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英特爾加碼先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)：馬來(lái)西亞先進(jìn)封裝基地 2026 年投產(chǎn)，EMIB 技術(shù)迎來(lái)重大升級(jí)

在 2026 年英偉達(dá) GTC 大會(huì)上，英特爾有望為英偉達(dá)下一代費(fèi)曼系列 GPU 提供先進(jìn)封裝服務(wù)的消息引發(fā)行業(yè)熱議，其嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）技術(shù)及馬來(lái)西亞基地的擴(kuò)建計(jì)劃也因此備受關(guān)注。據(jù)《馬來(lái)西亞邊緣報(bào)》消息，英特爾位于馬來(lái)西亞的先進(jìn)封裝基地及封裝測(cè)試產(chǎn)線(xiàn)將于2026 年下半年正式投產(chǎn)。該報(bào)道援引馬來(lái)西亞總理安華?易卜拉欣的社交媒體發(fā)文稱(chēng)，其已聽(tīng)取英特爾首席執(zhí)行官陳立武及其團(tuán)隊(duì)關(guān)于公司在馬擴(kuò)建計(jì)劃最新進(jìn)展的工作匯報(bào)。報(bào)道還指出，英特爾晶圓代工事業(yè)部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理納加?錢(qián)德拉塞卡蘭已明確基地
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英特爾概述了用于AI數(shù)據(jù)中心封裝的厚芯玻璃基板概念

英特爾在日本 NEPCON 展會(huì)展示了集成嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）先進(jìn)封裝技術(shù)的厚芯玻璃基板。盡管此前其技術(shù)路線(xiàn)圖存在不確定性，但此次展示表明玻璃基板仍是英特爾先進(jìn)封裝領(lǐng)域的長(zhǎng)期研發(fā)方向，該技術(shù)主要面向高性能數(shù)據(jù)中心處理器。對(duì)于從事先進(jìn)封裝、異構(gòu)集成或人工智能加速器設(shè)計(jì)的讀者而言，這一技術(shù)進(jìn)展意義重大。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，玻璃基板有望為下一代服務(wù)器級(jí)器件實(shí)現(xiàn)更大封裝尺寸、更精細(xì)互連以及更高機(jī)械穩(wěn)定性提供支撐。先進(jìn)封裝中的玻璃基板與 EMIB 技術(shù)據(jù) Wccftech 報(bào)道，英特爾代工業(yè)務(wù)部門(mén)展示了玻璃芯
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AI芯片新引擎：英特爾首秀EMIB玻璃基板，78mm超大封裝

1 月 23 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（1 月 22 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱(chēng)在 2026 年 NEPCON 日本電子展上，英特爾首度公開(kāi)展示集成 EMIB 技術(shù)、尺寸達(dá) 78mm×77mm 的巨型玻璃芯基板原型。注：EMIB 全稱(chēng)為 Embedded Multi-die Interconnect Bridge，官方名稱(chēng)為嵌入式多芯片互連橋接，可以理解為埋在基板里的“高速立交橋”，專(zhuān)門(mén)用來(lái)連接基板上相鄰的兩個(gè)小芯片，讓數(shù)據(jù)傳輸像在同一個(gè)芯片內(nèi)一樣快。圖源：英特爾為何 AI 芯片必須“棄塑換?！?/li>
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英特爾EMIB成臺(tái)積電CoWoS替代選項(xiàng)？

近期因?yàn)榕_(tái)積電的CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能高度吃緊，除了幾個(gè)AI芯片龍頭有能力大量「包產(chǎn)能」外，其他特用芯片（ASIC）和二線(xiàn)的AI晶片業(yè)者，難以爭(zhēng)取到足夠CoWoS產(chǎn)能支持。值得注意的是，市場(chǎng)陸續(xù)傳出，英特爾（Intel）的EMIB先進(jìn)封裝制程，成為芯片業(yè)者的考量之一，半導(dǎo)體業(yè)界更盛傳，網(wǎng)通芯片大廠(chǎng)Marvell甚至聯(lián)發(fā)科，都積極想要嘗試，甚至可能有「前段投片臺(tái)積電、后段找上英特爾」的新生意模式。英特爾先進(jìn)封裝實(shí)力不俗 EMIB有吸引力據(jù)了解，由于英特爾EMIB技術(shù)本身價(jià)格較為實(shí)惠，散熱表現(xiàn)也不錯(cuò)，面對(duì)一
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是德科技與英特爾合作推進(jìn)EMIB-T技術(shù)

