功率器件文章最新資訊

中國(guó)GaN半導(dǎo)體巨頭專利侵權(quán)案ITC作出終裁

美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）全體委員會(huì)維持了其于2025年12月作出的初步裁定，確認(rèn)英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項(xiàng)氮化鎵（GaN）技術(shù)專利，并下令對(duì)英諾賽科實(shí)施進(jìn)口和銷售禁令。不過，ITC委員會(huì)的最終裁決及其頒布的相關(guān)禁令，仍需經(jīng)過為期60天的美國(guó)總統(tǒng)審查期后才能生效。而作為對(duì)終裁的回應(yīng)，英諾賽科宣布，ITC在第337?TA?1414號(hào)調(diào)查中作出最終裁定，確認(rèn)英諾賽科當(dāng)前的GaN功率器件產(chǎn)品未侵犯英飛凌的相關(guān)專利，并可不受限制地繼續(xù)在美國(guó)進(jìn)口和銷售。原文如下：ITC全體委員一致同意英
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電裝將撤回收購(gòu)羅姆報(bào)價(jià) 日功率器件三強(qiáng)合并正式啟動(dòng)

路透社 4 月 27 日?qǐng)?bào)道，因未能獲得羅姆公司同意，電裝集團(tuán)正考慮撤回針對(duì)這家日本芯片制造商的收購(gòu)提案。這家豐田集團(tuán)旗下零部件供應(yīng)商最早于今年 2 月提交收購(gòu)要約，一旦落地，羅姆的碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將直接納入車企體系管控。目前該筆收購(gòu)取消的原因眾說紛紜，日經(jīng)的報(bào)道是電裝認(rèn)為無(wú)法滿足羅姆的報(bào)價(jià)要求，而路透社則認(rèn)為羅姆內(nèi)部評(píng)估后認(rèn)為三家合并計(jì)劃對(duì)羅姆未來比被電裝收購(gòu)更有利。不管如何，電裝撤回收購(gòu)報(bào)價(jià)，意味著日本功率器件三強(qiáng)的合并將全面加速。羅姆方
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為什么講 ROHM，還是要先從功率器件說起

編者按ROHM 進(jìn)?中國(guó)市場(chǎng)多年，在功率器件、汽車電?、?業(yè)控制等領(lǐng)域積累了扎實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)。近?年，隨著新能源汽車、?業(yè)?動(dòng)化以及 AI 服務(wù)器等新應(yīng)?不斷發(fā)展，ROHM 的技術(shù)能?也在進(jìn)?更多值得關(guān)注的場(chǎng)景。如果要理解?家長(zhǎng)期深耕功率半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的公司，不能只看它的某?條產(chǎn)品線，也不能只看某?個(gè)應(yīng)?場(chǎng)景。ROHM 更適合放到?個(gè)更完整的框架?去理解：它不只是產(chǎn)品線較為完整的?商，也是在多個(gè)關(guān)鍵應(yīng)?場(chǎng)景中持續(xù)建?技術(shù)能?和系統(tǒng)價(jià)值的半導(dǎo)體公司。基于這樣的理解，EEPW 策劃了這?組系列內(nèi)容，希望從媒體
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羅姆加強(qiáng)GaN功率器件供應(yīng)能力

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，決定將自身?yè)碛械腉aN功率器件開發(fā)和制造技術(shù)，與合作伙伴臺(tái)積公司（TSMC）的工藝技術(shù)相融合，在集團(tuán)內(nèi)部建立一體化生產(chǎn)體系。通過獲得臺(tái)積公司的GaN技術(shù)授權(quán)，羅姆將進(jìn)一步增強(qiáng)相應(yīng)產(chǎn)品的供應(yīng)能力，從而滿足AI服務(wù)器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域?qū)aN產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。 GaN功率器件具有優(yōu)異的高電壓和高頻特性，有助于應(yīng)用產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高效率和更小體積，因此已被廣泛應(yīng)用于AC適配器等消費(fèi)電子產(chǎn)品。此外，其在AI服務(wù)器的電源單元及電動(dòng)汽車（EV）的車載充電器等
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TI:氮化鎵賦能人形機(jī)器人高效電機(jī)關(guān)節(jié)

