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美光或授權(quán)力積電1y納米制程？
- 近日有傳聞稱，美光科技可能將其已停產(chǎn)的1y納米制程技術(shù)授權(quán)給力積電。若消息屬實(shí)，此舉將助力力積電在DDR4量產(chǎn)方面取得更大進(jìn)展。 據(jù)公開信息顯示，力積電與美光科技于1月17日簽署了一份獨(dú)家意向書（LOI，Letter of Intent）。根據(jù)協(xié)議，美光科技將以18億美元現(xiàn)金收購(gòu)力積電位于中國(guó)臺(tái)灣苗栗縣銅鑼的P5晶圓廠的廠房及廠務(wù)設(shè)施（不包括生產(chǎn)相關(guān)機(jī)器設(shè)備）。此外，雙方還將建立長(zhǎng)期的晶圓代工合作關(guān)系，專注于DRAM先進(jìn)封裝領(lǐng)域。同時(shí)，美光科技將協(xié)助力積電在其新竹P3廠優(yōu)化現(xiàn)有的利基型DRAM制
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美光高管稱存儲(chǔ)芯片短缺史無前例 傳統(tǒng)電子也將遭全面擠壓
- 財(cái)聯(lián)社1月19日訊（編輯 趙昊）美光科技高管最新表示，存儲(chǔ)芯片的短缺情況在過去一個(gè)季度明顯加速，并重申由于AI基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)高端半導(dǎo)體需求激增，這一緊缺狀況將持續(xù)到今年以后。當(dāng)?shù)貢r(shí)間周五（1月16日），美光科技全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁Manish Bhatia在接受采訪時(shí)表示：“我們當(dāng)前看到的短缺情況，確實(shí)是前所未有的。”——這一表述也與美光上月做出的預(yù)測(cè)相呼應(yīng)。Bhatia在最新的講話中指出，用于人工智能加速器的HBM（高帶寬存儲(chǔ)）“消耗了整個(gè)行業(yè)大量可用產(chǎn)能，導(dǎo)致傳統(tǒng)行業(yè)領(lǐng)域——例如智能手機(jī)和個(gè)人電腦——出現(xiàn)巨
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據(jù)稱美光預(yù)計(jì)內(nèi)存將持續(xù)到2028年;OEM在關(guān)鍵退出后仍保持消費(fèi)者觸達(dá)
- 隨著美光準(zhǔn)備于1月16日動(dòng)工紐約大型晶圓廠，公司對(duì)全球記憶市場(chǎng)的前景仍備受關(guān)注。Wccftech援引美光移動(dòng)與客戶端業(yè)務(wù)部市場(chǎng)副總裁Christopher Moore的話，強(qiáng)調(diào)鑒于晶圓廠擴(kuò)建和認(rèn)證流程的復(fù)雜性，持續(xù)的內(nèi)存短缺不太可能在2028年前緩解。新Fabs緩慢以緩解供應(yīng)緊張美光的謹(jǐn)慎前景與其長(zhǎng)期擴(kuò)張路線圖相符。據(jù) syracuse.com 稱，公司在紐約的首家工廠計(jì)劃于2030年建成，第二家工廠預(yù)計(jì)2033年，第四家工廠預(yù)計(jì)于2045年建成。與此同時(shí)，預(yù)計(jì)2027年開始生產(chǎn)愛達(dá)荷
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美光推出全球首款面向客戶端計(jì)算的 PCIe 5.0 QLC SSD
- 2026 年 1 月 7 日，愛達(dá)荷州博伊西市 —— 美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布推出美光 3610 NVMe? SSD，這是業(yè)界首款面向客戶端計(jì)算的 PCIe? 5.0 QLC SSD。這一突破性產(chǎn)品重新定義了主流 PC 和超薄筆記本電腦的性能、效率和容量。3610 SSD 基于久經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn)的美光 G9 NAND 打造，順序讀取速率高達(dá) 11,000 MB/s，順序?qū)懭?/li>
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美光宣布3610 SSD，這是業(yè)界首款面向OEM廠商的PCIe 5.0 QLC SSD——在一塊微小的單面M.2 2230中提供4TB存儲(chǔ)，性能達(dá)到11,000 MB/s
- 美光剛剛發(fā)布了3610 SSD，該SSD支持PCIe 5.0速度，采用了更高密度的四層單元（QLC）芯片。根據(jù)公司新聞稿，該芯片采用了G9 NAND，使其能夠在同等占用空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)性的PCIe 5.0性能。因此，美光表示這是全球首款以緊湊單面M.2 2230形態(tài)提供4TB內(nèi)存的固態(tài)硬盤，使制造商能夠在輕薄筆記本和掌上設(shè)備中集成更多內(nèi)存。除了更高的存儲(chǔ)密度外，它還被宣傳為每瓦性能提升43%，以提升電力效率和電池續(xù)航。美光移動(dòng)與客戶業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁Mark Montierth表示：“3610 SSD結(jié)合了最
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CES 2026：美光推出面向客戶端計(jì)算的PCIe Gen5 G9 QLC SSD
- 美光宣布了一款面向客戶端計(jì)算的PCIe Gen5 G9 QLC SSD?；诿拦釭9 NAND構(gòu)建的3610 NVMe SSD實(shí)現(xiàn)了最高11,000 MB/s的連續(xù)讀取速度和9,300 MB/s的連續(xù)寫入速度。它提供4TB單面M.2 2230機(jī)型，適合超薄筆記本和具備AI功能的設(shè)備。它提供150萬IOPS隨機(jī)讀取和160萬IOPS隨機(jī)寫入。它采用無 DRAM 架構(gòu)，采用主機(jī)內(nèi)存緩沖區(qū)（HMB）和 DEVSLP 低功耗狀態(tài)，聲稱與第四代 TLC 相比，每瓦性能提升了 43%。它在三秒內(nèi)加載200億參數(shù)的AI
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美光出貨車用UFS 4.1：解鎖快速、安全、可靠的智能出行體驗(yàn)
- 汽車計(jì)算大會(huì)（Automotive Computing Conference，ACC）?—?美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布，其車用通用閃存（UFS）4.1?解決方案的認(rèn)證樣品已開始向全球客戶出貨。該產(chǎn)品旨在為下一代車輛提供快速的數(shù)據(jù)訪問、卓越的可靠性，以及強(qiáng)化的功能與網(wǎng)絡(luò)安全性能。美光車用?UFS 4.1?提供高達(dá)?4.2 GB/s?的帶寬，是前代產(chǎn)品的兩倍。這一性能優(yōu)勢(shì)可提升?AI?模型的數(shù)