據(jù)報(bào)道，是德科技于6日宣布與英特爾晶圓代工達(dá)成合作，共同支持嵌入式多芯片互連橋接（EMIB-T）技術(shù)。這一尖端創(chuàng)新技術(shù)旨在為AI和數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)提供更高效的封裝解決方案，并支持Intel 18A制程節(jié)點(diǎn)。隨著AI和數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載復(fù)雜度的不斷提升，小芯片與3D IC之間的可靠通信變得愈發(fā)重要。高速數(shù)據(jù)傳輸和高效電源傳輸成為滿(mǎn)足下一代半導(dǎo)體應(yīng)用性能需求的關(guān)鍵因素。此次合作將有助于推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的發(fā)展，滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)處理日益增長(zhǎng)的需求。據(jù)相關(guān)消息透露，雙方的合作將為行業(yè)帶來(lái)更先進(jìn)的技術(shù)支持，助力芯片設(shè)
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一文看懂英特爾的制程工藝和系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)

一文帶你看懂英特爾的先進(jìn)制程工藝和高級(jí)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的全部細(xì)節(jié)... 1. 制程技術(shù)Intel 18A 英特爾18A制程節(jié)點(diǎn)正在按既定計(jì)劃推進(jìn)，首個(gè)外部客戶(hù)的流片工作將于2025年上半年完成。Intel 18A預(yù)計(jì)將在2025年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)爬坡，基于該制程節(jié)點(diǎn)的首款產(chǎn)品，代號(hào)為Panther Lake，將于2025年年底推出，更多產(chǎn)品型號(hào)將于2026年上半年發(fā)布?！居⑻貭栃缕拢褐匾暪こ虅?chuàng)新、文化塑造與客戶(hù)需求；英特爾發(fā)布2025年第一季度財(cái)報(bào)
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英特爾代工合作伙伴為EMIB先進(jìn)封裝技術(shù)提供參考流程

在摩爾定律的旅程中，先進(jìn)封裝技術(shù)正發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用，通過(guò)堆疊技術(shù)的創(chuàng)新，可以在單個(gè)設(shè)備中集成更多的晶體管。目前的大多數(shù)芯片都采用了異構(gòu)架構(gòu)設(shè)計(jì)，先進(jìn)封裝技術(shù)也讓設(shè)備中采用不同制程技術(shù)、來(lái)自不同廠(chǎng)商、執(zhí)行不同功能的芯粒能夠在一起妥善工作，從而提高性能并降低功耗。EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）是英特爾的一種2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)，支持把不同的芯片放在同一塊平面上相互連接。傳統(tǒng)的2.5D封裝是在芯片和基板間的硅中介層上進(jìn)行布線(xiàn)，EMIB則是通過(guò)一個(gè)嵌入基板內(nèi)部的單獨(dú)芯片完成互連。作為一種高成本效益的方法，
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英特爾EMIB技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)芯片間互連互通

當(dāng)今智能手機(jī)、電腦和服務(wù)器中的大多數(shù)芯片都是由多個(gè)較小芯片密封在一個(gè)矩形封裝中來(lái)組成的。這些通常而言包括CPU、圖形卡、內(nèi)存、IO等在內(nèi)的更多芯片是如何進(jìn)行通信的？一種被稱(chēng)為EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）的英特爾創(chuàng)新技術(shù)將揭曉答案。它是一種比一粒米還小的復(fù)雜多層薄硅片，可以讓相鄰芯片以驚人的速度來(lái)回傳輸大量數(shù)據(jù)，高達(dá)每秒數(shù)GB。當(dāng)前，英特爾EMIB加速了全球近100萬(wàn)臺(tái)筆記本電腦和FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列）設(shè)備之中的數(shù)據(jù)流。隨著EMIB技術(shù)更加主流化，這個(gè)數(shù)字將很快飆升，并覆蓋更多產(chǎn)品。例如英特爾于1
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英特爾發(fā)布最新的 EMIB 技術(shù)：降低四倍的傳輸延遲？

　　在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括臺(tái)積電、三星、格羅方德等不但陸續(xù)宣布在 10 奈米制程進(jìn)行量產(chǎn)之外，還持續(xù)布局 7 奈米制程，甚至更先進(jìn)的 5 奈米、3 奈米制程。反觀半導(dǎo)體龍頭英特爾 (Intel) 對(duì)每一代處理器的性能提升被認(rèn)為是“擠牙膏”，甚至在第 8 代處理器的制程上仍沿用 14 奈米制程，讓大家懷疑英特爾在制程技術(shù)上的進(jìn)展。而為了破除這樣的想法，日前英特爾發(fā)布了最新的EMIB 技術(shù)，以證明自己在處理器生產(chǎn)技術(shù)上依舊領(lǐng)先的地位。　　根據(jù)英特爾在 28 日于美國(guó)舊金山舉行的 Int
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