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傳聯(lián)電代工2D NAND有「三大關(guān)卡」 缺人、缺技術(shù)、缺設(shè)備

作者: 時(shí)間:2026-04-20 來源: 收藏

國際存儲(chǔ)器原廠退出閃存將成定局,受到供貨稀缺已推升低容量價(jià)格快速飆升,近期市場傳出,可能接獲SLC、MLC Flash的代工訂單,或?qū)⒋蚱莆磥?a class="contentlabel" href="http://www.chinabohe.com/tech/s/k/2D NAND">2D NAND寡占供貨的局面。

不過相關(guān)業(yè)者向DIGITIMES透露,過去數(shù)個(gè)月來,確實(shí)曾與討論閃存的代工機(jī)會(huì),但人力、制程整合與開發(fā)能力以及設(shè)備等三大關(guān)鍵因素欠缺,成為最重要的卡關(guān)限制。

據(jù)供應(yīng)鏈人士指出,NAND Flash價(jià)格從2026年以來漲勢(shì)兇猛,漲幅甚至已超過DRAM,但相比于MLC NAND或SLC NAND的供貨缺口更為龐大,導(dǎo)致舊制程的低容量產(chǎn)品價(jià)格幾乎翻漲10倍,近期下游業(yè)者傳出,MLC NAND價(jià)格于4月約調(diào)漲近3成左右。

對(duì)于近期市場傳出,有亞洲客戶向提出閃存的代工訂單,外界普遍認(rèn)為,目前MLC、SLC NAND價(jià)格強(qiáng)勢(shì),確實(shí)相比成熟邏輯制程更有獲利空間。

但考量到機(jī)臺(tái)本身的設(shè)備并不能直接使用,若要調(diào)整建置產(chǎn)線或新購機(jī)臺(tái),預(yù)計(jì)可能也要1~2年左右,加上目前2D NAND產(chǎn)能缺口龐大,對(duì)于供應(yīng)鏈缺口難以達(dá)到緩解效果。

不過實(shí)際執(zhí)行的瓶頸,卻比外界預(yù)估得更復(fù)雜。

相關(guān)業(yè)者私下表示,為了解決MLC及SLC NAND供應(yīng)困難,內(nèi)部確實(shí)曾經(jīng)向聯(lián)電提議閃存的代工可行性,但無論在人才、技術(shù)或設(shè)備等多方面,均存在高難度的瓶頸。

首先,潛在IP供應(yīng)商或NAND原廠并不排斥進(jìn)行授權(quán)合作,但考量到必須由具有實(shí)際量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的原廠提供支援,包括調(diào)派技術(shù)團(tuán)隊(duì)協(xié)助來導(dǎo)入制程。

然而,過去負(fù)責(zé)調(diào)校2D NAND機(jī)臺(tái)設(shè)備的工程人員幾乎已退休或離職,或轉(zhuǎn)向到3D NAND技術(shù)量產(chǎn),而現(xiàn)階段NAND原廠將重心投入于3D NAND研發(fā),以爭取AI服務(wù)器應(yīng)用的成長商機(jī),在人力吃緊下,根本無法額外負(fù)擔(dān)2D NAND技術(shù)支持。

其次,盡管聯(lián)電曾在多年前進(jìn)行內(nèi)存相關(guān)研發(fā),且現(xiàn)階段的廠房空間仍有余裕提供代工訂單,但如今的核心技術(shù)已與內(nèi)存領(lǐng)域相差甚遠(yuǎn),若要重新投入的資源耗費(fèi)龐大,并需要一段時(shí)間來重新建立制程微調(diào)或良率調(diào)校等能力。

若只有提供產(chǎn)能空間而缺乏技術(shù)的情況下,無法自行協(xié)助客戶進(jìn)行制程開發(fā)、串接等環(huán)節(jié),對(duì)于聯(lián)電帶來的實(shí)質(zhì)獲利,也將非常有限。

第三,設(shè)備問題也無解,由于國際原廠的老舊設(shè)備,在產(chǎn)線升級(jí)過程中已變賣或拆解,即使能找到舊機(jī)臺(tái),相關(guān)設(shè)備的維修零件或人力都將難以取得; 先前日系大廠鎧俠(Kioxia)亦曾向DIGITIMES表達(dá),2D NAND等舊產(chǎn)品停產(chǎn),并非是受到AI排擠產(chǎn)能效應(yīng),而是考量到維持舊設(shè)備生產(chǎn)的成本極高,且設(shè)備老化等因素。

但假使聯(lián)電接獲閃存的代工訂單,改以購買新設(shè)備重建,其導(dǎo)入流程與良率將與過去模式不同,可能需要重新嘗試與研發(fā)。 這意味著,投資回收將充滿不確定性,而相關(guān)IC設(shè)計(jì)業(yè)者對(duì)于晶圓廠實(shí)際制程與量產(chǎn)并不熟悉,雖然合作的興趣濃厚,但綜合考量下,透過技術(shù)移轉(zhuǎn)進(jìn)行代工的構(gòu)想,在短期內(nèi)恐都缺乏可行的解決方案。

聯(lián)電發(fā)言體系對(duì)于代工閃存的市場傳言并不評(píng)論,但日前已向客戶與合作伙伴發(fā)出漲價(jià)信函,確定2026年下半調(diào)漲報(bào)價(jià)。

聯(lián)電指出,2026年上半以來,觀察到多元應(yīng)用領(lǐng)域的需求展現(xiàn)出強(qiáng)勁韌性,包括通訊、工業(yè)、消費(fèi)性電子以及AI相關(guān)領(lǐng)域,加上原物料、能源及物流等關(guān)鍵成本驅(qū)動(dòng)因素的上升,故將于2026年下半實(shí)施晶圓價(jià)格調(diào)整。

相關(guān)供應(yīng)鏈業(yè)者表示,此次聯(lián)電在8吋及12寸產(chǎn)品線均提出調(diào)整,依照3.5個(gè)月周期推算,4月已投片的訂單可望執(zhí)行新價(jià)格,而8吋晶圓產(chǎn)線漲幅較高,可望達(dá)10~15%,12寸產(chǎn)線的80納米、55納米、40納米等約有5~10%漲幅,不過仍將依照各家體量進(jìn)行調(diào)整。

由于價(jià)格主要回補(bǔ)先前成熟制程的降價(jià)幅度,且部分IC業(yè)者已簽訂LTA長約,此次影響有限,未來將陸續(xù)轉(zhuǎn)嫁至下游客戶。


關(guān)鍵詞: 聯(lián)電 2D NAND

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