德州儀器(TI)正研發(fā)氮化鎵功率器件，為人形機(jī)器人打造更小型、更高能效的電機(jī)關(guān)節(jié)。隨著全身人形機(jī)器人的興起，支撐其運(yùn)動(dòng)的電機(jī)控制器、功率電子器件和散熱系統(tǒng)，必須提供比以往更強(qiáng)的動(dòng)力、更高的精度和更高的效率。為了實(shí)現(xiàn)與人類相近的活動(dòng)范圍，機(jī)器人全身通常需要部署約40 個(gè)伺服電機(jī)—— 一般是永磁同步電機(jī)（PMSM）或無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）。這些電機(jī)分布在身體不同部位，主要集中在頸部、軀干、手臂、腿部、腳趾及其他關(guān)節(jié)（手部除外）。為模擬人類的靈巧性，單只機(jī)械手可集成超過 10 個(gè)額外電機(jī)，用于控制獨(dú)立手指與抓
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儲(chǔ)能系統(tǒng)中功率器件的應(yīng)用要點(diǎn)及輸出能力分析

作者簡(jiǎn)介趙陽(yáng)（1991），男，工學(xué)碩士，英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)部門應(yīng)用工程師，主要從事電力電子技術(shù)方面的研究工作。候增全（1997），男，工學(xué)碩士，英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)部門應(yīng)用工程師，主要從事電力電子技術(shù)方面的研究工作。摘要目前應(yīng)用于儲(chǔ)能系統(tǒng)的電芯技術(shù)正在快速發(fā)展，單體容量從280Ah升級(jí)至300+Ah，儲(chǔ)能PCS的功率也隨之不斷提升。IGBT器件作為PCS系統(tǒng)中的核心部件，應(yīng)用中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)和輸出能力的準(zhǔn)確評(píng)估決定了PCS的性能表現(xiàn)。本文通過實(shí)驗(yàn)對(duì)比驗(yàn)證了功率器件在應(yīng)用設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵因素，包括功率回路
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人工智能與機(jī)器人技術(shù)推動(dòng)氮化鎵功率器件市場(chǎng)爆發(fā)

氮化鎵（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能數(shù)據(jù)中心、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、可再生能源等多個(gè)行業(yè)，同時(shí)還切入數(shù)字醫(yī)療、量子計(jì)算等新興領(lǐng)域，這一趨勢(shì)推動(dòng)氮化鎵市場(chǎng)從今年到 2030 年實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。尤其在數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，采用新型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的氮化鎵電源相比硅基電源，能實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度，功耗損耗最多可降低 30%，助力打造更高效、更緊湊的數(shù)據(jù)中心架構(gòu)。應(yīng)用于人形機(jī)器人的氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，體積可縮小 40%，還能提升精細(xì)動(dòng)作的控制精度。英飛凌氮化鎵業(yè)務(wù)線高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理約翰內(nèi)斯?朔伊斯沃爾博士在接受《歐洲電子工
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小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能

在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。垂直架構(gòu)：功率技術(shù)新高度垂直 GaN 創(chuàng)新：vGaN 支持高電壓和高頻率運(yùn)行，效率優(yōu)于硅芯片先進(jìn)制造工廠：GaN 研發(fā)工作在占地 66,000 平方英尺、配備 GaN 生產(chǎn)專用工具的潔凈室設(shè)施中進(jìn)行專有 GaN 生長(zhǎng)工藝：工程師借助安森
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NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領(lǐng)域洞察

進(jìn)入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價(jià)保持穩(wěn)定，基本不受存儲(chǔ)周期性波動(dòng)影響。同時(shí)，市場(chǎng)需求正日益轉(zhuǎn)向適用于汽車、工業(yè)及真無(wú)線耳機(jī)（TWS）等領(lǐng)域的更高密度SPI NOR產(chǎn)品。更大的固件容量、無(wú)線升級(jí)（OTA）需求以及邊緣AI的集成，共同推動(dòng)了高密度NOR Flash設(shè)備的采用，尤其是從128Mb向256Mb及以上容量的升級(jí)。盡管出貨量趨于平穩(wěn)，但產(chǎn)品密度的提升、漫長(zhǎng)的認(rèn)證周期以及向55-40納米工藝穩(wěn)定遷移，將持續(xù)驅(qū)動(dòng)其價(jià)值增長(zhǎng)。得益于供需結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定，NOR F
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過電應(yīng)力導(dǎo)致的器件失效

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，元器件的可靠性是系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的基石。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，我們常常會(huì)遇到各種各樣的器件失效問題。其中，過電應(yīng)力（Electrical Over Stress, EOS）導(dǎo)致的失效占比超過80%以上，而器件本身質(zhì)量原因?qū)е碌氖О咐蚊采贤ǔＥc“EOS”形貌類似，故因器件本身質(zhì)量原因?qū)е碌氖Ш芏鄷r(shí)候常常被誤判或忽視。本文將簡(jiǎn)單學(xué)習(xí)EOS的失效機(jī)理、典型特征、與靜電放電（ESD）的異同，然后結(jié)合兩個(gè)功率器件失效實(shí)際案例，簡(jiǎn)述如何通過“EOS”的現(xiàn)象找到失效根因。一、何為過電應(yīng)力（EOS）？E
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iDEAL半導(dǎo)體與Mouser電子簽署全球分銷協(xié)議