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美光在紐約州北部的芯片工廠將推遲 2-3 年
- 紐約州錫拉丘茲——美光科技在今天公開的一份報(bào)告中表示，該公司將在克萊的前兩家芯片制造工廠的開業(yè)時(shí)間推遲兩到三年。這意味著第一家工廠要到美光于 2022 年宣布計(jì)劃在紐約中部建設(shè)八年后才會(huì)開業(yè)。美光今年早些時(shí)候表示，第一家制造工廠或晶圓廠計(jì)劃于 2028 年年中開業(yè)?，F(xiàn)在開放時(shí)間已推遲到 2030 年底。該公司在今天發(fā)布的該項(xiàng)目最終環(huán)境報(bào)告中表示，第二座晶圓廠的完工已從 2030 年底推遲到 2033 年底。環(huán)境報(bào)告今天被奧農(nóng)達(dá)加縣工業(yè)發(fā)展局正式接受并公布。接受該報(bào)告是美光推進(jìn)場(chǎng)地準(zhǔn)備和建設(shè)計(jì)劃的關(guān)鍵一步。
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三星HBM3E降價(jià)30%？試圖追趕SK海力士
- 隨著AI的蓬勃發(fā)展，內(nèi)存行業(yè)的供需進(jìn)一步緊張，HBM仍然是一項(xiàng)關(guān)鍵資源。存儲(chǔ)龍頭三星正致力于重奪主導(dǎo)地位。預(yù)計(jì)到2026年，HBM3E的平均價(jià)格將下降，在其12層HBM3E認(rèn)證延遲后，三星推出比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手低約30%的降價(jià)策略，試圖迎頭趕上。SK海力士于2024年下半年開始量產(chǎn)12層HBM3E，美光則于2025年初成功通過認(rèn)證，推動(dòng)了全年強(qiáng)勁的收入和利潤(rùn)增長(zhǎng)。2025年第四季度，三星的12層HBM3E開始向英偉達(dá)出貨。盡管該季度的預(yù)計(jì)出貨量達(dá)到數(shù)萬片，但相對(duì)于其兩大主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手而言，仍然為時(shí)已晚。三星數(shù)月來一
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美光推低功耗SOCAMM2
- 美光宣布推出全球首款192GB SOCAMM2，并正式送樣給客戶，進(jìn)一步拓展該公司低功耗內(nèi)存，于AI數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用版圖。該產(chǎn)品采用美光最新1γ（1-gamma）制程技術(shù)，能源效率提升逾20%，并在相同尺寸下提供50%更高容量。SOCAMM2延續(xù)美光首代LPDRAM SOCAMM設(shè)計(jì)，強(qiáng)化帶寬與功耗表現(xiàn)。由于容量擴(kuò)增，該模塊可使AI推論中首個(gè)token生成時(shí)間（TTFT）縮短超過80%，大幅提升實(shí)時(shí)推論效能。在全機(jī)柜AI部署架構(gòu)下，SOCAMM2可支持超過40TB的CPU直連主內(nèi)存，使其節(jié)能優(yōu)勢(shì)更為顯著。
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美光正式送樣業(yè)界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對(duì)低功耗 DRAM 的需求
- 2025年 10 月 23 日，愛達(dá)荷州博伊西市 — 在當(dāng)今時(shí)代，人工智能（AI）實(shí)現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個(gè)數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型，以支持可持續(xù)增長(zhǎng)。隨著內(nèi)存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來越重要的作用，低功耗內(nèi)存解決方案已成為這一轉(zhuǎn)型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內(nèi)存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內(nèi)存在
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Crucial英睿達(dá)推出迄今功能最強(qiáng)大的游戲內(nèi)存：DDR5 Pro OC 6400 CL32
- Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）旗下品牌?Crucial??英睿達(dá)? 推出DDR5 Pro?超頻 （OC）?6400 CL32?游戲?DRAM，進(jìn)一步兌現(xiàn)對(duì)游戲玩家的承諾。這款新內(nèi)存專為技術(shù)發(fā)燒友設(shè)計(jì)，提供?32GB?套件或?16GB?單條模塊[2]，速度更快、延遲更低，且采用大膽的新設(shè)計(jì)，使外觀和性能一樣優(yōu)越。此次發(fā)布鞏固了?Cruci
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三大存儲(chǔ)器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場(chǎng)
- 各大存儲(chǔ)器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對(duì) 1c（第 6 代 10nm 級(jí)）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃。美光本月還獲得了日本政府的補(bǔ)貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動(dòng)采用 6c DRAM。SK海力士和美光計(jì)劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進(jìn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)、計(jì)算機(jī)、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費(fèi)類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對(duì)性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細(xì) ]
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