英特爾在日本 NEPCON 展會展示了集成嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）先進(jìn)封裝技術(shù)的厚芯玻璃基板。盡管此前其技術(shù)路線圖存在不確定性，但此次展示表明玻璃基板仍是英特爾先進(jìn)封裝領(lǐng)域的長期研發(fā)方向，該技術(shù)主要面向高性能數(shù)據(jù)中心處理器。

對于從事先進(jìn)封裝、異構(gòu)集成或人工智能加速器設(shè)計(jì)的讀者而言，這一技術(shù)進(jìn)展意義重大。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，玻璃基板有望為下一代服務(wù)器級器件實(shí)現(xiàn)更大封裝尺寸、更精細(xì)互連以及更高機(jī)械穩(wěn)定性提供支撐。

先進(jìn)封裝中的玻璃基板與 EMIB 技術(shù)

據(jù) Wccftech 報(bào)道，英特爾代工業(yè)務(wù)部門展示了玻璃芯基板與 EMIB 技術(shù)的組合方案。業(yè)界正積極探索玻璃基板作為有機(jī)材料替代方案的可行性，其潛在優(yōu)勢包括支持更精細(xì)的線寬線距、更高的尺寸穩(wěn)定性，以及在大封裝尺寸下減少翹曲變形Intel。

EMIB 技術(shù)無需借助完整硅中介層，即可實(shí)現(xiàn)單一封裝內(nèi)多芯片間的互連。玻璃基板與 EMIB 技術(shù)的結(jié)合，能夠支持更大規(guī)模的多芯片集成，這對于整合邏輯、存儲與加速單元的人工智能及數(shù)據(jù)中心處理器至關(guān)重要。

該技術(shù)路線反映了行業(yè)趨勢：先進(jìn)封裝與制程工藝并行成為芯片性能提升的關(guān)鍵路徑，尤其是人工智能負(fù)載持續(xù)推動對更高帶寬和計(jì)算密度的需求。

厚芯玻璃基板技術(shù)細(xì)節(jié)

• 尺寸與承載能力：基板尺寸約 78×77 毫米，可支持的硅片面積約為標(biāo)準(zhǔn)光罩尺寸的兩倍（約 1,716 平方毫米）。

• 10-2-10 結(jié)構(gòu)：采用雙玻璃芯層設(shè)計(jì)，兩側(cè)各設(shè)重分布層（RDL）：頂層 10 層用于支持芯片的精細(xì)間距布線，底層 10 層用于向封裝接口扇出信號；玻璃芯內(nèi)嵌 2 個(gè) EMIB 橋，實(shí)現(xiàn)封裝內(nèi)多芯片的高密度互連。

• 制造可靠性：測試中未出現(xiàn)明顯玻璃開裂問題 —— 這是玻璃基板因脆性特質(zhì)面臨的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)，若能通過大規(guī)模驗(yàn)證，將推動其在服務(wù)器級產(chǎn)品中的應(yīng)用。

對人工智能數(shù)據(jù)中心處理器的影響

盡管英特爾尚未公布產(chǎn)品時(shí)間表，但此次展示表明玻璃基板仍是其長期先進(jìn)封裝戰(zhàn)略的一部分。對于人工智能數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，這類技術(shù)有望在應(yīng)對機(jī)械與熱管理約束的同時(shí)，支持更大、更復(fù)雜的多芯片處理器開發(fā)。