?iDEAL半導(dǎo)體，一家專注于提供突破性效率的無(wú)晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，宣布與Mouser電子簽署全球分銷協(xié)議。該協(xié)議涉及iDEAL基于其新穎、專利、最先進(jìn)的SuperQ技術(shù)的功率器件。SuperQ與傳統(tǒng)超級(jí)結(jié)架構(gòu)相比，在效率和性能方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升，使功率工程師能夠滿足現(xiàn)代功率系統(tǒng)的需求，同時(shí)保持硅的可靠性、成本效益和供應(yīng)鏈穩(wěn)健性。在首批基于SuperQ的產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)后，150V MOSFET現(xiàn)已立即可用。這些產(chǎn)品提供領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和優(yōu)異的身形因子（FOM），包括業(yè)界最低的開關(guān)
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英飛凌OptiMOS? 80V、100V以及MOTIX?功率器件為Reflex Drive無(wú)人機(jī)提供高性能電機(jī)控制解決方案

來自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的半導(dǎo)體功率器件，用于其下一代無(wú)人機(jī)（UAV）電機(jī)控制解決方案。通過集成英飛凌OptiMOS? 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的電子調(diào)速器（ESC）實(shí)現(xiàn)了更好的熱管理和更高的效率，從而在緊湊的設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高功率密度。此外，通過采用將XMC1404微控制器與MOTIXTM?6EDL7141?三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC結(jié)合的英飛凌MOTIX? IMD7
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柵極驅(qū)動(dòng)器 — 功率器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：第 3 部分

其他柵極驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換器考慮因素柵極驅(qū)動(dòng)器 DC-DC 轉(zhuǎn)換器還有其他獨(dú)特的問題。其中包括：1）調(diào)節(jié)：當(dāng)器件不切換時(shí)，DC-DC 轉(zhuǎn)換器上的負(fù)載接近于零。然而，大多數(shù)傳統(tǒng)轉(zhuǎn)換器始終要求最小負(fù)載;否則，它們的輸出電壓會(huì)急劇增加，可能達(dá)到柵極擊穿水平。發(fā)生的情況是，這個(gè)高電壓存儲(chǔ)在大容量電容器上，因此當(dāng)器件開始切換時(shí)，它可能會(huì)出現(xiàn)柵極過壓，直到轉(zhuǎn)換器電平下降到正常負(fù)載下。因此，應(yīng)使用具有箝位輸出電壓或極低最小負(fù)載要求的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。2）啟動(dòng)和關(guān)斷：重要的是，在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌達(dá)到指定值之前，I
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據(jù)報(bào)道，Wolfspeed 將被 Apollo 領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人接管，同時(shí)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手將迎來機(jī)遇

據(jù)路透社援引彭博社報(bào)道，在關(guān)于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個(gè)月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動(dòng)蕩。由 Apollo 全球管理公司領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人正準(zhǔn)備根據(jù)破產(chǎn)計(jì)劃接管公司。報(bào)道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預(yù)計(jì)將在幾天內(nèi)公布一項(xiàng)預(yù)包裝破產(chǎn)計(jì)劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務(wù)。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權(quán)人就計(jì)劃進(jìn)行投票，然后正式申請(qǐng)第 11 章保護(hù)，報(bào)道補(bǔ)充道。由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的對(duì)頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
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柵極驅(qū)動(dòng)器 — 功率器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：第 1 部分

有效的 MOSFET/IGBT 器件開關(guān)取決于柵極驅(qū)動(dòng)器及其電源。從電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器到充電站和無(wú)數(shù)其他應(yīng)用，硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN） MOSFET等開關(guān)功率半導(dǎo)體以及絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是高效電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。但是，為了實(shí)現(xiàn)功率器件的最大性能，需要合適的柵極驅(qū)動(dòng)器。顧名思義，該元件的作用是驅(qū)動(dòng)功率器件柵極，快速、清晰地將其置于導(dǎo)通模式或?qū)⑵淅鰧?dǎo)通模式。這樣做要求驅(qū)動(dòng)器能夠拉出或吸收足夠的電流，盡管負(fù)載（柵極）存在內(nèi)部器件和雜散（寄生）電容、電感和其他
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