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三星HBM3E降價30%？試圖追趕SK海力士
- 隨著AI的蓬勃發(fā)展，內(nèi)存行業(yè)的供需進一步緊張，HBM仍然是一項關鍵資源。存儲龍頭三星正致力于重奪主導地位。預計到2026年，HBM3E的平均價格將下降，在其12層HBM3E認證延遲后，三星推出比競爭對手低約30%的降價策略，試圖迎頭趕上。SK海力士于2024年下半年開始量產(chǎn)12層HBM3E，美光則于2025年初成功通過認證，推動了全年強勁的收入和利潤增長。2025年第四季度，三星的12層HBM3E開始向英偉達出貨。盡管該季度的預計出貨量達到數(shù)萬片，但相對于其兩大主要競爭對手而言，仍然為時已晚。三星數(shù)月來一
- 關鍵字： 三星 HBM3E SK海力士 美光
三星HBM3E熬18個月終獲英偉達認證
- 南韓科技巨擘三星電子在高帶寬記憶體（HBM）競爭賽道上落后于主要競爭對手SK海力士以及美光。 但據(jù)韓媒報道，如今總算有好消息傳出！ 三星第5代12層高帶寬內(nèi)存HBM3E產(chǎn)品終于通過英偉達質(zhì)量驗證測試。 此一進展不僅象征三星在HBM技術上的突破，也可能改寫其在高端存儲器市場的競爭格局。據(jù)韓媒《Business Korea》與《韓國經(jīng)濟日報》（The Korea Economic Daily）報導，三星從完成HBM3E 12層芯片的開發(fā)，歷經(jīng)多次英偉達性能測試失敗，到最終通過認證，整整耗時18個月，成為繼SK
- 關鍵字： 三星 HBM3E 英偉達
三星在 NVIDIA的12-Hi HBM3E驗證中再次失誤，重新測試定于9月進行
- 隨著美光（爭奪 NVIDIA HBM 訂單的主要競爭對手）宣布已交付其第一批 12 層 HBM4 樣品，據(jù)報道，三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗證時跌跌撞撞。據(jù)《商業(yè)郵報》援引證券分析師的話稱，該公司現(xiàn)在的目標是在 9 月進行重新測試。盡管 Deal Site 此前表示，三星的 12 層 HBM3E 已在 5 月通過了 NVIDIA 的裸片認證，但該產(chǎn)品仍需要進行全封裝驗證。另一方面，SR Times 表示，三星自去年下半年以來一直在提
- 關鍵字： 三星 NVIDIA 12-Hi HBM3E 失誤
HBM4爭霸戰(zhàn)開打 美光領跑
- 生成式AI持續(xù)爆發(fā)，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。 全球三大內(nèi)存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰(zhàn)局，爭搶AI加速器內(nèi)存主導權。 其中，美光搶先宣布送樣，技術領先態(tài)勢明顯。美光12日宣布，已將最新12層堆疊、容量達36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶。 該產(chǎn)品采用先進的1β DRAM制程，搭配2048位寬高速接口，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s，效能較前一代HBM3E提升超過60%，能源效率亦提升逾20%，預計2026年正式量產(chǎn)。美光指出，HBM4具備內(nèi)存內(nèi)建自我測試（MBI
- 關鍵字： HBM4 美光 HBM3E
美光12hi HBM3e在CSP的強勁支持下，到8月出貨量可能超過8hi
- 當三星全速推進其 12hi HBM3e 驗證和 HBM4 開發(fā)時，美光一直處于低調(diào)狀態(tài)。但據(jù) New Daily 報道，這家美國內(nèi)存巨頭正在悄然崛起——其 12hi HBM3e 良率正在迅速提高，贏得了主要 CSP 的好評。該報告援引美光在投資者會議上的言論，表明該公司對 12hi HBM3E 押下重注，并預計該產(chǎn)品最早在 8 月的出貨量將超過目前的 8hi HBM3e，目標是在第三季度末達到穩(wěn)定的良率水平。此外，據(jù) New Daily 報道，由于 NVIDIA 可能會加快其下一代 R
- 關鍵字： 美光 12hi HBM3e CSP 8hi
搶英偉達訂單？三星提前量產(chǎn)12層堆疊HBM3E
- 據(jù)韓國媒體ZDNet Korea報道，三星電子在2025年2月左右已提前開始量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E高帶寬內(nèi)存，但尚未通過GPU巨頭英偉達的認證，因此目前無法向其供貨。這一決定讓三星面臨積累大量庫存的風險。市場消息人士透露，三星對其12層堆疊HBM3E的性能和穩(wěn)定性充滿信心，認為能夠順利通過英偉達的認證流程。提前量產(chǎn)的策略旨在通過認證后快速供貨，助力實現(xiàn)2025年HBM出貨量達到2024年兩倍的目標。目前，英偉達最新的AI芯片主要采用SK海力士供應的12層堆疊HBM3E。SK海力士憑借其在HBM市場的主
- 關鍵字： 英偉達 三星 12層堆疊 HBM3E
Google AI芯片通知撤換 三星HBM3E認證再傳卡關
- 三星電子（Samsung Electronics）近來重兵部署在HBM先進制程，但供應鏈傳出，三星HBM3E認證進度再遭卡關，由于Google投入自行設計AI服務器芯片，原打算搭配三星HBM3E，并送交臺積電進行CoWoS封裝，但日前卻突然通知三星HBM遭撤下。據(jù)了解，事發(fā)源頭是來自三星HBM3E未能通過NVIDIA認證，Google為求保險起見，可能改換美光（Micron）產(chǎn)品遞補供應，相關市場消息近日在業(yè)界傳得沸沸揚揚。對此，消息源向三星求證，三星回復無法評論客戶相關事宜，相關開發(fā)計劃仍按照進度執(zhí)行。
- 關鍵字： Google AI芯片 三星 HBM3E 認證
SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存，明年初出樣
- 11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預計明年初出樣。雖然一般認為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會正式商用，但參考內(nèi)存領域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學術會議準備的論文中也提到了可實現(xiàn) 1280G
- 關鍵字： SK海力士 內(nèi)存 HBM3E
HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察
- 近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續(xù)驗證階段。其中SK hynix與Micron進度較快，有望于今年底完成
- 關鍵字： HBM3e 12hi 良率 驗證 HBM TrendForce
英偉達黃仁勛反駁三星HBM3e有問題
- 近日，英偉達(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過熱問題而未能通過測試的報道進行了反駁。他表示，英偉達正在努力測試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片，但目前尚未通過測試，因為還有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問題，黃仁勛表示，認證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報道的因芯片過熱問題未通過質(zhì)量測試。他重申，英偉達與三星的合作進展順利。此前，三星也堅決否認有關其高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未能達到英偉達質(zhì)量標準的報道。三星電子在一份聲明中表示，
- 關鍵字： 英偉達 黃仁勛 三星 HBM3e
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