可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)、逐周期電流限制,并支持全MLCC輸出電容設(shè)計(jì)。該系列產(chǎn)品支持2.7 V至16 V的輸入電壓,且可在-40 °C至150 °C范圍內(nèi)運(yùn)行。 

這些新推出的電壓調(diào)節(jié)解決方案專為與英飛凌從電網(wǎng)到核心的各種AI服務(wù)器供電產(chǎn)品組合配合使用而優(yōu)化設(shè)計(jì),包括固態(tài)變壓器和固態(tài)斷路器、高壓和中間總線轉(zhuǎn)換以及第二級(jí)DC轉(zhuǎn)換電源模塊。英飛凌充分發(fā)揮硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢,大幅提高產(chǎn)品效率、密度與可靠性,以經(jīng)過驗(yàn)證的高品質(zhì)半導(dǎo)體器件、持續(xù)的設(shè)計(jì)支持以及可擴(kuò)展的產(chǎn)品性能為客戶提供通往下一代AI服務(wù)器平臺(tái)端到端電源架構(gòu)的明確路徑。


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