1 月 23 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（1 月 22 日）發(fā)布博文，報道稱在 2026 年 NEPCON 日本電子展上，英特爾首度公開展示集成 EMIB 技術(shù)、尺寸達 78mm×77mm 的巨型玻璃芯基板原型。

注：EMIB 全稱為 Embedded Multi-die Interconnect Bridge，官方名稱為嵌入式多芯片互連橋接，可以理解為埋在基板里的“高速立交橋”，專門用來連接基板上相鄰的兩個小芯片，讓數(shù)據(jù)傳輸像在同一個芯片內(nèi)一樣快。

圖源：英特爾

為何 AI 芯片必須“棄塑換?！?？

援引博文介紹，隨著 AI 芯片尺寸不斷逼近光刻機視場極限（Reticle Limit），傳統(tǒng)的有機樹脂基板（Organic Substrate）面臨嚴峻的物理瓶頸。

有機材料在高溫下極易發(fā)生熱脹冷縮，導致基板翹曲（Warpage），進而引發(fā)芯片接合不良。相比之下，玻璃材料擁有與硅芯片相近的熱膨脹系數(shù)（CTE），受熱后尺寸極其穩(wěn)定。

此外，玻璃表面極度平滑，支持比有機基板更微細的電路刻蝕，是承載下一代超大算力芯片的理想“地基”。

技術(shù)規(guī)格方面，英特爾采用了一個尺寸為 78mm x 77mm 的巨型封裝，其面積達到了標準光罩尺寸的 2 倍。

圖源：英特爾

在垂直截面上，該基板運用了“10-2-10”的堆疊架構(gòu)：以 800μm（0.8mm）的厚玻璃芯為中心，上下各堆疊 10 層重布線層（RDL），總計 20 層電路用于處理復雜的 AI 信號傳輸。

選用 800μm 的“厚芯（Thick Core）”設(shè)計，是為了在數(shù)據(jù)中心的高壓環(huán)境下確保超大尺寸封裝的機械剛性，防止斷裂。同時，該基板實現(xiàn)了 45μm 的超微細凸點間距，I/O 密度遠超傳統(tǒng)基板。

英特爾在此次展示的封裝中已成功集成了兩個 EMIB 橋接器，驗證了玻璃基板在承載復雜多芯片配置時的能力，相比傳統(tǒng)有機基板，玻璃基板能提供更精細的互連間距、更好的焦深控制以及更低的機械應(yīng)力。

業(yè)界最關(guān)注的焦點在于英特爾明確宣稱實現(xiàn)了“No SeWaRe”。SeWaRe 是行業(yè)隱語，指代玻璃基板在切割與搬運中極易產(chǎn)生的微裂紋（Micro-cracks），這些隱形傷痕往往會導致封裝在熱循環(huán)測試中徹底碎裂。

英特爾此次的宣示，意味著其已通過特殊的材料改性或加工工藝，徹底解決了玻璃的脆性問題，確保了量產(chǎn)級的可靠性。