2d 文章 最新資訊
傳聯(lián)電代工2D NAND有「三大關(guān)卡」 缺人、缺技術(shù)、缺設(shè)備
- 國際存儲(chǔ)器原廠退出2D NAND閃存將成定局,受到供貨稀缺已推升低容量2D NAND價(jià)格快速飆升,近期市場(chǎng)傳出,聯(lián)電可能接獲SLC、MLC Flash的代工訂單,或?qū)⒋蚱莆磥?D NAND寡占供貨的局面。不過相關(guān)業(yè)者向DIGITIMES透露,過去數(shù)個(gè)月來,確實(shí)曾與聯(lián)電討論閃存的代工機(jī)會(huì),但人力、制程整合與開發(fā)能力以及設(shè)備等三大關(guān)鍵因素欠缺,成為最重要的卡關(guān)限制。據(jù)供應(yīng)鏈人士指出,NAND Flash價(jià)格從2026年以來漲勢(shì)兇猛,漲幅甚至已超過DRAM,但相比于MLC NAND或SLC NAND的供貨缺口更
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 2D NAND
2D二維半導(dǎo)體技術(shù)穩(wěn)步推進(jìn)
- 核心要點(diǎn):向2D材料中摻入氧元素可改善其附著性能;后溝道工藝可保留全環(huán)繞柵極的大部分傳統(tǒng)工藝流程;采用石墨烯電極的二硫化鉬雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管,成功應(yīng)用了層轉(zhuǎn)移技術(shù)。自機(jī)械剝離薄片成為主流技術(shù)以來,過渡金屬二硫族化合物(TMDs)的研發(fā)已取得長(zhǎng)足進(jìn)步,但未來仍有漫長(zhǎng)的探索之路。二硒化鎢、二硫化鉬這類材料,被視為大尺寸微縮全環(huán)繞柵極(GAA)晶體管中硅材料的潛在替代者。作為二維材料,它們不存在面外懸空鍵,因此不易出現(xiàn)界面散射問題 —— 而該問題正是導(dǎo)致超薄硅溝道中載流子遷移率下降的主要原因。不過,這類二維材料
- 關(guān)鍵字: 2D 二維半導(dǎo)體
三星終結(jié)2D NAND 時(shí)代 戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向錨定 AI 時(shí)代高利潤(rùn)賽道
- 當(dāng)三星在HBM4時(shí)代彎道超車,重新獲得英偉達(dá)的青睞并可能承接最大份額訂單,低利潤(rùn)的2D NAND就成為產(chǎn)能重構(gòu)下的棄子。 2026 年 2 月末,三星電子宣布將關(guān)停其韓國華城工廠 12 號(hào)線的 2D NAND 閃存生產(chǎn) —— 這是三星最后一條 2D NAND 產(chǎn)線,此舉標(biāo)志著自 2002 年開啟的平面閃存量產(chǎn)時(shí)代正式落幕。這座月產(chǎn)能達(dá) 8 萬至 10 萬片 12 英寸晶圓的產(chǎn)線,將于 2026 年 3 月正式停工并改造為 1C DRAM 后道封測(cè)廠,聚焦 DRAM 布線等核心后道工序。這場(chǎng)產(chǎn)能調(diào)
- 關(guān)鍵字: 三星 HBM4 2D NAND AI
ASML:3D整合將成為2D收縮日益重要的補(bǔ)充技術(shù)
- 據(jù)媒體報(bào)道,3月5日,ASML發(fā)布2024年度報(bào)告,首席執(zhí)行官克里斯托弗·福凱(Christophe Fouquet)表示,如果展望ASML的未來增長(zhǎng),光刻技術(shù)無疑仍然是摩爾定律的主要驅(qū)動(dòng)力之一,相信這一點(diǎn)在未來許多年里依然成立。與此同時(shí),二維收縮(2D shrink)正變得越來越困難。這并不完全是由于光刻技術(shù)的局限性,而是因?yàn)槲覀儙缀踹_(dá)到了邏輯和存儲(chǔ)器客戶所使用的晶體管的極限。為了繼續(xù)在二維收縮方面取得進(jìn)展,需要在架構(gòu)和器件上進(jìn)行創(chuàng)新。這意味著需要進(jìn)行三維前道整合(3D front-end integr
- 關(guān)鍵字: ASML 2D shrink 光刻技術(shù) 三維整合
紫光國微2.5D/3D先進(jìn)封裝項(xiàng)目將擇機(jī)啟動(dòng)
- 日前,紫光國微在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露,公司在無錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目已于2024年6月產(chǎn)線通線,現(xiàn)正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作,2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì)根據(jù)產(chǎn)線運(yùn)行情況擇機(jī)啟動(dòng)。據(jù)了解,無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項(xiàng)目,也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線,對(duì)保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
- 關(guān)鍵字: 紫光國微 2D/3D 芯片封裝
英特爾Gaudi 2D AI加速器為DeepSeek Janus Pro模型提供加速
- 近日,DeepSeek發(fā)布Janus Pro模型,其超強(qiáng)性能和高精度引起業(yè)界關(guān)注。英特爾? Gaudi 2D AI加速器現(xiàn)已針對(duì)該模型進(jìn)行優(yōu)化,這使得AI開發(fā)者能夠以更低成本、更高效率實(shí)現(xiàn)復(fù)雜任務(wù)的部署與優(yōu)化,有效滿足行業(yè)應(yīng)用對(duì)于推理算力的需求,為AI應(yīng)用的落地和規(guī)?;l(fā)展提供強(qiáng)有力的支持。作為一款創(chuàng)新性的 AIGC模型,DeepSeek Janus模型集成了多模態(tài)理解和生成功能。該模型首次采用統(tǒng)一的Transformer架構(gòu),突破了傳統(tǒng)AIGC模型依賴多路徑視覺編碼的限制,實(shí)現(xiàn)了理解與生成任務(wù)的一體化支
- 關(guān)鍵字: 英特爾 Gaudi 2D AI加速器 DeepSeek Janus Pro
利用搭載全域硬2D NoC的FPGA器件去完美實(shí)現(xiàn)智能化所需的高帶寬低延遲計(jì)算
- 隨著大模型、高性能計(jì)算、量化交易和自動(dòng)駕駛等大數(shù)據(jù)量和低延遲計(jì)算場(chǎng)景不斷涌現(xiàn),加速數(shù)據(jù)處理的需求日益增長(zhǎng),對(duì)計(jì)算器件和硬件平臺(tái)提出的要求也越來越高。發(fā)揮核心器件內(nèi)部每一個(gè)計(jì)算單元的作用,以更大帶寬連接內(nèi)外部存儲(chǔ)和周邊計(jì)算以及網(wǎng)絡(luò)資源,已經(jīng)成為智能化技術(shù)的一個(gè)重要趨勢(shì)。這使得片上網(wǎng)絡(luò)(Network-on-Chip)這項(xiàng)已被提及多年,但工程上卻不容易實(shí)現(xiàn)的技術(shù)再次受到關(guān)注。作為一種被廣泛使用的硬件處理加速器,F(xiàn)PGA可以加速聯(lián)網(wǎng)、運(yùn)算和存儲(chǔ),其優(yōu)點(diǎn)包括計(jì)算速度與ASIC相仿,也具備了高度的靈活性,能夠?yàn)閿?shù)據(jù)
- 關(guān)鍵字: 2D NoC FPGA
Achronix在其先進(jìn)FPGA中集成2D NoC以支持高帶寬設(shè)計(jì)(WP028)
- 摘要隨著旨在解決現(xiàn)代算法加速工作負(fù)載的設(shè)備越來越多,就必須能夠在高速接口之間和整個(gè)器件中有效地移動(dòng)高帶寬數(shù)據(jù)流。Achronix的Speedster?7t獨(dú)立FPGA芯片可以通過集成全新的、高度創(chuàng)新的二維片上網(wǎng)絡(luò)(2D NoC)來處理這些高帶寬數(shù)據(jù)流。Achronix的FPGA中特有的2D NoC實(shí)現(xiàn)是一種創(chuàng)新,它與用可編程邏輯資源來實(shí)現(xiàn)2D NoC的傳統(tǒng)方法相比,有哪些創(chuàng)新和價(jià)值呢?本白皮書討論了這兩種實(shí)現(xiàn)2D NoC的方法,并提供了一個(gè)示例設(shè)計(jì),以展示與軟2D NoC實(shí)現(xiàn)相比,Achronix 2D
- 關(guān)鍵字: Achronix FPGA 2D NoC
2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn),誰輸在起跑線?
- 為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益,2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn),但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限,加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫,2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。 1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn),提高成本競(jìng)爭(zhēng)力 與2D工藝相比,3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲(chǔ)容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb,與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競(jìng)爭(zhēng)力。
- 關(guān)鍵字: 3D NAND 2D
臺(tái)灣自行開發(fā)出顯示器2D測(cè)量技術(shù)
- 顯示器的色彩表現(xiàn)與影像品質(zhì),是決定產(chǎn)品優(yōu)劣的最重要關(guān)鍵,因此除了開發(fā)技術(shù)之外,最后的品質(zhì)的量測(cè)更是重要。過去顯示器的量測(cè)以點(diǎn)取樣,要取得有參考價(jià)值的數(shù)據(jù)必需量測(cè)相當(dāng)多點(diǎn),耗時(shí)且操作繁復(fù)。 工研院在經(jīng)濟(jì)部標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)局的支持下,開發(fā)出「快速色域量測(cè)技術(shù)」,運(yùn)用二維色度計(jì)及影像演算技術(shù),由傳統(tǒng)單「點(diǎn)」跨越至「面」的量測(cè),相較于傳統(tǒng)方式提升約10倍的量測(cè)速度,并能兼顧色相、飽和度和亮度上的量測(cè)與調(diào)校,同時(shí)也提供即時(shí)調(diào)校的資訊與紀(jì)錄使操作人員能馬上同步取得回饋。此技術(shù)已與CHIMEI奇美的LED立體色域技術(shù)
- 關(guān)鍵字: 2D 測(cè)量
| 共13條 1/1 1 |
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司






